cảm biến và thiết bị chấp hành phần 2 ppsx
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (258.15 KB, 10 trang )
?
?
C
C
ô
ô
ng
ng
t
t
ắ
ắ
c
c
gi
gi
ớ
ớ
i
i
h
h
ạ
ạ
n
n
h
h
à
à
nh
nh
tr
tr
ì
ì
nh
nh
.
.
)
)
C
C
á
á
c
c
kí
kí
hi
hi
ệ
ệ
u
u
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
)
)
Nguy
Nguy
ê
ê
n
n
lý
lý
l
l
m
m
vi
vi
ệ
ệ
c
c
)
)
Ki
Ki
ể
ể
u
u
t
t
á
á
c
c
đ
đ
ộ
ộ
ng
ng
t
t
ứ
ứ
c
c
thời
thời
)
)
Ki
Ki
ể
ể
u
u
t
t
á
á
c
c
đ
đ
ộ
ộ
ng
ng
có
có
trễ
trễ
)
)
B
B
ố
ố
trí
trí
tiếp
tiếp
đ
đ
i
i
ể
ể
m
m
)
)
C
C
á
á
c
c
kí
kí
hi
hi
ệ
ệ
u
u
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
Tiếp điểm thờng hở (NO)
Khi mở
Khi đóng
Tiếp điểm thờng kín (NC)
Khi đóng
Khi mở
3.1. Các cảm biến đóng cắt dạng ON - off
ĐT
)
)
Nguy
Nguy
ê
ê
n
n
lí
lí
l
l
à
à
m
m
vi
vi
ệ
ệ
c
c
Hnh trình nhả
Độ sai lệch giữa hai vị trí
Vị trí nhả
Quãng
đờng
chuyển
động
Vị trí đóng
Quãng đờng dự trữ
phần chấp hnh
phần đầu
phần thân
)
)
Ki
Ki
ể
ể
u
u
t
t
á
á
c
c
đ
đ
ộ
ộ
ng
ng
t
t
ứ
ứ
c
c
thời
thời
Tiếp điểm thờng đóng
Tiếp điểm thờng hở
Trục động
Tiếp điểm tĩnh
Tiếp điểm động
Lò xo phản hồi
Lò xo chốt
Đ
Đ
ặ
ặ
c
c
đ
đ
i
i
ể
ể
m
m
)
)
Khi
Khi
ph
ph
ầ
ầ
n
n
chấp
chấp
h
h
nh
nh
bị
bị
t
t
á
á
c
c
đ
đ
ộ
ộ
ng
ng
,
,
l
l
ò
ò
xo
xo
ch
ch
ố
ố
t
t
s
s
ẽ
ẽ
tr
tr
ữ
ữ
n
n
ă
ă
ng
ng
l
l
ợ
ợ
ng
ng
,
,
đ
đ
ến
ến
vị
vị
trí
trí
đ
đ
óng
óng
l
l
ò
ò
xo
xo
ch
ch
ố
ố
t
t
gi
gi
ả
ả
i
i
phóng
phóng
n
n
ă
ă
ng
ng
l
l
ợ
ợ
ng
ng
)
)
Ki
Ki
Ó
Ó
u
u
t
t
¸
¸
c
c
®
®
é
é
ng
ng
cã
cã
trÔ
trÔ
§
§
Æ
Æ
c
c
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
)
)
TiÕp
TiÕp
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
NO
NO
®
®
ãng
ãng
tr
tr
−í
−í
c
c
,
,
tiÕp
tiÕp
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
NC
NC
bÞ
bÞ
ng
ng
¾
¾
t
t
sau
sau
§ãng tr−íc khi ng¾t Ng¾t tr−íc khi ®ãng
§
§
Æ
Æ
c
c
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
)
)
TiÕp
TiÕp
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
NC
NC
bÞ
bÞ
ng
ng
¾
¾
t
t
tr
tr
−í
−í
c
c
,
,
tiÕp
tiÕp
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
NO
NO
®
®
ãng
ãng
sau
sau
§
§
Æ
Æ
c
c
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
chung
chung
)
)
T
T
¹
¹
o
o
ra
ra
m
m
é
é
t
t
kho
kho
¶
¶
ng
ng
thêi
thêi
gian
gian
trÔ
trÔ
®ñ
®ñ
nh
nh
á
á
gi
gi
÷
÷
a
a
hai
hai
lo
lo
¹
¹
i
i
tiÕp
tiÕp
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
Trôc ®éng
TiÕp ®iÓm ®éng
Lß xo ph¶n håi
TiÕp ®iÓm tÜnh
)
)
B
B
è
è
trÝ
trÝ
tiÕp
tiÕp
®
®
i
i
Ó
Ó
m
m
(SPDT)
(DPDT)
?
?
C
C
ả
ả
m
m
biến
biến
ti
ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
.
.
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
c
c
ả
ả
m
m
(Inductive proximity)
(Inductive proximity)
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
dung (Capacitive proximity)
dung (Capacitive proximity)
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
si
si
ê
ê
u
u
â
â
m (Ultrasonic proximity)
m (Ultrasonic proximity)
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
quang
quang
h
h
ọ
ọ
c
c
(Photoelectric proximity)
(Photoelectric proximity)
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
c
c
ả
ả
m
m
(Inductive proximity)
(Inductive proximity)
&
&
L
L
lo
lo
ạ
ạ
i
i
c
c
ả
ả
m
m
biến
biến
s
s
ử
ử
dụng
dụng
tr
tr
ờng
ờng
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
-
-
từ
từ
để
để
ph
ph
á
á
t
t
hi
hi
ệ
ệ
n
n
đ
đ
ố
ố
i
i
t
t
ợ
ợ
ng
ng
b
b
ằ
ằ
ng
ng
kim
kim
lo
lo
ạ
ạ
i.
i.
&
&
Đ
Đ
i
i
ệ
ệ
n
n
á
á
p
p
l
l
m
m
vi
vi
ệ
ệ
c
c
DC, AC
DC, AC
ho
ho
ặ
ặ
c
c
AC/DC
AC/DC
Ph
Ph
â
â
n
n
lo
lo
ạ
ạ
i:
i:
&
&
Theo
Theo
ch
ch
ứ
ứ
c
c
n
n
ă
ă
ng
ng
đ
đ
ợ
ợ
c
c
chia
chia
ra
ra
l
l
m
m
hai
hai
lo
lo
ạ
ạ
i: PNP (sourcing)
i: PNP (sourcing)
v
v
NPN (sinking)
NPN (sinking)
&
&
N
N
è
è
i
i
d
d
©
©
y
y
cho
cho
lo
lo
¹
¹
i PNP (sourcing):
i PNP (sourcing):
T¶i
PNP transistor
&
&
N
N
è
è
i
i
d
d
©
©
y
y
cho
cho
lo
lo
¹
¹
i NPN (sinking):
i NPN (sinking):
NPN transistor
T¶i
&
&
Theo
Theo
kho
kho
ả
ả
ng
ng
c
c
á
á
ch
ch
đ
đ
ợ
ợ
c
c
chia
chia
ra
ra
l
l
m
m
hai
hai
lo
lo
ạ
ạ
i:
i:
có
có
b
b
ả
ả
o
o
v
v
ệ
ệ
(shielded) v
(shielded) v
kh
kh
ô
ô
ng
ng
b
b
ả
ả
o
o
v
v
ệ
ệ
(unshielded)
(unshielded)
Bề mặt sensor
Có bảo vệ Không bảo vệ
Nh
Nh
ậ
ậ
n
n
xét
xét
:
:
)
)
Kho
Kho
ả
ả
ng
ng
c
c
á
á
ch
ch
c
c
ả
ả
m
m
nh
nh
ậ
ậ
n
n
từ
từ
0.6
0.6
-
-
20 (mm)
20 (mm)
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
c
c
ả
ả
m
m
phụ
phụ
thu
thu
ộ
ộ
c
c
v
v
o
o
m
m
ộ
ộ
t
t
s
s
ố
ố
yếu
yếu
t
t
ố
ố
sau
sau
c
c
ủ
ủ
a
a
đ
đ
ố
ố
i
i
t
t
ợ
ợ
ng
ng
:
:
&
&
H
H
ì
ì
nh
nh
d
d
á
á
ng
ng
đ
đ
ố
ố
i
i
t
t
ợ
ợ
ng
ng
&
&
Đ
Đ
ộ
ộ
d
d
ầ
ầ
y
y
c
c
ủ
ủ
a
a
đ
đ
ố
ố
i
i
t
t
ợ
ợ
ng
ng
&
&
V
V
ậ
ậ
t
t
li
li
ệ
ệ
u
u
c
c
ủ
ủ
a
a
đ
đ
ố
ố
i
i
t
t
ợ
ợ
ng
ng
)
)
Ti
Ti
ệ
ệ
m
m
c
c
ậ
ậ
n
n
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
dung (Capacitive proximity)
dung (Capacitive proximity)
&
&
L
L
lo
lo
ạ
ạ
i
i
c
c
ả
ả
m
m
biến
biến
s
s
ử
ử
dụng
dụng
tr
tr
ờng
ờng
t
t
ĩ
ĩ
nh
nh
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
để
để
ph
ph
á
á
t
t
hi
hi
ệ
ệ
n
n
đ
đ
ố
ố
i
i
t
t
ợ
ợ
ng
ng
b
b
ằ
ằ
ng
ng
kim
kim
lo
lo
ạ
ạ
i v
i v
phi
phi
kim
kim
lo
lo
ạ
ạ
i.
i.
&
&
Đ
Đ
i
i
ệ
ệ
n
n
á
á
p
p
l
l
m
m
vi
vi
ệ
ệ
c
c
DC, AC
DC, AC
ho
ho
ặ
ặ
c
c
AC/DC
AC/DC
Ph
Ph
â
â
n
n
lo
lo
ạ
ạ
i:
i:
&
&
Theo
Theo
ch
ch
ứ
ứ
c
c
n
n
ă
ă
ng
ng
đ
đ
ợ
ợ
c
c
chia
chia
ra
ra
l
l
m
m
hai
hai
lo
lo
ạ
ạ
i: PNP (sourcing)
i: PNP (sourcing)
v
v
NPN (sinking)
NPN (sinking)
&
&
Tất
Tất
c
c
ả
ả
c
c
ả
ả
m
m
biến
biến
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
dung
dung
c
c
ủ
ủ
a
a
siemens
siemens
đ
đ
ều
ều
có
có
b
b
ả
ả
o
o
v
v
ệ
ệ
(shielded)
(shielded)
Bề mặt sensor
Đối tợng
Nh
Nh
ậ
ậ
n
n
xét
xét
:
:
)
)
Kho
Kho
ả
ả
ng
ng
c
c
á
á
ch
ch
c
c
ả
ả
m
m
nh
nh
ậ
ậ
n
n
từ
từ
5
5
-
-
20 (mm)
20 (mm)
)
)
Có
Có
kh
kh
ả
ả
n
n
ă
ă
ng
ng
ph
ph
á
á
t
t
hi
hi
ệ
ệ
n
n
m
m
ứ
ứ
c
c
chất
chất
l
l
ỏ
ỏ
ng
ng
xuy
xuy
ê
ê
n
n
qua
qua
th
th
ù
ù
ng
ng
trong
trong
su
su
ố
ố
t
t
(
(
Chất
Chất
l
l
ỏ
ỏ
ng
ng
ph
ph
ả
ả
i
i
có
có
h
h
ằ
ằ
ng
ng
s
s
ố
ố
đ
đ
i
i
ệ
ệ
n
n
m
m
ô
ô
i
i
cao
cao
h
h
ơ
ơ
n
n
v
v
ỏ
ỏ
th
th
ù
ù
ng
ng
)
)
)
)
M
M
ô
ô
i
i
tr
tr
ờng
ờng
l
l
m
m
vi
vi
ệ
ệ
c
c
ph
ph
ả
ả
i
i
kh
kh
ô
ô
,
,
b
b
ở
ở
i
i
v
v
ì
ì
khi
khi
có
có
chất
chất
l
l
ỏ
ỏ
ng
ng
tr
tr
ê
ê
n
n
bề
bề
m
m
ặ
ặ
t
t
c
c
ủ
ủ
a
a
c
c
ả
ả
m
m
biến
biến
,
,
c
c
ả
ả
m
m
biến
biến
có
có
th
th
ể
ể
t
t
á
á
c
c
đ
đ
ộ
ộ
ng
ng
nh
nh
ầ
ầ
m
m
.
.
