ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
Ngô Văn Hải
KHẢO SÁT PIN MẶT TRỜI QUANG ĐIỆN HÓA
VỚI ĐIỆN CỰC TiO
2
/NANO VÀNG
KHOÁ LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC HỆ CHÍNH QUY
Ngành: Vật lý kỹ thuật
HÀ NỘI - 2013
ĐẠI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI
TRƯỜNG ĐẠI HỌC CÔNG NGHỆ
Ngô Văn Hải
KHẢO SÁT PIN MẶT TRỜI QUANG ĐIỆN HÓA VỚI
ĐIỆN CỰC TiO
2
/NANO VÀNG
KHOÁ LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC HỆ CHÍNH QUY
Ngành: Vật lý kỹ thuật
Cán bộ hướng dẫn: PGS.TS. Phạm Văn Hội
KHẢO SÁT PIN MẶT TRỜI QUANG ĐIỆN HÓA VỚI ĐIỆN CỰC
TiO
2
/NANO VÀNG
Ngô Văn Hải
Khóa QH-2009/CQ, ngành Vật lý kỹ thuật
Tóm tắt khóa luận:
u v pin mt tru ng cng plasmon kim
lou ng dng hiu ng cng plasmon mt h
t trn cc TiO
2
/Au. Ch t
2
u
p b tng kt hp v
t. Kht tri n cc TiO
2
kh p ht ti khi hp th n t
t hp TiO
2
/Au b kt
hp vt, kh m ca ht
Từ khóa: Pin mt tr plasmon, TiO
2
/Au
LỜI CẢM ƠN
Em xin cng du kin thun li cho
em trong sut thi gian thc hin. Thng d
c kinh nghit thi gian hc
tc hin .
t ling dng quang si, Vin Khoa
hc vt liu, Vih Vi ng dn em
c nghim
.
Ngô Văn Hải
LỜI CAM ĐOAN
n tt nghit qu
u ci s ng dn ca PGS.TS. Phi. Tt c
s li tu,
n ph liu tham kh d ngun g
n ph lc cun.
Ngô Văn Hải
Danh mục các từ viết tắt:
Abs: Absorption
CVD Chemical Vapour Deposition
EIA Energy Information Administration
FE-SEM Field Emission Scaning Electron Microscope
LSP Local Surface Plasmon
PEC Photo-Electrochemical Cell
PSTM Tunneling Scanning Photon
PVD Physical Vapour Deposition
SEM Scaning Electron Microscope
SSP Surface Plasmon Polariton
UV Ultra Violet
XRD X-Ray Diffraction
MC LC
M U 1
NG QUAN V PIN MT TRI. VT LIU OXIT TITAN (TiO2).
HIU NG C MT KIM LOI 3
1.1 Pin mt tri, pin mt tr 3
1.1.1 Lch s n 3
1.1.2 Pin mt trng 4
1.1.3 Pin mt tr 6
1.2 Vt lin oxit tian (TiO
2
) 8
t chung ca TiO
2
8
a TiO
2
10
1.2.3 11
1.3 Hiu ng cng plasmon b mt kim loi 15
t v 15
1.3.2. S c plasmon t kim loi 17
1.3.3 Plasmon b mnh x t nano kim loi 20
c ca pin mt tr dn cc TiO
2
/nano
24
T
THU 27
tng 27
c bay nhit 27
n t 28
30
31
t 37
thu 37
p nh hin t 37
u x tia X 38
hp th 39
n -V) 39
TNG TiO
2
HP TiO
2
S DN C
N CC TiO
2
44
3.1. Ch tng TiO
2
44
3.1.1. Ch t cathode 44
3.1.2. Ch t
2
bt 45
3.2. Ch t hp TiO
2
48
3.2 Kht tr 50
3.2.1. H n ci 50
-V 52
KT LUN CHUNG 54
U THAM KHO 55
1
MỞ ĐẦU
ng cho s tn tn ca mi quc
gia. Trong nh gi
do nhu c n kinh t. Theo t chc EIA (Energy Information Administration),
2006 (4,98 x 10
20
n cung cn sinh ra CO
2
,
ching CO
2
ch nguy hi vng
sa hing u. M
thn kia t ng du th gii
ng thay th cp thii.
Mt tr c n cung c ng n, vi ng
khng l chiu xung b m18 kWh, nu
vi tng th gi 1014 kWh th
tr thc ca ngung n ngun lng
v i s d n, nhit Pin mt trng
u trong vic chuy i trc ti ng ng
n.
Him pin mt tr i ch yt tri da
vt li ho chuyn
i t ng mt tr
c ln (lp hp th t s u gn
dng vt li thay th cho lp hp th Si. Oxit titan (TiO
2
m dng nhi t b chuy
ng t t tr
2
lm r rng
m t hp th o ra ht ti
cn thit php th ca pin mt tri d kin.
Mt trong nhng gii quy dng hiu ng cng plasmon b mt
2
kim lo mt chn TiO
2
p th ca pin mt tri quang
kin.
, ma
ng TiO
2
u ng plasmon c hp TiO
2
/Au ng dng trong pin mt
tr
n g
Chương 1: Tng quan v pin mt tri, vt liu oxit titan (TiO
2
). Hiu ng cng
mt kim loi
Chương 2: t thu
Chương 3: Ch tng TiO
2
hp TiO
2
d
n cn cc TiO
2
3
CHƯƠNG 1: TỔNG QUAN VỀ PIN MẶT TRỜI. VẬT LIỆU OXIT TITAN
(TiO
2
). HIỆU ỨNG CỘNG HƯỞNG PLASMON TRÊN BỀ MẶT KIM LOẠI
1.1 Pin mặt trời, pin mặt trời quang điện hóa
1.1.1 Lịch sử phát triển
n ra hiu n (Photovoltatic Effect)
u u s bu ca k ng dng
n
b n hiu ng PV trong vt li
tt trng
ng m mt mt phiu sut chuyi <
ng s u v pin mt tri
u sut
ng s t t tri chuyn tip d cht
t hiu sut ~ 6%. Trong mt tr
lt tr
c d c bit
sau cuc khng hong du lu v pin mt tri nh
hiu sut chuy trin mnh m hn dn
u ng dng pin mt trng nh
ch to pin mt trng tin b t bn
ph n mnh m n phm pin mt tr
mi. Hi sn xut pin mt tr t trong nh
nghip quan trng nht th gii.
ch s ng dng hiu h.
Hin nay, cu vc thc hii vi c ba th h :
1) Th h pin mt trt trc ch t
tinh th Silic dng khng. Mi
pin mt tri cho hiu sut cao (t tri chim khong
80% th phi.
4
2) Pin mt tri th h th c gt trng. Loi pin mt tri
so vi pin mt tri th h th nhu su
thp (m ni bt ca th h pin mt tri th h th
th l dng nh
i s dng mt s vt li
3) Pin mt tri th h th i pin mt tri ht tri nh
pin mt tri ng d nano, chng t chuyn
i thui nghch (up - t
trt t carrier cells). Hi pin mt tri th h n
n t
h pin mt tr
Hình 1.1: Hiệu suất chuyển đổi quang điện của các thế hệ pin mặt trời.
1.1.2 Pin mặt trời màng mỏng
t tri Silic, gt hin mt loi pin mt tri cp,
c gt tri pin mt trm tuyt vi
1) Vt li a lp hp th ch .
2) lng b
5
- n t,
c
lo th…
- d n,
nhi
cng (th d
3) n c u khin bng k thun.
4) t r.
Cấu trúc của pin mặt trời màng mỏng
Ca mt pin mt trp sau:
- n
- Ln trong suc
- Lp ca s hoc lm
- Lp hp th
- Lp tit sau
Pin mt trc ch t hai cn
1) Ca)
2) Cb)
Hình 1.2 Hai loại cấu trúc pin mặt trời màng mỏng: a) Cấu trúc thuận (substrate),
(b) Cấu trúc đảo (supertrarte)
6
S n gia hai cn trc
tip ci ch
c khi tii mc.
Trong pin mt trng, lp hp th n quan trng nh
chn la vt li
- Vt liu phm th
g
~ 1,0 1,7 eV.
- Vt li s hp th cao ( ~ 10
5
cm
-1
).
- D tr vt li
- D i dn b
ngh n.
- Kh n tip p-n vi hiu sut chuyn cao.
1.1.3 Pin mặt trời quang điện hóa
Hin nay hiu sut ca pin mt tri lot hiu sut
ti 24,7%. Pin lo t khong 27,5%, lo t 20,3%,
i 16,5%, pin mt tri hi 5
PEC (Photo-Electrochemical Cell) bao gm DSSCs (pin mt tri dung cht nhy quang)
t tri dung cht nhm hp). Vt li
dn phi nhy vi phn ln ph y ca bc x mt trng
lc bm cn s n t t
p nht cn, tn t trng
. n (PV), s cn t trng nh n
ng ni ch tin lo ng ni
gin gii s i vn
cc nano x p ht ti s phn 1.4. So vi pin PV,
m:
- c ch tu chnh d
- S b u chnh bi chn gi
ca pin.
- u ng bi s nhi
- n lp chng phn x pin PV.
7
hp th a dung dn gi bn vng cn cc
n cho viu sut ca pin PEC.
Cấu tạo của pin mặt trời quang điện hóa.
V c tt c t tru thuc th h pin mt tri
th ba (ngoi tr pin mt tri hu tn gic ch
i pin mt tr
thc cht ch c nhau v cht nhy sang. Vi pin DSSC cht nht nhum
c ch to t vt lit tri ki
cht nh n hay vt liu quantum dot. T 1.3
th thin mt tr
- n c phnh tt
n ca linh kin
- Chn ly.
- n ci
Hình 1.3 Cấu tạo của pin mặt trời quang điện hóa.
Điện cực làm việc (Photoanode): Trong pin mt trn cc
n hiu sut ca linh ki n
n th nhn c
c ph in cc trong sut dn (ITO ho
ln chuyn t ra mn th t nhy sang
8
p th p ht tc t
c xen ph trong lp vt lin nano xp. Cht nh
cht nhut nano tinh th n loi pin
SSSC.
n cc ph dn t mt tin gia lp vt liu
n vi t nhi vi linh kin pin mt tri
PEC, dit quang trng trong vic tang hiu sut linh kin.
y lp vt lin cn phc ch ti dng vt liu
t vt th t liu c
tang di mp nhiu ln so vi vt liu dng kh v t
chit lic hn
gp 2000 ln so vi mt ph xp
t nh u kh
n.
Chất điện ly: Chn chuyn l trn cc
phn c Redox (Reduction p redox
-
/I
3
-
), (S
2-
/S
n
2-
), (Se
2-
/Se
n
2-
), (V
3+
/V
2+
), (Br
-
/Br
2-
), SeCN
-
/(SeCN)
2
Tuy
n ly lng d b n cc
y, song song vi viu nhm khc phc
a chn ly lm kh g thay th
n ly rp.
Điện cực đối: n cn vi phn t a cht
i dn tn ng vi chn ci
Pt ho lp mng Au hoc Pt.
Nguyên lý làm việc của pin mặt trời quang điện hóa sẽ được nêu rõ ở phần sau
1.2 Vật liệu bán dẫn oxit tian (TiO
2
)
1.2.1 Tính chất chung của TiO
2
i chuyn tip lng bi c lc
n nh
4+
. TiO
2
c quan
u nhiu nht. T
2
c bi m
9
rm khong 3,2eV s dt lin cc
quan trng trong k thu
2
t cht rn ti mt s
dng tinh th
2
n ti dng tinh khi
ch tn ti dt. TiO
2
cy vi nhi
ng 1850
0
C. TiO
2
t vt li m
ng vc, dung d ng vi dung
dy (bng t su
c s dng r bc chng phn x trong pin mt tru thit b
2
c c ch to
s ph thu d
2
c
s d nh n CO, O
2
nhi cao(kho
0
C). Nh kh
i TiO
2
c s dt liu sinh h
c c ph.
Bảng 1.1. Các tính chất của pha anatase và pha rutile
Tính chất
Pha anatase
Pha rutile
Cấu trúc tinh thể
Tetragola
Tetragola
Số nguyên tử trong ô cơ
sở (Z)
4
2
Nhóm không gian
I4
1
/amd
P4
2
/mnm
Thông số mạng (nm)
a=0,3785
c=0,9514
a= 0,4594
c=0,2959
Thể tích ô cơ sở (nm
3
)
0,1363
0,0624
Khối lượng riêng (kgm
-3
)
3894
4250
Độ rộng vùng cấm (eV)
(nm)
3,23 – 3,59
345,4 – 383,9
3,02 – 3.24
382,7 – 410,1
Sự tan trong HF
Tan
Không tan
Hệ số cứng Mohs
5,5 – 6,0
7,0 – 7,5
Khối lượng hiệu dụng của
điện tử
1 m
e
9 – 13 m
e
Điểm nóng chảy (
0
C)
1830 – 1850
1870
Điểm sôi (
0
C)
-
2927
Độ linh động của điện tử
µ (cm
2
/Vs)
~10
~1
Hằng số điện môi
/ / 48
31
c
c
/ / 178
89
c
c
10
TiO
2
thc phm (E171), thu
ngh
2
n t
ho-t hot
ng b mt, kh khun kh a TiO
2
dc chi
vng ng v rm c
i b mt chn. TiO
2
p cht h
2
, H
2
p ch
1.2.2 Các pha của TiO
2
t TiO
2
cho
t xut hin gic
n g t
gi ln t ln
t th u kin b
p v n t.
Cn t ca Ti : 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
2
4s
2
Ti
4+
: 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
3d
0
4s
0
O: 1s
2
2s
2
2p
4
O
2-
: 1s
2
2s
2
2p
6
Khi t, m O bn t
4+
, m O nhn t
2-
. Anion O
2-
khi
p 2p ln ty, trong tinh th n
t. Cation Ti
4+
n t
th n t
n t hoc l tr nhit
thp hn.
TiO
2
n loi c: anatase (cng t
dng t
2
2
c tng hp t cao bt ngun t
2
(II) v
TiO
2
(H). n nht.
11
Hình 1.4 Cấu trúc tinh thể của TiO
2
1.2.3 Pha anatase và rutile
C c bin dng ca
mi mp hp mn. Tuy c
4+
2-
bao quanh tn.
ca pha rutile g Ti nm v
b oxy tn bao quanh mi cation Ti ca
pha anatase gm b Ti nm v -1/2,
0, - n TiO
6
ng
ca TiO
2
p x a khn. Trong
pha rutile mn tin chung
nhau mt c n chung nhau m nh chung nm dc theo
ng tinh th i xng t mn ti
nh (bn chung nhau cnh chung nm dc
ng zic zi trc c.
Kho Ti trong pha anatase l
O trong pha anatase ng
n ca pha
12
bin dng yu ca h thoi (orthorhobicn ca
pha anatase b bin dng mnh.
S ng TiO
2
n ti nh
nhau v m n t ging TiO
2
c lng nhi 100-150
0
C. TiO
2
u
ng trng trong vt lii
thp . C bn ca TiO
2
chuy
n s bic li. M
chuyn pha t anatase sang rutile bii t
600 900
0
ng c c pha tng
cho thy ti 150
0
C TiO
2
d
0
C pha anatase bu
i 450
0
C, pha rutile xut hin ti 500
0
C. Nung nhi
p cht cc k b
tan chm trong axit sunphuric hoc trong hidroxit kit
ng lc hc dng cho thnh nht tt c
t nh y cng.
S cn s
hc. Do m tha pha anatase so v,
xen k m
s c - cng ca
ch anh. Cng tinh th t
d ch ng chit). Pha thiu
ch chuyn (lack of a center of inversionn. Pha rutile
ng bn nhing hc nht ca TiO
2
ng
1,2 2,8kcal/mol li vi h
c nh c ti hng b mt thng
cn thi chuy
a. Tính chất điện của pha anatase và rutile
c cao c TiO
2
ng s
ca TiO
2
ng s ng song
13
i tr :
|| 48; 31cc
, c
|| 178; 89cc
.
a pha anatase nh l c
th c
3
trong khi c
3
.
Do c vn chuyn t
u. Khng hiu dng cn t n ca pha
anatase gn bng khng cn t t n khng
cn t trong pha rutile, d ng cn t
n t trong pha rutile. Thc t ng cn t th c cao
vn chuyn t trong pha rutile nh
nhảy cóc na, s vn chuynt
ng do s t ca mt s c l
n b.
m r t t h nhic sinh ra r
nhi t ti
t oxy sm ca TiO
2
thuyc nghi khong 0,i b t hp
vi ion Ti
+3
p chn t. Các kết quả thực nghiệm và lý thuyết
đều cho thấy pha anatase dẫn điện tử tốt hơn pha rutile.
b. Tính chất quang của pha anatase và rutile
Chiết suất của màng anatase và rutile
Chit sut ca TiO
2
d ng tha tinh th anatase hoc rutile,
trong khi h s dp tt ct liu lng (d
vt liu khi. C ng chit sut
i vi m ng ng
:
||
2
3
tb
nn
n
(1.1)
14
n
||
n
li trc quang.
Chit su u c
=600nm. TiO
2
hp th quang
i s chuyn pha t n rutile.
Sự liên hệ chiết suất và mật độ khối lượng
T biu thc Lorentz:
2
2
2 2 2 2 2
00
4 / (3 )
1
2 3( )
p
e
N me
n
n
(1.2)
2
0
n s p;
:tn s
n t ng;
p
:tn s ng
vi tn s ng cn t t ng gi
e
ng
n t n t. T y vi tn s
22
( 1)/ ( 2)nn
s t l vi m n t.
Biu th
0
ca biu thc Clausius-u:
2
2
4
( 1) 4
( 2) 3 3
a
NN
n
nM
(1.3)
a
N
N
M
;
kh ng;
a
N
ng;
s c. T n s
, t t su
m
t su trng
t sut c
Sự liên hệ giữa độ phản xạ R, độ truyền qua T và chiết suất n
T c:
15
01
2
01
s
s
n n n
R
n n n
(1.4)
Vi
0
n
: chit su
1
n
: chit su
s
n
: chit sut c
nht sut c phn x c truyn
qua cn t i pha
kht suy h s phn x
s truyn qua gim.
1.3 Hiệu ứng cộng hưởng plasmon bề mặt kim loại
1.3.1 Cơ sở lý thuyết về plasmon và kích thích plasmon
Khái niệm về plasmon
t quang hc ch yn t dn
ca kim loi. S n t n t n t
ng tp th, tt h dao ng gi
u ki : plasmon
khi, plasmon b m mnh x.
Hình 1.5: a. Plasmon khối; b. Plasmon bề mặt; c. plasmon bề mặt định xứ
Plasmon khng tp th cn t dn trong khi kim lo
ng cng t khong vc
120nm). Plasmon khi cso th c tip bng bc x
n t.
16
Plasmon b mt xy ra giao di kim loi, t
theo chiu dc lan truyn dc giao din t truyn dc theo giao din
kim loi nh mt gb mt (Surface
plasmon polariton SSP)
c giam cm trong c 3 chi trong
ng ht nano kim loc g mnh x
(Local surface plasmon n t dng trong h
tt h ng vt c
n t
Mô hình Drude về hằng số điện môi của khí điện tử tự do
t quang ci c c gim vi tn s rng
bn t dn chuyng g do trong th
ca kim lo qua s n t vi nhau.
S dng cn t t ng cng
:
(1.5)
n s va chm dn t t do, m ng ca
n t
n s plasma cn t t do phc thu
n cn t trong kim loi. Tn s plasma ca kim lo
t ngoi.
i vi tn s thp, bn cho
ng v dn cao ci tn s thp. Mn, hu h
c x truyn qua kim lo phn x cao. Mi vn
s p x c x truy tia X.
Tn s quang hc gn hng ngo ng th n s plasma. Gi thit
i nhn ch
trng nht quang ca c
nano kim loai.
17
1.3.2. Sự phân cực plasmon tại các giao diện điện môi – kim loại
a. Khái niệm plasmon bề mặt
Plasmon b mc tn t c truyn dc theo giao
din kim loi m
n t b mt bng ngu ng ca plasmon b
mt gin xa giao din kim loi
nh x ln ct c thu
t ca c kim loc, c t xut)
n t nh x mnh dc theo giao di c s d
d nhy cao c m cung
cp m u b m nhy vi chit sut cn giao
di s d c bt cht l
t trong cht lt vi giao di kim lo
i chit sut, dn ti s i plasmon b m cho
ng hc ct
b. Lý thuyết về phân cực plasmon tại giao diện điện môi – kim loại
n truyn dc b mt theo tr thu
u ki
m lan
truy th:
(1.6)
//
n c ng lan truyn c
plasmon,
ng s a kim lo
k
o
nh theo h thc k
o
= . Mt h qu ca h th
x n thc ca
phi vi kim lo
n hng ngong: