TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
______
BÁO CÁO THỰC HÀNH TUẦN 1
MÔN THỰC TẬP ĐIỆN TỬ SỐ
(Cổng logic 1 – Định nghĩa – Phân loại – Đặc trưng)
Sinh viên thực hiện
:
Đặng Thị Thu Uyên – 21020737
Nguyễn Đình Quang Vinh – 2102
Nguyễn Thùy Linh – 21020730
Giáo viên phụ trách
:
TS. Phạm Ngọc Thảo
ThS. Nguyễn Văn Cương
Lớp học phần
:
ELT3103 23
Hà Nội, tháng 9 năm 2023i, tháng 9 năm 2023
I. Định nghĩa – Bảng chân lý
1. Yếu tố logic chứa 1 bít thơng tin
Kết quả mơ phỏng:
Tóm tắt thực nghiệm:
Công tác LS8
Đèn LED
Mức thế
Ký hiệu trạng thái
Ký hiệu toán học
“1”
Sáng
V = 4.855 (V)
H (High – cao)
1
“0”
Tắt
V = 181.5 (mA)
L (Low – thấp)
0
-
Định nghĩa về mức logic và yếu tố logic chứa 1 bít thơng tin:
Điện áp được dùng để biểu diễn với các bit 1 hoặc 0 trong đó:
+ bit 1 là biểu thị mức logic cao
+ bit 0 là biểu thị mức thấp
2. Khảo sát nguyên lý hoạt động của cổng đảo (Inverter)
Bảng chân lý D1 – 2:
Cổng tắc LS8
Lối vào A
Lối ra C
1
1
0
0
0
1
Lối vào IC1/a bỏ lửng
0
0
-
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
Định nghĩa về cổng đảo: Cổng NOT là cổng chỉ có một ngõ vào và một ngõ ra
Cơng thức đại số: Q = A
Trường hợp lối vào bỏ lửng tương ứng với trạng thái “0” của lối vào
3. Khảo sát nguyên lý hoạt động cổng không đảo với collector hở (O.C. Open
collector)
Bảng chân lý D1 – 3:
Cổng tắc LS8
Lối vào A
Lối ra C
1
1
1
0
0
0
Lối vào IC2/a bỏ lửng
0
1
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Biểu thức đại số: Q = A
- Trường hợp lối vào bỏ lửng ứng với trạng thái lối vào cao
4. Khảo sát nguyên lý hoạt động của cổng “KHƠNG VÀ” có hai lối vào (2-Input
NAND)
Bảng chân lý D1 – 4:
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
1
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Định nghiac về cổng NAND: Cổng NAND là cổng dùng để thực hiện cùng một
lúc 2 chức năng là AND và NOT. Cổng NAND có 2 hay nhiều ngõ vào và 1 ngõ
ra.
- Biểu thức đại số: Y = A.B
- Trường hợp lối ra khi một trong hai lối vào thấp (0) tương ứng với mức cao (1)
Cổng NAND làm việc theo kiểu NOR với mức logic 0
5. Khảo sát nguyên lý hoạt động của cổng “NAND” có hai lối vào với 1 collector hở
(2 – Input open collector NAND)
Bảng chân lý D1 – 5:
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
1
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
Kết quả bảng chân lý D1 – 5 và bảng chân lý D1 – 4 của cổng NAND là giống
nhau
6. Khảo sát nguyên lý hoạt động của cổng “HOẶC” có hai lối vào (2-Input OR)
Bảng chân lý D1 – 6:
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Định nghĩa về cổng OR: Cổng OR là mạch điện thực hiện hàm cộng trong đại số
chuyển mạch.
- Biểu thức đại số: Y = A + B
- Trường hợp lối ra khi một trong hau lối vào thấp (0): cao (1)
Cổng OR không làm việc theo kiểu AND với mức logic 0
7. Khảo sát nguyên lý hoạt động của cổng “HOẶC – LOẠI TRỪ” có hai lối vào (2Input XOR)
Bảng chân lý D1 – 7:
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
0
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Định nghĩa cổng XOR: là cổng khác dấu, cổng cộng modun 2
- Biểu thức đại số: Y = A. B + A. B hay A B
8. Bảng chân lý và biểu thức đại số logic của một số cổng
Cổng AND 2 lối vào:
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
0
0
1
0
0
0
0
Biểu thức đại số
Y = A. B
Bảng chân lý cổng AND 2 lối vào
Cổng NAND 4 lối vào:
Lối vào A
Lối vào B
Lối vào C
Lối vào D
Lối ra E
Biểu thức đại số
1
1
1
1
0
Y = A.B.C.D
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
1
0
0
1
1
0
1
1
0
1
1
0
0
0
1
0
0
0
1
1
0
1
0
0
1
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
Bảng chân lý cổng NAND có 4 lối vào
Cổng OR với 3 lối vào:
Lối vào A
Lối vào B
Lối vào C
Lối ra D
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
0
1
0
1
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
1
0
0
0
0
Bảng chân lý cổng OR với 3 lối vào
Biểu thức đại số
Y=A+B
II. Phân loại cổng Logic
1. Cổng AND loại Diode Logic (DL)
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
0
0
0
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Nguyên tắc hoạt động
+ Nếu đầu vào A và B ở mức 1 (5V) khi đó D1 và D2 đều phân cực ngược nên
khơng có dịng chạy qua 2 diode này nên ở lối ra sẽ có điện áp 5V (tức là mức 1)
+ Nếu A ở mức 1 và B ở mức 0, khi đó D1 được phân cực nghịch và B được phân
cực thuận nên dòng từ điện trở qua D2 làm cho đầu ra khơng có dịng điện ->
mức 0
+ Nếu A ở mức 0 và B ở mức 1, khi đó D1 phân cực thuận, B phân cực nghịch,
dịng điện từ điện trở qua D2 làm cho đầu ra khơng có điện -> mức 0
+ Nếu cả hai đầu A và B đều ở mức 0 thì cả hai diode D1 và D2 đều phân cực
thuận nên dòng điện từ điện trở qua 2 diode làm cho đầu ra khơng có dịng điện
->mức 0
-
Ưu nhược điểm của Cổng NAND loại DL:
Ưu điểm
-
Nhược điểm
Đơn giản chi phí thấp
Khả năng kết hợp với các phép
tốn cơ bản cao
Ổn định và ít hỏng hóc
-
-
Tốc độ chậm
Tích lũy của diode
Khả năng đảo ngược yếu
Giới hạn về số lượng cổng
Khó khăn trong việc điều chỉnh và
sửa chữa
2. Cổng NAND loại Resistor – Transistor Logic (RTL)
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
Kết quả mô phỏng
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
1
Trả lời câu hỏi:
- Nguyên tắc hoạt động:
+ Khi cả LS7 và LS8 đóng (1) thì sẽ có dịng điện IB làm cho transistor đóng, khi
đó dịng điện chạy qua Collector và Emitter (từ VCC về GND) tại C điện áp = 0
+ Khi một trong 2 LS7 và LS8 đóng thì dịng IB rất nhỏ, transistor mở, VC = VCC –
IC * R4, mức logic = 1
+ Khi cả LS 7 và LS8 mở thì dịng IB rất nhỏ, transistor mở, VC = VCC – IC * R4,
mức logic = 1
-
Ưu nhược điểm của sơ đồ RTL:
+ Ưu điểm: đơn giản, độ tin cậy cao, linh kiện dễ kiếm
+ Nhược điểm: bị giới hạn về tốc độ và khả năng mở rộng, phải tính tốn thơng
số để cho transistor làm việc ở điểm làm việc tĩnh.
3. Cổng NAND loại Diode – Transistor Logic (DTL)
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
1
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Nguyên tắc hoạt động:
+ Với cả 2 lối vào đều ở mức cao (1) khi đó cả 2 diode đều cấm làm cho hở mạch,
dòng điện sẽ đi qua R6 sẽ qua R7. Từ đó cực B của Q2 được nối với điện áp sẽ
chuyển sang chế độ bão hòa, dòng qua R9 chạy từ C đến E xuống GND mà không
qua LED nên ở mức thấp (0)
+ Với các trường hợp cịn lại ta có như sau: Đầu vào xuất hiện mức thấp nên có
một diode dẫn, khi đó dịng qua R6 chạy thẳng xuống GND mà khơng đi qua R7.
Từ đó cực B sẽ ở mức thấp, Q2 không hoạt động, từ C đến E cũng khơng có dịng
điện chạy qua và dịng từ R9 chảy qua LED nên ở mức cao (1)
-
Ưu nhược điểm của DTL:
+ Ưu điểm: độ tin cậy cao và tiết kiệm năng lượng
+ Nhược điểm: bị hạn chế về tốc độ và khả năng mở rộng
4. Cổng NAND loại Transistor – Transistor Logic (TTL)
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
0
0
0
0
1
Kết quả mô phỏng
Trả lời câu hỏi:
- Nguyên tắc hoạt động:
+ Với trường hợp cả hai lối vào đều ở mức cao (1): đầu vào ở mức cao ở cực E
thì ta có mạch khuếch đại B – C nên ở T5 sẽ có thế và T5 sẽ dẫn nên có dịng từ
R11 chảy qua cả T5 và T8 sẽ có dịng chảy vào cực B của T7 nên T7 dẫn điện thông
qua T7 và T8 nên sẽ khơng có dịng chạy qua LED nên mức thấp (0)
+ Với các trường hợp cịn lại: ta có T3 trở thành mạch khuếch đại C – E, cực B
của T3 nối với điện áp 5V nên T3 bão hòa. Cực E của T4 bão hịa, có điện áp đặt
vào cực C của T3 và cực B của T5 mà T3 bão hòa nên dòng chảy từ C – E của T3
chảy vào GND nên T5 sẽ đóng, dịng qua R11 chảy vào cực B của T8 và khơng có
dịng chảy vào cực B của T7 nên T7 đóng , khi đó đầu ra sẽ ở mức cao (1)
-
Ưu nhược điểm của sơ đồ TTL:
+ Ưu điểm: phương pháp logic nhanh, đáng tin cậy và dễ sử dụng
+ Nhược điểm: tiêu thụ năng lượng cao khi hoạt động và giới hạn về điện áp đầu
vào
5. Cổng NAND collector hở
LS7
LS8
Lối vào A
Lối vào B
C (Nối J1)
C (Không nối J1)
1
1
1
1
0
0
1
0
1
0
1
0
0
1
0
1
1
0
Kết quả mô phỏng
0
0
0
0
1
0
Trả lời câu hỏi:
- Nguyên tắc hoạt động;
+ Khi tắt J1: Cơ lập T9 nên khơng thể có dịng chạy qua LED
+ Khi nối J1 :khi này mạch trở về mạch NAND loại DTL
III. Cổng CMOS
DS1
DS2
Lối vào A
Lối vào B
Lối ra C
1
1
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
1
Kết quả mô phỏng
0
0
0
0
1
Trả lời câu hỏi:
- Trạng thái logic với cổng NAND – TTL và trạng thái logic của cổng CMOS
giống nhau
IV. Bộ chuyển đổi mức TTL – CMOS & CMOS - TTL
Công tắc LS1
V(A)
V(B)
V(C-D)
V(E)
V(F)
1
4.2 V
44 mV
4.8 V
131.5 mV
136.2 mV
0
0.3 mV
4.81 V
82.4 mV
4.81 V
4.81 V
Trạng thái