ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI 
TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN 
 *** 
 
Lê Thị Thu Hƣơng 
 
 
XÂY DỰNG PHƢƠNG PHÁP ĐO TÍNH CHẤT NHIỆT ĐIỆN CỦA VẬT LIỆU Ở 
NHIỆT ĐỘ CAO 
 
Chuyên ngành: Vật lý chất rắn 
 Mã số: 60 44 07 
 
TÓM TẮT LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC 
 
 
 
NGƢỜI HƢỚNG DẪN KHOA HỌC: 
TS. NGUYỄN TRỌNG TĨNH 
 
 
Hà Nội – 2011 
 
Công trình được hoàn thành tại: 
Trƣờng Đại học Khoa học tự nhiên, Đại học Quốc gia Hà Nội. 
 
 
 
Người hướng dẫn khoa học: TS. NGUYỄN TRỌNG TĨNH 
Phản biện 1: PGS. TS. NGÔ THU HƢƠNG – Trường Đại học Khoa học tự nhiên – 
Đại học Quốc gia Hà Nội. 
Phản biện 2: TS. NGUYỄN THANH BÌNH – Viện Khoa học Vật liệu – Viện Khoa 
học và Công nghệ Việt Nam.          
Luận văn được bảo vệ tại Hội đồng chấm thi luận văn thạc sĩ khoa học tại: Đại học 
Khoa học tự nhiên vào hồi 15 giờ 00, ngày 04 tháng 01 năm 2012.     
Có thể tìm đọc tại: 
Trung tâm thông tin thƣ viện Đại học quốc gia Hà Nội.  
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 4 - 
MỤC LỤC  
MỤC LỤC……………………………………………………………………… 
i 
DANH MỤC CÁC BẢNG…………………………………………………… 
iii 
DANH MỤC HÌNH ẢNH…………………………………………………… 
iv 
Mở đầu…………………………………………………………………………. 
1 
Chƣơng 1 Tổng quan về hiện tƣợng, tính chất và vật liệu nhiệt điện…… 
4 
 1.1 Hiện tƣợng và hiệu ứng nhiệt điện……………………………………. 
4 
 1.1.1 Hiệu ứng Seebeck…………………………………………………… 
4 
 1.1.2 Hiệu ứng Thomson và hiệu ứng Peltier…………………………… 
6 
 1.2 Các tính chất nhiệt điện cơ bản……………………………………… 
7 
 1.2.1 Độ dẫn điện…………………………………………………………. 
7 
 1.2.2 Độ dẫn nhiệt………………………………………………………… 
8 
 1.2.3 Hệ số Seebeck………………………………………………………. 
9 
 1.2.4 Hệ số phẩm chất của vật liệu nhiệt điện…………………………… 
11 
 1.3 Các loại vật liệu nhiệt điện…………………………………………… 
15 
 1.3.1. Vật liệu nhiệt điện kinh điển……………………………………… 
15 
 1.3.2. Vật liệu perovskite ABO
3
…………………………………………. 
16 
Chƣơng 2 Phƣơng pháp, kĩ thuật nghiên cứu……………………………… 
21 
 2.1 Phƣơng pháp,kĩ thuật nghiên cứu tính chất nhiệt điện……………… 
21 
 2.1.1 Phƣơng pháp đo độ dẫn điện……………………………………… 
21 
 2.1.2 Phƣơng pháp đo hệ số Seebeck…………………………………… 
26 
 2.1.3 Phƣơng pháp đo thông số công suất………………………………… 
29 
 2.1.4 Sự liên hệ giữa tính chất nhiệt điện với tán xạ hạt tải………………. 
32 
Chƣơng 3 Kết quả và thảo luận…………………………………………… 
33 
 3.1 Chế tạo và khảo sát tính chất vật liệu…………………………………. 
33 
 3.1.1 Chế tạo vật liệu……………………………………………………… 
33 
 3.1.2 Khảo sát cấu trúc tinh thể…………………………………………… 
35 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 5 - 
 3.2 Tính chất nhiệt điện của vật liệu……………………………………… 
36 
 3.2.1 Độ dẫn điện………………………………………………………… 
36 
 3.2.2 Hệ số Seebeck của vật liệu………………………………………… 
39 
Kết luận………………………………………………………………………… 
42 
Tài liệu tham khảo…………………………………………………………… 
44                      
  Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 6 - 
DANH MỤC CÁC BẢNG  
Bảng 2.1 Giá trị I, V ứng với mẫu CaMnO
3
 tại 413K…………………………… 
25 
Bảng 2.2 Giá trị điện trở suất của CaMnO
3
 trong dải nhiệt độ 293-1212K……… 
25 
Bảng 2.3 Giá trị độ dẫn điện của CaMnO
3
 trong dải nhiệt độ từ 293- 1213K… 
26 
Bảng 2.4 Giá trị Seebeck của mẫu CaMnO
3
 tại 413K……………………………. 
27 
Bảng 2.5 Giá trị Seebeck của CaMnO
3
 trong dải 293- 1213K…………………… 
31 
Bảng 2.6 Giá trị thông số công suất của CaMnO
3
 trong dải 293- 1213K………… 
31 
Bảng 3.1 Hằng số mạng và thể tích ô mạng cơ sở……………………………… 
37 
Bảng 3.2 Năng lƣợng kích hoạt E
a
 của các mẫu Ca
1-x
Y
x
MnO
3
………………… 
38               
    Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 7 - 
DANH MỤC HÌNH ẢNH  
Hình 1.1 Hiệu ứng Seebeck trong kim loại…………………………………… 
5 
Hình 1.2 Sơ đồ đơn giản của máy làm lạnh nhiệt điện…………………………… 
11 
Hình 1.3 Mô hình cho mục đích phát điện……………………………………… 
14 
Hình 1.4 Mô hình cho mục đích làm lạnh………………………………………… 
14 
Hình 1.5 Cấu trúc của tinh thể perovskite………………………………………… 
17 
Hình 1.6 Sự phụ thuộc của hệ số phẩm chất, Z của Sr
0.9
Dy
0.1
TiO
3
, 
Ba
0.4
Sr
0.6
PbO
3
, Ca
0.9
R
0.1
MnO
3-z
 (R= Tb, Ho, Y)………………………………….  
20 
Hình 2.1 Sơ đô nguyên lý của phƣơng pháp bốn mũi dò…………………………. 
22 
Hình 2.2 Giá trị T
1
(t/s)…………………………………………………………… 
22 
Hình 2.3 Giá trị C
0
(t/s)…………………………………………………………… 
23 
Hình 2.4 Đồ thị V(I) của mẫu CaMnO
3
 tại 413K………………………………… 
24 
Hình 2.5 Giá trị điện trở suất của mẫu CaMnO
3
 trong dải nhiệt độ 293- 1213K… 
25 
Hình 2.6 Giá trị độ dẫn điện của CaMnO
3
 trong dải nhiệt độ từ 293- 1213K……. 
26 
Hình 2.7 Giá trị Seebeck của CaMnO
3
 tại 413K…………………………………. 
27 
Hình 2.8 Giá trị Seebeck của CaMnO
3
 trong dải 293- 1213K…………………… 
27 
Hình 2.9 Sơ đồ khối của hệ đo……………………………………………………. 
28 
Hình 2.10 Hình ảnh mẫu gắn cực trên giá đỡ và lò đốt con………………………. 
29 
Hình 2.11 Hình ảnh hệ đo tính chất nhiệt điện…………………………………… 
30 
Hình 2.12 Thông số công suất của CaMnO
3
 trong dải nhiệt độ 293- 1213K……… 
30 
Hình 2.13 Sự tán xạ hạt tải trong vật liệu bán dẫn………………………………… 
31 
Hình 3.1 Quy trình phƣơng pháp chế tạo………………………………………… 
33 
Hình 3.2 Giản đồ X-ray của các mẫu Ca
1-x
Y
x
MnO
3
………………………………. 
34 
Hình 3.3 Sự phụ thuộc nhiệt độ của điện trở suất của mẫu Ca
1-x
Y
x
MnO
3
…………. 
36 
Hình 3.4 Sự phụ thuộc semilog của điện trở vào nhiệt độ của Ca
1-x
Y
x
MnO
3
……… 
37 
Hình 3.5 Sự phụ thuộc nhiệt độ của hệ số Seebeck của Ca
1-x
Y
x
MnO
3
…………… 
39 
Hình 3.6 Sự phụ thuộc của thông số công suất vào nhiệt độ của Ca
1-x
Y
x
MnO
3
… 
40 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 8 -  
MỞ ĐẦU 
 Trong cuộc sống hiện nay, con ngƣời cần đến nhiều nguồn năng lƣợng để 
phục vụ cho những mục đích khác nhau của mình. Những nguồn năng lƣợng có sẵn 
trong tự nhiên nhƣ than, khí đốt, dầu… đƣợc sử dụng từ rất sớm nhƣng những 
nguồn năng lƣợng hóa thạch này có hạn, gây ra nhiều vấn đề có hại cho môi trƣờng 
ảnh hƣởng nghiêm trọng tới cuộc sống nhƣ ô nhiễm nguồn nƣớc, không khí,…Tìm 
kiếm các nguồn năng lƣợng mới, sạch, thân thiện với môi trƣờng, đáp ứng cho nhu 
cầu sử dụng là vấn đề cấp thiết hiện nay. Năng lƣợng nhiệt điện đang là nguồn năng 
lƣợng tiềm năng cho mục đích chuyển hóa năng lƣợng, đáp ứng yêu cầu của con 
ngƣời. Ƣu điểm của các máy phát điện làm việc trên nguyên lý nhiệt điện 
(thermoelectric generation) thể hiện ở chỗ: tận dụng đƣợc các nguồn năng lƣợng 
nhiệt phân tán thành năng lƣợng điện; các máy phát điện nhiệt điện có hiệu suất tính 
theo lý thuyết cao hơn so với các máy phát bằng hơi nƣớc, máy nổ…Máy phát nhiệt 
điện dựa trên nguyên tắc chuyển hóa trực tiếp nhiệt thành điện, nên không cần đến 
bộ phận chuyển động cơ khí, do vậy không gây ra tiếng ồn, hiệu suất chuyển hóa 
năng lƣợng tốt hơn so với các thiết bị phát điện khác. 
 Hiện tƣợng nhiệt điện đƣợc phát hiện và nghiên cứu bởi Seebeck (1821), 
cách đây khoảng 200 năm, sau đó là sự phát hiện ra hiệu ứng Peltier và hiệu ứng 
Thomson. Những hiệu ứng nhiệt điện đã đƣợc ứng dụng từ rất sớm: cặp nhiệt điện 
dựa theo hiệu ứng Seebeck, bộ phận làm lạnh theo hiệu ứng Peltier…Tuy nhiên, sử 
dụng hiệu ứng nhiệt điện cho mục đích phát điện vẫn là một thách thức cho các nhà 
khoa học và nghiên cứu công nghệ. Trên thế giới, các nƣớc tiên tiến tập trung nguồn 
lực khoa học và công nghệ rất lớn cho việc nghiên cứu vật liệu và tính chất nhiệt 
điện. 
 Đại lƣợng đặc trƣng cho hiệu suất của vật liệu chuyển hóa năng lƣợng nhiệt 
thành năng lƣợng điện là hệ số phẩm chất (figure of merit), Z. Vật liệu có khả năng 
ứng dụng trong thực tế phải có ZT >1 và hoạt động ổn định trong vùng nhiệt độ làm 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 9 - 
việc. Các vật liệu có hệ số phẩm chất đáp ứng yêu cầu thực tế là Bi
2
Te
3
 đƣợc dùng 
làm các phần tử làm lạnh trong những ứng dụng từ rất sớm. Tuy nhiên, vùng làm 
việc của các vật liệu sử dụng hiệu ứng Peltier là thấp, không đáp ứng yêu cầu cho 
các thiết bị phát điện. Việc tìm kiếm các vật liệu có ZT lớn, vùng làm việc ở nhiệt 
độ cao đang là đối tƣợng nghiên cứu của các nhà khoa học và công nghệ hiện nay. 
 Để có đƣợc giá trị ZT cao đòi hỏi vật liệu phải có hệ số Seebeck (α hay S) 
cao, độ dẫn điện (σ) lớn đồng thời độ dẫn nhiệt (κ) phải nhỏ. Trong thời gian gần 
đây, ngƣời ta coi hệ vật liệu bán dẫn có cấu trúc perovskite dạng ABO
3
 biến thể là 
loại vật liệu tiềm năng, có thể tạo ra các tính chất nhiệt điện vƣợt trội cho mục đích 
phát điện ở vùng nhiệt độ cao. 
 Việc ứng dụng vật liệu nhiệt điện cho mục đích phát điện thƣờng hoạt động 
ở vùng nhiệt độ cao. Do vậy, yêu cầu nghiên cứu tính chất nhiệt điện của vật liệu ở 
vùng nhiệt độ cao là cần thiết. Trong các nghiên cứu tính chất nhiệt điện của vật 
liệu ở vùng nhiệt độ cao (từ nhiệt độ phòng lên đến 1000
0
C) có những vấn đề khó 
khăn về mặt kĩ thuật thực hiện. Vì lý do đó, chúng tôi đã đặt mục tiêu xây dựng và 
thực hiện phƣơng pháp nghiên cứu tính chất nhiệt điện ở vùng nhiệt độ cao, đặc biệt 
là vật liệu gốm bán dẫn. 
 Nội dung của phƣơng pháp nghiên cứu tính chất nhiệt điện của vật liệu ở 
vùng nhiệt độ cao bao gồm: đo tính chất cơ bản nhiệt điện (độ dẫn điện, hệ số 
Seebeck, thông số công suất), nghiên cứu tính chất nhiệt điện theo quan điểm tán xạ 
hạt tải trong vật liệu. Nội dung của luận văn bao gồm: danh mục bảng và hình ảnh, 
phần mở đầu, ba chƣơng, kết luận và tài liệu tham khảo. 
 Chƣơng 1: Tổng quan tính chất và vật liệu nhiệt điện 
 Đƣa ra khái niệm về hiện tƣợng nhiệt điện, các hiệu ứng nhiệt điện xảy ra 
trong vật liệu và tính chất nhiệt điện cơ bản. Giới thiệu những vật liệu nhiệt điện 
kinh điển đƣợc sử dụng, vật liệu perovskite ABO
3
 nhiệt điện đƣợc quan tâm và 
nghiên cứu hiện nay. 
Chƣơng 2: Phƣơng pháp, kĩ thuật nghiên cứu 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương 
 - 10 -  
Đƣa ra phƣơng pháp, kĩ thuật đo riêng biệt về độ dẫn điện và hệ số Seebeck 
của vật liệu. Từ đó, tìm ra phƣơng pháp đo đồng thời hai hệ số này trên cùng một 
mẫu và trong vùng nhiệt độ cao. 
 Để đánh giá hoạt động của hệ, chúng tôi tiến hành đo trên các mẫu dạng gốm 
pervoskite CaMnO
3 
có và không pha tạp. Các kết quả đƣợc so sánh với những công 
bố trƣớc đây của các tác giả nƣớc ngoài trên hệ vật liệu tƣơng tự. 
Chƣơng 3: Kết quả và thảo luận 
 Các mẫu Ca
1-x
Y
x
MnO
3
 với x=0, 0.1, 0.3, 0.5 chế tạo bằng phƣơng pháp phản 
ứng pha rắn đƣợc nghiên cứu cấu trúc tinh thể và thành phần pha bằng nhiễu xạ tia 
X (XDR). Các tính chất nhiệt điện đƣợc nghiên cứu trên hệ đo đƣợc chúng tôi xây 
dựng. Đặc trƣng tính chất nhiệt điện của các mẫu nghiên cứu đƣợc lý giải dựa trên 
quan điểm tán xạ hạt tải trong bán dẫn. 
 Cuối cùng là phần kết luận và tài liệu tham khảo.       
        Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 11 -  
CHƢƠNG 1 
TỔNG QUAN VỀ HIỆN TƢỢNG, TÍNH CHẤT VÀ VẬT LIỆU NHIỆT ĐIỆN 
1.1. Hiện tƣợng và hiệu ứng nhiệt điện  
Hiên tƣợng nhiệt điện là sự chuyển đổi trực tiếp năng luợng nhiệt thành 
năng lƣợng điện và ngƣợc lại. Hiện tƣợng này có thể đƣợc sử dụng để tạo ra điện, 
đo nhiệt độ hay làm thay đổi nhiệt độ của một vật. 
 Có ba hiệu ứng nhiệt điện đƣợc biết đến là: hiệu ứng Seebeck, hiệu ứng 
Peltier và hiệu ứng Thomson. 
1.1.1. Hiệu ứng Seebeck 
 Hiệu ứng Seebeck là sự chuyển hóa chênh lệch 
nhiệt độ thành điện thế, và đƣợc đặt theo tên nhà vật lý 
ngƣời Đức, Thomas Seebeck, phát hiện vào năm 1821. 
Ông phát hiện ra rằng kim la bàn sẽ bị lệch hƣớng khi 
đặt cạnh một mạch kín đƣợc tạo bởi hai kim loại nối 
với nhau, có sự chênh lệch nhiệt độ giữa hai mối hàn. 
Điều này là do các kim loại phản ứng khác nhau với sự 
chênh lệch nhiệt độ, tạo ra dòng điện và một điện 
trƣờng. Tuy nhiên, ông không nhận ra sự có mặt của dòng điện. Điều khiếm khuyết 
này đƣợc nhà vật lý ngƣời Đan Mạch Hans Christian Orsted chỉ ra và đặt ra khái 
niệm “nhiệt điện”. Điện thế tạo ra bởi hiệu ứng này cỡ µV/K. Ví dụ cặp đồng- 
constant có hệ số Seebeck bằng 41µV/K ở nhiệt độ phòng. 
 Điện thế V tạo ra có thể tính theo công thức: 
2
1
( ( ) ( ))
T
BA
T
V S T S T dT
 (1.1) 
Trong đó: S
A
, S
B
 là hệ số Seebeck của kim loại A, B và là một hàm của nhiệt 
độ; T
1
, T
2
 là nhiệt độ của hai mối hàn. Hệ số Seebeck không phải là một hàm tuyến 
tính theo nhiệt độ, nó phụ thuộc vào nhiệt độ tuyệt đối của vật dẫn, vật liệu. Nếu hệ 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 12 - 
số Seebeck không thay đổi trong dải nhiệt độ đo, công thức (1.1) có thể viết lại gần 
đúng nhƣ sau: 
21
( ) ( )
BA
V S S T T
 (1.2) 
 Hiệu ứng Seebeck đƣợc sử dụng trong cặp nhiệt điện để đo nhiệt độ. Cặp 
nhiệt điện mắc nối tiếp tạo thành pin nhiệt điện do điện thế của từng cặp nhiệt điện 
là rất nhỏ. 
1.1.2. Hiệu ứng Peltier 
 Hiệu ứng Peltier là nhiệt tỏa ra hoặc thu vào ở mối nối giữa hai vật khác 
nhau khi có dòng điện chạy qua, và đƣợc đặt theo 
tên của nhà vật lý ngƣời Pháp, Jean Charles Peltier, 
ngƣời đã phát hiện ra hiện tƣợng này vào năm 
1834. 
 Khi có một dòng điện đi qua mối nối giữa 
hai kim loại A và B, sẽ có nhiệt tỏa ra hoặc thu vào ở mối nối. Nhiệt lƣợng Peltier 
Q
 tỏa ra bởi chỗ nhiệt độ T
1
 trong một đơn vị thời gian là: 
()
AB B A
Q I I
 (1.3) 
Trong đó, 
AB
 là hệ số Peltier của cặp kết hợp giữa A và B; 
A
, 
B
 là hệ số Peltier 
của vật A và B. 
 Các phần tử nhiệt điện ứng dụng hiệu ứng này làm bộ phận làm mát cho các 
thiết bị chuyên dụng và dân dụng. 
1.1.3. Hiệu ứng Thomsom 
 Hiệu ứng Thomson đƣợc phát hiện ra bởi Lord 
Kelvin vào năm 1851. Nếu trong một vật dẫn đồng nhất 
có gradient nhiệt độ, khi có dòng điện chạy qua vật dẫn sẽ 
có nhiệt lƣợng nhiều hơn hay ít hơn so với nhiệt lƣợng tỏa 
ra theo định luật Joule – Lenxor. 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 13 - 
 Nếu có dòng điện J đi qua vật dẫn đồng nhất có tính đến hiệu ứng Thomson, 
nhiệt lƣợng Q tỏa ra trên một đơn vị thể tích là: 
2
dT
Q J J
dx
 (1.4) 
Trong đó: ρ là điện trở suất của vật dẫn, dT/dx là sự biến thiên nhiệt độ dọc 
theo vật dẫn và μ là hệ số Thomson. Số hạng đầu tiên trong biểu thức (1.4) là nhiệt 
lƣợng Joule. Số hạng thứ hai của (1.4) là nhiệt lƣợng Thomson, phụ thuộc vào chiều 
của dòng điện J. 
 Hệ số Thomson đƣợc xác định nhƣ sau: 
0
lim
T
Q
IT
 (1.5) 
 * Mối liên hệ giữa các hệ số nhiệt điện 
 Năm 1854, Lord Kelvin đã tìm ra mối liên hệ giữa ba hệ số này. Biểu thức 
Thomson thứ nhất nhƣ sau: 
dS
T
dT
 (1.6) 
 Trong đó: T là nhiệt độ tuyệt đối, μ là hệ số Thomson, S là hệ số Seebeck. 
 Biểu thức Thomson thứ hai có dạng sau: 
.ST
 (1.7) 
1.2. Các tính chất nhiệt điện cơ bản 
 1.2.1. Độ dẫn điện (σ) 
Sự dẫn điện có thể mô tả bằng định luật Ohm, rằng dòng điện tỷ lệ với điện 
trƣờng tƣơng ứng, và tham số tỷ lệ chính là độ dẫn điện.  
.
e
JE
 (1.8) 
Với J
e
 là mật độ dòng điện, E là cƣờng độ điện trƣờng và σ là độ dẫn điện. 
Độ dẫn điện là nghịch đảo của điện trở suất, ρ:  
1
 (1.9) 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 14 - 
 Trong hệ SI, σ có đơn vị chuẩn là S/m (Siemens trên mét), ngoài ra các đơn 
vị biến đổi khác nhƣ S/cm, 1/ Ωm. 
 Đối với vật liệu có tính chất nhiệt điện, độ dẫn điện sẽ có những đặc tính 
khác so với các vật liệu dẫn điện kim loại hay bán dẫn thông thƣờng. 
 1.2.2. Hệ số dẫn nhiệt (κ) 
 Dẫn nhiệt là sự truyền nhiệt giữa các phần tử lân cận trong một chất do sự 
chênh lệch nhiệt độ. Dẫn nhiệt diễn ra trong tất cả các dạng vật chất nhƣ rắn, lỏng, 
khí và plasma. 
 Mối quan hệ giữa vector dòng nhiệt J
Q
 với vector gradient nhiệt độ, có biểu 
thức nhƣ sau:  
Q
JT
 (1.10) 
Dạng vô hƣớng là : 
Q
JT
 (1.11) 
Dấu (-) thể hiện hai vector ngƣợc chiều nhau. 
 Khi biết trƣờng nhiệt độ T(x, y, z, τ) có thể tính đƣợc công suất nhiệt Q (W) 
dẫn qua mặt S (m
2
) trong thời gian τ (s) nhƣ sau:  
S
Q TdS
 (1.12) 
 Và lƣợng nhiệt Q
τ
 dẫn qua mặt S sau khoảng thời gian τ (s) tính theo công 
thức  
0 S
Q TdSd
 (1.13) 
 Hệ số dẫn nhiệt κ là hệ số , có biểu thức tính nhƣ sau:  
Q
J
T
[W/mK] (1.14) 
 Trong đó, J
Q
 là dòng nhiệt ở trạng thái cân bằng. 
 Hệ số dẫn nhiệt của một vật dẫn rắn bao gồm: dẫn nhiệt do điện tử và dẫn 
nhiệt do mạng tinh thể, có dạng: κ = κ
e
 + κ
latt
, với κ
e
, κ
latt
 tƣơng ứng là độ dẫn nhiệt 
của điện tử và độ dẫn nhiệt của mạng tinh thể. Trong các vật liệu dẫn điện theo cơ 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 15 - 
chế điện tử thì khi tăng độ dẫn điện sẽ làm tăng độ dẫn nhiệt của điện tử, do đó hệ 
số phẩm chất Z sẽ không tăng lên đƣợc. 
 Để làm giảm độ dẫn nhiệt của mạng tinh thể, ngƣời ta thƣờng tạo ra vật liệu 
có cấu trúc giam giữ phonon (phonon blocking). Các vật liệu loại này thƣờng có 
dạng lớp (layer) hoặc dạng siêu cấu trúc (superlattice). 
 1.2.3. Hệ số Seebeck (S) 
 Thế nhiệt điện động xuất hiện trong hiệu ứng nhiệt điện có thể biểu diễn 
thông qua biểu thức (1.15) dƣới đây.  
12
S(T T )
 (1.15) 
hay 
2
1
()
Sd
 (1.16) 
Với 
T
()
dV
S
dT
 là thế nhiệt điện động riêng hay còn đƣợc gọi là hệ số Seebeck. Hệ 
số Seebeck, kí hiệu là S hoặc α của một vật liệu đo độ lớn của điện thế tạo ra khi có 
sự chênh lệch nhiệt độ, có đơn vị là V/K. Trong nhiều trƣờng hợp hay dùng đơn vị 
μV/K. Sự thay đổi thế nhiệt động ΔV tƣơng ứng với sự thay đổi nhỏ của nhiệt độ 
ΔT đƣợc gọi là hệ số Seebeck vi sai 
V
S
T
 (1.17) 
Độ lớn của S phụ thuộc vào bản chất của vật liệu và nhiệt độ chênh lệch 
giữa hai đầu vật liệu, tức là ứng với các vật liệu khác nhau các giá trị của thế nhiệt 
điện động (S) sẽ khác nhau. Thế nhiệt điện động đƣợc lý giải định tính nhƣ sau [4]: 
 Một là, sự xuất hiện của dòng hạt tải có hƣớng trong lòng vật liệu khi có sự 
chênh lệch gradient nhiệt độ. Dòng hạt tải dịch chuyển từ đầu nóng có năng 
lƣợng lớn hơn tới đầu lạnh hình thành nên thế nhiệt điện động thể tích. Hệ số 
Seebeck tƣơng ứng với loại thế nhiệt điện động này là S
V
. 
 Hai là do sự thay đổi vị trí mức Fermi theo nhiệt độ. Theo chiều tăng của 
nhiệt độ, có sự giảm mức Fermi. Ở đầu lạnh mức Fermi cao hơn ở đầu nóng, 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ 
   Lê Thị Thu Hương  
- 16 - 
Nguồn nhiệt T
2 
V 
n 
p 
Nguồn nhiệt T
1 
Dòng nhiệt 
Q 
I 
Dòng điện 
L, A (2) 
dẫn tới nồng độ điện tử linh động ở đây lớn hơn ở đầu lạnh. Thế nhiệt động 
hình thành từ nguyên nhân này là thế nhiệt động tiếp xúc, hệ số Seebeck 
đƣợc kí hiệu là S
k
. 
 Nguyên nhân thứ ba: sự kích thích hạt tải điện bởi các phonon nhiệt. Khi tồn 
tại gradient nhiệt độ hiện tƣợng trôi các phonon nhiệt từ đầu nóng sang đầu 
lạnh xuất hiện. Xác suất tán xạ của các điện tử trên các phonon tăng, cuốn 
theo sự dịch chuyển của các hạt tải điện với vận tốc bằng vận tốc dịch 
chuyển của các phonon. Hệ số Seebeck của hệ ở nhiệt độ thấp do tác dụng 
của phonon nhiệt S
P
 hàng chục, cho tới hàng trăm lần lớn hơn S
v
 và S
k
. 
Hệ số Seebeck tổng cộng đƣợc xác định qua biểu thức: 
S = S
V
 + S
k
 + S
P
 (1.18) 
 1.2.4. Hệ số phẩm chất của vật liệu nhiệt điện 
Nguồn phát nhiệt điện có thể chuyển hóa năng lƣợng nhiệt thành năng lƣợng 
điện, và bởi vậy đòi hỏi nguồn phải có hiệu suất chuyển đổi cao nhất có thể thực 
hiện đƣợc. Để thấy điều này có liên hệ thế nào với các thông số vật liệu, thử xem 
xét sự làm lạnh nhiệt điện đơn giản nhƣ minh họa trong hình 1.1 dƣới đây.          
 Hình 1.1: Sơ đồ đơn giản của máy làm lạnh nhiệt điện 
 Thiết bị gồm bán dẫn loại n và bán dẫn loại p, nhƣng thƣờng hai vật liệu bất 
kỳ với hệ số Seebeck khác nhau là đƣợc. Hai nhánh đƣợc nối với một phần làm lạnh 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ 
   Lê Thị Thu Hương  
- 17 - 
bằng kim loại ở nguồn nhiệt. Dòng nhiệt Q
n
 và Q
p
 đi ra từ hai nhánh ở phần làm 
lạnh đƣợc đƣa ra bằng cách cộng các mật độ dòng nhiệt và trừ đi phần đóng góp của 
nhiệt lƣợng Joule- Lenz ở các nhánh tƣơng ứng là  
2
1 1 2
1
()
2
n n n n
Q S IT I R T T
 (1.19)  
2
1 1 2
1
()
2
p p p p
Q S IT I R T T
 (1.20) 
 Trong đó, nhiệt lƣợng Peltier Q
1
= -πT= -S.I.T sẽ đƣợc quan tâm ở mối nóng, 
một phần nhiệt lƣợng Jun Q
2
= -1/2I
2
R đƣợc sinh ra trong các nhánh sẽ đi tới mối 
nóng, và nhiệt lƣợng Q
3
= -κ∆T sẽ ra xa mối nóng bởi quá trình dẫn nhiệt. Ở đây, κ
n 
(hay κ
p
) và R
n
 (hay R
p
) tƣơng ứng biểu thị độ dẫn nhiệt và điện trở của hai nhánh. 
Chú ý rằng S
n
 là âm, và do vậy dòng nhiệt sinh ra bởi dòng điện đƣợc truyền từ 
nguồn vào cả hai nhánh. Dòng nhiệt lƣợng tổng cộng tỏa ra từ nguồn là  
2
1 1 2
1
( ) ( )
2
total p n
Q S S IT T T I R
 (1.22) 
 Trong đó, ta biểu diễn song song, tổng dẫn nhiệt bởi λ và tổng hệ điện trở bởi 
R. Dòng trong mạch bây giờ có thể đƣợc điều chỉnh để có đƣợc tối đa giá trị nhiệt 
lƣợng làm mát lớn nhất, đó là  
2
2
max 1 1 2
1
()
2
pn
S
Q T T T
R
 (1.23) 
 Sự chênh lệch nhiệt độ giữa nguồn và bề mặt có thể đạt đƣợc là  
2
22
1 2 max 1 1
11
()
22
pn
pn
S
T T T Z T
R
 (1.24) 
Trong đó, ta định nghĩa hệ số phẩm chất Z
pn
, đối với cặp nhiệt điện và chú ý 
rằng hiệu suất của nguồn lạnh bị điều chỉnh bởi thông số này. Để hiệu suất cao nhất, 
ta có hiệu giữa các nguồn nhiệt của các nhánh là lớn và tích κR nhỏ. Tích này phụ 
thuộc vào các kích thƣớc (L là chiều dài và A là tiết diện ngang) của các nhánh. Nếu 
ta viết nó dƣới dạng các độ dẫn nhiệt và điện trở suất là 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 18 -  
pp
nn
p n p n
p n p n
p n n p
p p n n p n n p
n p p n
AL
AL
R
L L A A
A L A L
A L A L
 (1.25) 
 Và giảm thiểu tối đa đối với một trong các tỉ số, 
pn
np
LA
LA
 , ta thấy rằng giá trị 
tối thiểu đƣợc cho bởi  
2
min
p p n n
R
 (1.26) 
 Do đó, hệ số phẩm chất chỉ phụ thuộc các thông số vật liệu  
2
2
pn
pn
p p n n
S
Z
 (1.27) 
 Hệ số phẩm chất nhiệt điện đặc trƣng cho vật liệu đƣợc định nghĩa nhƣ sau:  
22
T
SS
Z
 (1.28) 
 Trong đó: S, κ, ρ và σ tƣơng ứng là hệ số Seebeck, độ dẫn nhiệt, điện trở suất 
và độ dẫn điện của vật liệu.            
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 19 - 
Hình 1.2: Mô hình cho mục đích phát điện, sử dụng hiệu ứng Seebeck 
 Hình 1.3: Mô hình cho mục đích làm lạnh, sử dụng hiệu ứng Peltier 
* Mô hình phẩn tử nhiệt điện cho việc ứng dụng         
                    Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 20 -  
1.3. Các loại vật liệu nhiệt điện 
 Vật liệu nhiệt điện cho ứng dụng làm cặp nhiệt điện chủ yếu là kim loại, có 
hệ số Seebeck và hoạt động ở những vùng nhiệt độ khác nhau. 
 Vật liệu cho việc chuyển hóa năng lƣợng nhiệt thành năng lƣợng điện chủ 
yếu là các hợp kim bán dẫn, đòi hỏi có ZT ≈1. Thời gian gần đây, các hệ oxit chứa 
Coban (Co) cũng cho ZT>1 và có độ dẫn nhiệt thấp. Hệ vật liệu pervoskite và các 
biến thể của nó cũng là những ứng cử viên trong nghiên cứu và tìm kiếm vật liệu có 
hệ số phẩm chất ZT cao, hoạt động ở vùng nhiệt độ cao.  
1.3.1. Vật liệu nhiệt điện kinh điển 
 Vật liệu nhiệt điện cho đến giờ đƣợc sử dụng cho ứng dụng thực tế là Bi
2
Te
3
, 
PbTe và Si
1-x
Ge
x
. Bi
2
Te
3
 cho hiệu suất cao nhất ở nhiệt độ phòng và đƣợc sử dụng 
cho các ứng làm lạnh nhƣ phần tử làm lạnh Peltier. PbTe cho hiệu suất cao nhất ở 
500-600K, và Si
1-x
Ge
x
 cao nhất gần 1000K. 
 Bismuth telluride (Bi
2
Te
3
) đƣợc biết bởi hệ số Seebeck cao ( 200 V/K), độ 
dẫn điện lớn ( 1000 1/ cm), độ dẫn nhiệt thấp (κ 1.5 W/mK) và ZT 1 ở nhiệt 
độ phòng. Ở nhiệt độ cao, hệ số Seebeck giảm và do đó ZT giảm mạnh. 
PbTe đã đƣợc tìm thấy có tính chất nhiệt điện tốt ở dải nhiệt độ từ 300-700K. 
Hệ số Seebeck đạt giá trị lớn nhất ( 220 V/K) với x= 0.15 ở 300K (ở nhiệt độ 
phòng). 
 Các hợp kim SiGe là những vật liệu phù hợp nhất cho phát điện nhiệt điện. 
Việc thêm Ge vào Si để tăng giá trị ZT, chủ yếu là do tăng tán xạ phonon liên quan 
đến sự phân bố ngẫu nhiên nguyên tử Si, Ge trong hợp kim. Với Si
0.7
Ge
0.3
, giá trị 
chính xác của mức pha tạp tối ƣu khác nhau một chút với thành phần và nhiệt độ, 
nhƣng luôn nằm trong khoảng từ 1 đến 3 x 10
20
 cm
-3
 cho SiGe loại n, và khoảng từ 
2 đến 4x 10
20
 cm
-3
 cho SiGe loại p.   
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 21 - 
1.3.2. Vật liệu perovskite ABO
3 
1.3.2.1 Cấu trúc tinh thể của vật liệu perovskite 
Trong phạm vi nghiên cứu vật liệu perovskite có hiệu ứng từ trở, từ nhiệt, 
nhiệt điện lớn, bao gồm một số lớn các hợp chất vô cơ có công thức tổng quát dạng 
ABO
3
, với A là các cation của các nguyên tố đất hiếm hay kim loại kiềm thổ (Y, La, 
Nd, Sm, Ca, Ba, ), B là cation của các nguyên tố kim loại chuyển tiếp (Mn, Co, 
Fe ). Trƣờng hợp chung, bán kính của cation A lớn hơn bán kính của cation B. 
Cấu trúc perovskite ABO
3
 lý tƣởng có dạng lập phƣơng (hình 1.4a), với các 
thông số của ô mạng cơ sở thỏa mãn: a=b=c và α = β = γ = 90
0
. Cation A nằm tại 
các đỉnh, anion O
2-
 nằm tại vị trí tâm của các mặt của hình lập phƣơng, còn tâm 
hình lập phƣơng là vị trí của cation B.       
   Vị trí cation A  
 Vị trí anion O
2-   
 Vị trí cation B 
Hình 1.4: Cấu trúc của tinh thể perovskite lý tƣởng 
Ngoài ra, có thể mô tả cấu trúc tinh thể perovskite lý tƣởng dƣới dạng sắp 
xếp các bát diện tạo bởi các anion ôxy (hình 1.4b). Trong trƣờng hợp này cation B 
nằm tại vị trí các hốc bát diện, tâm của hình lập phƣơng tạo bởi 8 cation B lân cận là 
vị trí của cation A. Từ hình 1.4b có thể thấy góc liên kết giữa B - O - B là 180
0
 và 
độ dài liên kết B - O bằng nhau theo mọi phƣơng. Dƣới tác dụng của các điều kiện 
bên ngoài nhƣ nhiệt độ, tạp chất, từ trƣờng, áp suất cấu trúc perovskite lý tƣởng sẽ 
bị biến dạng. Cấu trúc perovskite không còn dạng lập phƣơng lý tƣởng dẫn tới góc 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 22 - 
liên kết B - O - B là khác 180
0
, đồng thời độ dài liên kết B - O theo các phƣơng 
khác nhau sẽ khác nhau. Chính sự thay đổi cấu trúc mạng tinh thể perovskite mà các 
tính chất đối xứng, tính chất điện và từ của vật liệu bị thay đổi. Đặc biệt khi có sự 
pha tạp với các nồng độ khác nhau, có thể tìm thấy nhiều hiệu ứng lý thú, hứa hẹn 
ứng dụng rộng rãi trong cuộc sống trong một tƣơng lai không xa. 
1.3.2.2. Tính chất nhiệt điện của gốm perovskite ABO
3 
a) Tính dẫn điện của vật liệu 
Tính chất điện là một trong những tính chất quan trọng của chất bán dẫn. Do 
đó, có nhiều mô hình lý thuyết đƣợc xây dựng để giải thích cơ chế dẫn điện của chất 
bán dẫn. Trong đó, có ba mô hình tiêu biểu đƣợc xét đến, bao gồm: mô hình khe 
năng lƣợng, mô hình polaron nhỏ và mô hình khoảng nhảy biến thiên. 
i) Mô hình polaron 
Trong bán dẫn, khi khảo sát các tính chất của vật liệu, ta thƣờng bỏ qua sự 
méo mạng do điện tử gây ra. Điều này không đúng đối với mạng tinh thể ion, khi đó 
điển tử ở trong các bẫy sâu và để điện tử thoát ra khỏi các tâm này cần một năng 
lƣợng khá lớn. Trong các tinh thể này, điện tử (hoặc lỗ trống) bị giam bởi các ion 
xung quanh hình thành đám mây phân cực, nhƣ vậy hạt tải đƣợc coi nhƣ tự định xứ 
trong đó. Từ hiện tƣợng này, năm 1933 Landau đã đƣa ra mô hình polaron và mô 
hình này đƣợc nghiên cứu cụ thể bởi Mott và Gurney. Polaron là vùng không gian 
xung quanh điện tử ở vùng dẫn bị phân cực hoàn toàn. Kích thƣớc một polaron 
đƣợc đặc trƣng bởi số ion lân cận có tƣơng quan, và đƣợc kí hiệu là r
p
. Polaron điện 
đƣợc hình thành do tƣơng tác tĩnh điện của điện tử với các ion xung quanh. 
+ nếu bán kính polaron r
p
lớn hơn hằng số mạng, thì polaron đƣợc gọi là 
polaron lớn. Khi đó, khối lƣợng hiệu dụng m
*
 không lớn. 
+ Nếu bán kính polaron r
p
 nhỏ hơn hằng số mạng, thì polaron đƣợc gọi là 
polaron nhỏ. Rõ ràng, khi đó khối lƣợng hiệu dụng của điện tử nhỏ hơn rất nhiều 
khối lƣợng tĩnh. 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 23 - 
Ở nhiệt độ thấp, polaron chuyển động trong mạng tinh thế nhƣ một hạt nặng, 
bị tán xạ bởi các tạp và các phonon; hơn nữa nếu nồng độ polaron lớn có thể hình 
thành trạng thái suy biến. Khối lƣợng hiệu dụng ảnh hƣởng lớn đến quá trình 
chuyển động của polaron. Những ion ở bên ngoài bán kính r
p
 chuyển động nhiệt với 
vận tốc tỷ lệ với vận tốc của polaron, còn bên trong bán kính r
p
 các ion lại không 
chuyển động theo vận tốc của điện tử. 
ii) Mô hình khoảng nhảy biến thiên của Mott 
Trong không gian thực, các trạng thái định xứ là tƣơng đối, do đó các điện tử 
có thể nhảy từ vị trí này sang vị trí khác. Thực tế tồn tại ba cơ chế dẫn chủ yếu sau: 
+ Do kích thích nhiệt, điện tử nhảy lên các trạng thái trên bờ linh động. Cơ 
chế này dựa trên mô hình khe năng lƣợng (band- gap). Trong đó, sự phụ thuộc của 
điện trở suất vào nhiệt độ có dạng 
exp
a
E
kT
 hay 
0
exp
CF
EE
kT
 (1.29) 
Trong đó: 
2
0
Ce
a
 là độ dẫn trên bờ linh động. 
+ Do kích thích nhiệt, điện tử nhảy sang trạng thái định xứ ở trên mức Fermi. 
Quá trình này thƣờng dùng để giải thích độ dẫn tạp trong các bán dẫn pha tạp, ở đó 
điện tử gần nhƣ chuyển động tự do. Quá trình này đƣợc gọi là mô hình bƣớc nhảy 
lân cận gần nhất (NNH). Trong mô hình này, điện trở suất phụ thuộc nhiệt độ dƣới 
dạng: 
0
exp
W
T
kT
 (1.30) 
 Mô hình này chiếm ƣu thế khi các trạng thái định xứ mạnh. 
 + Trong các chất bán dẫn mà ở đó sự bất trật tự không quá lớn, tại nhiệt độ 
thấp, sự nhảy của điện tử không thể xảy ra giữa các trạng thái không gian gần nhất, 
nhƣng có khả năng nhảy tới các trạng thái xa hơn với năng lƣợng gần với trạng thái 
ban đầu để năng lƣợng phonon hấp thụ cần thiết cho quá trình nhảy nhỏ hơn. Mô 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ 
   Lê Thị Thu Hương  
- 24 - 
hình này gọi là mô hình khoảng nhảy biến thiên. Sự phụ thuộc của điện trở suất vào 
nhiệt độ có dạng: 
1/4
0
exp
T
T
T
 (1.31) 
Trong đó: ρ
∞
 phụ thuộc vào nồng độ phonon, do quá trình nhảy có sự tham 
gia của phonon. T
0
 là nhiệt độ đặc trƣng, phụ thuộc vào chiều dài định xứ của điện 
tử 1/α và mật độ trạng thái N(E) theo biểu thức dƣới đây: 
3
0
18
kT
NE
 (1.32) 
1.3.2.2. Tính chất nhiệt điện của vật liệu ABO
3 
Một số họ vật liệu ABO
3
 có tính chất nhiệt điện tốt, triển vọng cho mục đích 
phát điện. Thông thƣờng là họ pervoskite biến thể bằng cách pha tạp các nguyên tố 
đất hiếm. Chúng tạo ra một họ bán dẫn oxit dẫn điện tốt, hệ số nhiệt động (hệ số 
Seebeck) cao. Mặc dù đã có nhiều các nghiên cứu về tính chất điện cũng nhƣ tính 
chất từ, nhƣng những nghiên cứu về tính chất nhiệt điện và ứng dụng của loại vật 
liệu này còn ít. 
Trong một số loại ôxit ABO
3
 loại n nhƣ SrTiO
3
, BaPbO
3
 và CaMnO
3
, hệ 
CaMnO
3
 hứa hẹn cho hệ số phẩm chất cao ở nhiệt độ cao. Trong CaMnO
3
 và các 
vật liệu liên quan, có nhiều báo cáo về tính chất điện và tính chất từ, nhƣng hầu hết 
những kết quả này xét ở nhiệt độ phòng và nhiệt độ thấp. Đối với họ CaMnO
3
, 
Ohtaki và các đồng nghiệp đã báo cáo tính chất điện và hiệu suất nhiệt điện của hệ 
Ca
0.9
M
0.1
MnO
3
 (với M là Y, La, Ce, Sm, In, Sn, Sb, Pb, Bi). Từ những số liệu đo 
đạc, Ohtaki đã tính đƣợc hệ số phẩm chất, Z của các mẫu từ 0.7 - 0.75 x10
-4
 trong 
dải nhiệt độ rộng từ 873- 1173K.     
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 25 -             
                200 400 600 800 1000 1200
0.2
0.4
0.6
0.8
T / K
Z x 10
-3
 / K
-1  
n-type oxides:
 Sr
0.9
Dy
0.1
TiO
3
 Ba
0.4
Sr
0.6
PbO
3
 Ca
0.9
Tb
0.1
MnO
2.98
 Ca
0.9
Ho
0.1
MnO
2.98
 Ca
0.9
Y
0.1
MnO
2.97
 Ca
0.9
Bi
0.1
MnO
3-z
p-type oxides:
 NaCo
2
O
4
 Na(Co
0.95
Cu
0.05
)
2
O
4
 Na
0.46
CoO
2
 Ca
2.5
Bi
0.5
Co
4
O
9+
Hình 1.5: Sự phụ thuộc nhiệt độ của hệ số phẩm chất, Z của 
Sr
0.9
Dy
0.1
TiO
3
, Ba
0.4
Sr
0.6
PbO
3
, Ca
0.9
R
0.1
MnO
3-z
 (R= Tb, Ho, Y) 
Trường Đại học Khoa học tự nhiên Luận văn Thạc sĩ   
 Lê Thị Thu Hương  
- 26 - 
CHƢƠNG 2 
PHƢƠNG PHÁP, KĨ THUẬT NGHIÊN CỨU 
2.1. Phƣơng pháp, kĩ thuật nghiên cứu tính chất nhiệt điện 
 Ngoài nghiên cứu cấu trúc tinh thể của vật liệu, đối với vật liệu nhiệt điện để 
đánh giá hiệu suất sử dụng, ngƣời ta thƣờng quan tâm tới hệ số phẩm chất của vật 
liệu, Z có công thức nhƣ sau: 
22
SS
Z
 (2.1) 
Trong công thức (2.1), ta thấy Z liên quan đến hệ số Seebeck (S), độ dẫn 
điện (σ) và độ dẫn nhiệt (κ). Do vậy, chúng ta cần phải đo đạc ba thông số cơ bản 
này. 
2.1.1. Phương pháp đo độ dẫn điện (σ) 
2.1.1.1 Phương pháp đo  
Thông thƣờng, muốn xác định điện trở của một vật, ta thƣờng xác định giá trị 
hiệu điện thế giữa hai điểm khác nhau khi có dòng điện đi qua vật đó. Khi đó, điện 
trở sẽ đƣợc xác định theo công thức định luật Ohm. 
V
R
I
 (2.2) 
 Nếu vật dẫn là đồng nhất, có chiều dài l, tiết diện ngang s và điện trở suất ρ 
thì điện trở của vật dẫn đó đƣợc xác định nhƣ sau: 
l
R
s
 (2.3) 
Độ dẫn điện đƣợc tính theo công thức: 
1
 (2.4) 
 Tuy nhiên, nếu vật dẫn là không đồng nhất, không có dạng hình học nhất 
định, sự phân bố mật độ dòng khác nhau trong vật dẫn thì việc xác định giá trị điện 
trở suất là khó khăn. Chúng ta có nhiều phƣơng pháp để xác định điện trở nhƣ: