Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (26 KB, 1 trang )
1. Thiết kế bộ lọc thông thấp chế tạo trên mạch dải không đối
xứng với các chỉ tiêu sau : bậc lọc n = 3, tần số cắt f C = 4 GHz,
dạng đặc trng Chebyshev, trở kháng nguồn và tải 50 , độ
gợn sóng trong dải thông là 3 dB.
2. Thiết kế bộ lọc thông thấp siêu cao tần với đặc trng phẳng
cực đại có tần số cắt fC = 2,5 GHz, với suy giảm hơn 20 dB tại
tần số 4 GHz. Trở kháng tải và nguồn là 50 .
3. Thiết kế bộ lọc thông thấp đặc trng dạng phẳng cức đại
có tan số cắt fC = 150 MHz và tiêu hao chèn 50 dB ở 400 MHz.
Biết rằng trở tải và trở nguồn bằng nhau và bằng 75 .
4. Thiết kế bộ lọc thông thấp dạng đặc trng Chebyshev có độ
gợn sóng không lớn hơn 2dB trong dải thông. Bộ lọc phải cho
qua tất cả các tần số đến 50 MHz và suy giảm tín hiệu tại 100
MHz ít nhất là 15 dB. Trở tải và trở ngn cđa bé läc ®Ịu b»ng
50 Ω .
5. ThiÕt kÕ bộ lọc thông cao dạng đặc trng Chebyshev với độ
gợn sóng không lớn hơn 3 dB với tần số cắt 50 MHz và mức suy
giảm tín hiệu 15 dB tại tần số 25 MHz. Trở tải và trở nguồn của
bộ läc ®Ịu b»ng 75 Ω .
6. ThiÕt kÕ bé läc chắn dải bậc 5 dạng đặc trng phẳng cực
đại. Bộ lọc chặn tất cả tín hiệu trong dải tần từ 50 MHz đến
80 MHz và cho qua các tần số ngoài dải trên. Biết rằng trở
nguồn và trở tải của bé läc ®Ịu b»ng 50 Ω.
7. ThiÕt kÕ bé läc vô tuyến phần tử tập trung LC thông dải
dạng đặc trng Cheby shev víi c¸c tham sè nh sau : mức gợn
sóng trong dải thông La1 = 0,5 dB, dải thông bộ lọc là 5% với
tần số trung tâm dải thông F0 = 6 GHz , mức suy giảm tại tần
số f = 7 GHz tối thiểu đạt 45 dB, trở kháng nhuồn và trở tải
bằng nhau là 50 . Chọn sơ đồ mạch bộ lọc với mạch cộng hởng thứ nhất là mạch LC song song mắc song song.