Bài thí nghiệm số 7 – Nhóm 10
ĐO ĐIỆN TRỞ BẰNG CẦU WHEATSTONE
I. MỤC ĐÍCH
Nghiên cứu cầu WHEATSTONE, ứng dụng mach cầu WHEATSTONE để đo điện trở.
II. LÝ THUYẾT

C

Cầu WHEATSTONE gồm 3 điện trở đã biết
Ro, R1, R2, một điện trở chưa biết Rx, một nguồn

Ro

nuôi một chiều và một ampe kế A được nối như

Rx
I1

sơ đồ hình 1.
Khi ta đóng khố K và K1 dịng điện từ
nguồn sẽ phân nhánh vào điện trở R1 & Ro. Ta có

A

thể điều chỉnh các điện trở Ro, R1 và R2 sao cho
không có dịng đi qua điện kế V, lúc đó:
1.

tương tự, cường độ I3 trong nhanh AD bằng
cường độ I4 trong nhánh DB
2.

B

-

I3

I4
k1

R1

R2

D

Cường độ I1 của dòng điện trong nhánh AC

bằng cường độ I2 của dịng điện trong nhánh CB:

I2

+
V

k

-

+

Hình 1

Các điểm C và D ở cùng điện thế, ta có:

Hay:

VA - VC = VA - VD và VC - VB = VD - VB

(1)

RoI1 = R1I3

(2)

RxI2 = R2I4

(3)

Chia phương trình (3) cho phương trình (2), ta có:

Rx R2
=
Ro R1

 Rx = Ro

R2
R1

(4)


Từ phương trình (4), nếu biết Ro và tỷ số R2/R1 thì ta xác định được Rx.
III. DỤNG CỤ THÍ NGHIỆM
TT

Tên dụng cụ thí nghiệm

Số lượng

1

Nguồn ni hạ áp

1

2

Đồng hồ đa năng HIOKI

1

3

Mạch cầu WHEATSTONE

1

1



4

Biến trở Ro

1

5

Dây điện trở

1m

1

5
TT
1
2
3
4
5

2

3

Chức năng
Công tắc nguồn
Lối ra 12V xoay chiều
Lối ra 020V xoay chiều

Lối ra 020V một chiều
Núm chỉnh điện áp ra 3 và 4

4

1. Nguồn nuôi hạ áp có 3 lối ra:
2. Đồng hồ đa năng HIOKI: Có 4 chức năng đo tương ứng với dũng điện, điện áp một
chiều, xoay chiều và điện trở. Khi sử dụng chúc năng đo nào thỡ xoay công tắc chọn chức
năng đó.

Màn hình hiện thị kết
quả

Cơng tắc chọn chức
năng đo

Cực dương (Đo dịng
DC, AC(µA, mA))
Cực dương (Đo điện áp
DC, VC, điện trở)

Cực dương (Đo dòng
AC, DC (A))

Cực âm

2


3. Biến trở Ro: bằng cách ghép nối tiếp 7 hộp điện trở có các giai x 1, x 10,


x 100, x

1K, x 10 K, x100 K, x1 M, cho phép ta thay đổi từng 1 một từ 0 đến 111111110.

IV. THỰC HÀNH
1. Mắc mạch theo sơ đồ hình vẽ:

Ro

Rx

C
+
V

l1

Dây điện trở

-

l2

A

B
D

Thanh gỗ


Thước mét

+

-

2. Đồng hồ đa năng HIOKI: vặn công tắc quay chọn thang đo điện áp 1 chiều.
3. Bật công tắc 1 của nguồn nuôi, điều chỉnh núm 5 sao cho điện áp lối ra 4 nhỏ hơn 1,5V.
4. Dịch chuyển điển tiếp xúc D để dòng qua vụn kế V bằng 0. Kết quả đo l1 và l2 cho RX1 ghi
vào bảng 1.
Tương tự đối với điện trở RX2 và RX1 mắc song song với RX2. Kết quả đo l1 và l2 ghi vào
bảng 1.
Bảng 1:
Số lần đo

RX1
l1 (cm)

RX2
l2(cm)

l1 (cm)

Lần 1

3

RX1// RX2
l2(cm)


l1 (cm)

l2(cm)


Lần 2
Lần 3
Lần 4
Lần 5

V. NHỮNG NỘI DUNG CẦN BÁO CÁO
1. Cơ sở lý thuyết.
2. Kết quả thí nghiệm (Bảng số liệu).
3. Tính các giá trị l1 & l2 , suy ra tỷ số R 2 R1 như sau:

l2
R2
l2
= S =
R1
l1 l1

S



trong đó

(5)


 , S là điện trở suất và tiết diện dây điện trở.

Thay (5) vào phương trình (4) tính được R x .
4. Tính sai số
a. Sai số tuyệt đối: Từ l 1 , l 2 , l 1 , l 2 và R x , suy ra  R x .
b. Sai số tỷ đối:

=

R x
 100% .
Rx

5. Kết quả được viết dưới dạng

Rx = R x   R x

và Rx = R x  

4


BẢNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM – NHĨM 10
Bài thí nghiệm số 07: ĐO ĐIỆN TRỞ CẦU WHEATSON
Họ tên sinh viên .............................................. Mã số SV: .......... Lớp:……
Những người làm cùng: 1 ...............................................................................
2 ..................................................................................
3 ..................................................................................
Bảng 1: Kết quả đo Rx1

Lần đo

R0 = 100 

R0 = 150 

l1 (cm)

l2 (cm)

l1 (cm)

l2 (cm)

l1 (cm)

l2 (cm)

1

50.5

49.5

59.6

40.4

67.1


33.0

2

50.5

49.6

60.1

39.9

67.1

33.0

3

50.4

49.6

59.7

40.3

67.1

32.9


4

50.4

49.6

60.4

39.6

67.2

32.8

5

49.6

50.4

59.7

40.3

66.8

33.2

_


_

l1 = 
l2 = 
l  l
Bảng 2: Kết quả đo Rx2
R0 = 10 
Lần đo
l1 (cm)
l2 (cm)

l1 =



l2 =



l1 =

R0 = 20 



l2 =



R0 = 30 


l1 (cm)

l2 (cm)

l1 (cm)

l2 (cm)

1

50.5

49.6

67.2

32.8

75.3

24.7

2

50.1

49.9

67.2


32.8

74.5

25.5

3

49.8

50.2

66.9

33.1

74.6

25.4

4

50.1

49.9

67.0

33.0


74.9

25.1

49.6

50.4

67.4

32.6

75.2

24.8

5
_

_

l1 = 
l2 = 
l  l
Bảng 3: Kết quả đo Rx3
R0 = 10 
Lần đo
l1 (cm)
l2 (cm)


l1 =



l2 =



l1 =

R0 = 20 



l2 =



R0 = 30 

l1 (cm)

l2 (cm)

l1 (cm)

l2 (cm)

1


52.5

47.5

68.7

31.3

76.7

23.3

2

52.5

47.5

68.7

31.3

76.7

23.3

3

52.5


47.5

68.7

31.3

76.7

23.3

4

52.5

47.5

68.7

31.3

76.7

23.3

52.5

47.5

68.7


31.3

76.7

23.3

5
_

R0 = 200 

_

l  l

l1 =



l2 =



l1 =



δRo = 1%


l2 =



l1 =



l2 =



Ngày …… tháng …… năm ………
Xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm

5


Bài thí nghiệm số 10 – Nhóm 10
NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TUYẾN TĨNH CỦA TRANSISTOR
I. MỤC ĐÍCH THÍ NGHIỆM
- Vẽ các đặc tuyến tĩnh của transistor, xác định hệ số khuếch đại của transistor
II. CƠ SỞ LÝ THUYẾT
1. Cấu tạo, ký hiệu, nguyên lý làm việc của transistor

- Bán dẫn là những chất có điện trở suất lớn hơn của kim loại nhưng nhỏ hơn của điện môi, thành
phần hạt mang điện bao gồm electron và lỗ trống. Bán dẫn pha tạp là chất bán dẫn được pha lẫn
một ít tạp chất. Tuỳ vào chất pha tạp và nồng độ pha tạp mà độ dẫn điện của bán dẫn tăng lên
hàng vạn, hàng triệu lần. Bán dẫn pha tạp được chia thành hai loại: loại p (positive), loại n
(negative). Bán dẫn loại p có thành phần hạt mang điện cơ bản là lỗ trống, loại n có thành phần

mang điện cơ bản là electron.
- Transistor là dụng cụ bán dẫn được cấu tạo từ
C
ba phần có tính dẫn điện khác nhau. Nếu phần ở
C
B
p n p
giữa là bán dẫn loại p thì hai bên là bán dẫn loại a. E
n (ta có transistor NPN), nếu phần ở giữa là bán
B
E
dẫn loại n thì hai bên là bán dẫn loại p (ta có
C
transistor PNP). Transistor có 3 miền bán dẫn:
emitơ, bazơ, colector. Theo thói quen ta thường b. E
C
B
n p n
gọi transistor loại PNP là phân cực thuận, NPN
B
E
là phân cực ngược. Khi vẽ transistor ta cần chú ý
đến ký hiệu mũi tên của nó để phân biệt hai loại Hình 1. Cấu tạo, ký hiệu của các loại transistor
a. Transistor loại PNP (thuận)
transistor.
b. Transistor loại NPN (nghịch)
- Miền emitor là miền có nồng độ tạp chất lớn
nhất, điện cực nối với miền này gọi là điện cực E (cực phát). Miền bazơ có nồng độ tạp chất nhỏ
nhất và bề dày rất nhỏ (cỡ m tới nm), điện cực nối với miền này gọi là B (cực gốc). Miền
colector có nồng độ tạp chất trung bình, điện cực nối với miền này là C (cực góp). Tiếp giáp p-n

giữa miền E và B gọi là tiếp giáp emitơ (JE), giữa miền
C và B gọi là tiếp giáp colector (JC).
IC
C
- Để transistor làm việc ta phải dùng hai điện áp ngoài
đặt vào ba cực của nó, tức là phải phân cực cho nó. Ở
P
chế độ khuếch đại thì tiếp giáp emitơ JE phải được phân
Etx
+ +
cực thuận để mở cho các hạt dẫn cơ bản xuất phát, còn
JC
tiếp giáp colector JC phải được phân cực ngược để tạo
IB UCE
N
điện trường gia tốc cho các hạt dẫn cơ bản chạy đến
B
+
Etx
cực C hình thành dịng điện chạy qua transistor.
JE
- Để phân tích nguyên lý làm việc ta lấy transistor PNP
+ + +
UBE
làm ví dụ. Do JE phân cực thuận ở trạng thái mở, các
hạt cơ bản (lỗ trống) từ miền E chạy qua JE tạo nên
P
dòng emitor (IE), chúng tràn qua miền bazơ hướng tới
E
JC. Trong quá trình khuếch tán một số lỗ trống bị tái

IE
hợp với các điện tử của miền B tạo nên dịng bazơ (IB).
Hình 2. Minh hoạ ngun lý làm việc của
Do miền B được cấu tạo rất mỏng nên hầu hết các lỗ
transistor PNP ở chế độ khuyếch đại

-

6


trống (hạt cơ bản của miền E) khuếch tán đến được bờ của JC và được điện trường gia tốc (do JC
phân cực ngược) lôi kéo tràn qua miền C đến cực C tạo thành dòng colector (IC).
- Mối quan hệ giữa các dòng điện trong transistor là:
I E = I B + IC

- Để đánh giá mức hao hụt dòng khuếch tán của các hạt cơ bản khi tràn qua miền B, người ta
định nghĩa hệ số truyền đạt dòng điện của transistor:  = I C / I E . Hệ số  luôn bé hơn 1 và có giá
trị gần bằng 1 đối với transistor tốt.
- Để đánh giá tác dụng điều khiển của dòng IB tới dòng IC người ta định nghĩa hệ số khuếch đại K
của transistor khi mắc E chung:
K=

IC
IB

(hệ số khuếch đại K có giá trị từ vài chục đến vài trăm lần)

- Ta có mối quan hệ  =


K
K +1

2. Ba cách mắc mạch transistor

- Khi dùng transistor để khuếch đại, tín hiệu điện được đưa vào giữa hai điện cực và lấy ra cũng
từ hai điện cực. Trong đó điện cực nào được nối chung cho cả đầu vào và đầu ra là điện cực
chung. Về nguyên tắc cực nối chung phải được nối với đất về mặt điện xoay chiều để lấy nó làm
nền so sánh giữa điện áp lối ra và điện áp lối vào. Có 3 cách mắc đó là: mắc emitơ chung, mắc
bazơ chung, mắc colector chung.

IC

IB

IC

IE
Ura

Uvµo

IE

Ura

IB

IE


IB

Ura

Uvµo

IC

(a)

(b)
(c)
Hình 3. Ba cách mắc transistor
a. Mắc emitơ chung
b. Mắc bazơ chung
c. Mắc colector chung
A

3. Các họ đặc tuyến tĩnh của transistor

- Khi tính tốn thiết kế mạch điện dùng transistor ta cần biết các
thông số kỹ thuật của transistor thông qua các đặc tuyến tĩnh của nó.
Sau đây ta xét cụ thể trong cách mắc emitơ chung.
- Có 3 họ đặt tuyến tĩnh của transistor: đặc tuyến tĩnh vào, đặc tuyến
tĩnh ra, đặc tuyến tĩnh truyền đạt.
a. Họ đặc tuyến tĩnh vào của transistor
- Đặc tuyến tĩnh vào của transistor là đồ thị mơ tả sự phụ thuộc của
dịng IB vào hiệu điện thế UBE khi hiệu điện thế UCE được giữ không
đổi ( I B = f (U BE ) khi U CE = const ).


40

UCE=2V

30

IB
20
UCE=4V
10

0

0,2

0,4 0,6
UBE

V

Hình 4. Họ đặc tuyến tĩnh vào
của transistor

- Với mỗi giá trị không đổi của UCE ta sẽ có một đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành họ đặc
tuyến tĩnh vào của transistor. Các đặc tuyến có dạng như hình vẽ bên.

7


A


b. Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor
- Đặc tuyến tĩnh ra của transistor là đồ thị mô tả
sự phụ thuộc của dòng điện IC và hiệu điện thể
UCE khi dịng điện IB được giữ khơng đổi
( IC = f (U CE ) khi I B = const ).

IB=50A

8
UCE=4V

IC

IB=40A
6
IB=30A
4

IB=20A

UCE=1V

- Với mỗi giá trị khơng đổi của IB ta sẽ có một
đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành học đặc
tuyến tĩnh ra của transistor.

2

A 50 40 30


20

10

IB=10A

0

1

3

2

4

V

IB
UCE
c. Họ đặc tuyến tĩnh truyền đạt của transistor
Hình 5. Họ đặc tuyến tĩnh ra của transistor
- Đặc tuyến tĩnh truyền đạt là đồ thị mơ tả sự phụ
thuộc của dịng điện IC vào IB khi UCE được giữ không đổi ( IC = f ( I B ) khi U CE = const ).

- Với mỗi giá trị không đổi của IB ta sẽ có một đặc tuyến, các đặc tuyến này họp thành họ đặc
tuyến tĩnh ra của transistor.
- Họ đặc tuyến tĩnh truyền đạt có thể được suy ra từ họ đặc tuyến tĩnh ra.
III. DỤNG CỤ THÍ NGHIỆM

1. Transistor trong bài sử dụng là transistor loại NPN có ký hiệu BD 138. Các cực E, B, C có

chân cắm thích hợp với bảng điện.
2. Bảng điện DIN A là một bảng phẳng trên có các lỗ cắm dùng để thiết kế một mạch điện

(panel). Trên bảng có các điểm giống nhau, mỗi điểm gồm nhiều lỗ cắm (9 lỗ) tiếp xúc điện
với nhau, các điểm cách điện với nhau.
3. Đồng hồ đo điện đa năng (2 chiếc)

- Trong bài này ta sử dụng ở chức năng vôn kế hoặc ampe kế một chiều. Khi sử dụng các đồng
hồ cần chú ý chọn giá trị thang đo hợp lý (dòng IB thường nhỏ, không vượt quá 50A)
4. Nguồn điện một chiều

- Nguồn cấp điện một chiều có hai lối ra. Một lối ra có hai cực +, − với hiệu điện thế cố định
5V, một lối ra có các cực −, 0, + với hiệu điện thế có thể thay đổi được nhờ một triết áp và được
hiển thị trên một màn hình tinh thể lỏng.
5. Các dụng cụ khác:

- Điện trở 1k, biến trở có giá trị biến thiên từ 0 đến 220 nhờ một triết áp xoay vòng, các dây
nối được coi có điện trở khơng đáng kể. Các dụng cụ này đều có chân cắm thích hợi với bảng
điện.
IV. TIẾN HÀNH THÍ NGHIỆM
1. Xác định đặc tuyến tĩnh vào của transistor

8

1k

IC


+

+

5V

-

+

220

- Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 6. Một đồng hồ vạn
năng được sử dụng ở chức năng đo cường độ dòng
điện một chiều (ampe kế), một được sử dụng ở chức
năng đo hiệu điện thế một chiều (vơn kế).
- Cần chú ý dịng IB thường nhỏ (nhỏ hơn 50A,
không được để vượt quá giá trị này), hiệu điện thế
UBE được thay đổi nhờ biến trở 220, nó có giá trị
trong khoảng từ 0 đến 0,7V. Căn cứ vào các thơng số

A

IB

V

-

Hình 6. Sơ đồ mạch điện xác định đặc

tuyến tĩnh vào của transistor

IE


o

2. Xác định đặc tuyến tĩnh ra của transistor

1k

Lối ra có điều khiểu
UCE được hiển thị

đó để chọn thang đo ở các đồng hồ cho hợp lý.
- Hiệu điện thế UCE được giữ cố định 5V, thay đổi hiệu điện thế UBE bằng cách xoay triết áp của
biến trở 220 và xem giá trị trên vôn kế. Đặt các
+
A
giá trị UBE như trong bảng 1, ghi các giá trị IB tương
ứng. Lặp lại phép đo 3 lần và kết quả được ghi vào
I
bảng 1.
+
+
+
C

A


IB

5V

-

220

I
- Mắc mạch theo sơ đồ hình 7. Trong phần này ta
sử dụng cả hai nguồn điện. Hai đồng hồ vạn năng
đều được sử dụng ở chức năng đo cường độ dịng
Hình 7. Sơ đồ mạch điện xác định đặc
điện một chiều (ampe kế).
tuyến tĩnh ra của transistor
- Cần chú ý dòng IB thường nhỏ (nhỏ hơn 50A,
khơng được để vượt q giá trị này), dịng IC cỡ mA, hiệu điện thế UCE được cho biến đổi từ 0
đến 2,5V. Ta tiến hành xác định 3 đặc tuyến tĩnh ra của transistor với các giá trị 10A, 20A,
30A của dòng IB.
- Để tiến hành đo, đặt U CE = 3V , đặt I B = 10  A bằng cách xoay triết áp của biển trở 220. Ghi
E

giá trị của IC. Sau đó giảm UCE lần lượt đến các giá trị như trong bảng 2 và ghi các giá trị IC
tương ứng. Lặp lại phép đo 3 lần. Làm tương tự với các giá trị khác của IB, kết quả được ghi vào
bảng 2.
- Chú ý: khi thay đổi UCE tới giá trị nhỏ thì dịng IB sẽ tăng lên, khi đó ta phải xoay triết áp của
+
biến trở 220 để giữ khơng đổi IB, sau đó mới đọc
A
IC).


-

1k

- Mắc mạch điện theo sơ đồ hình 8. Trong phần này
ta chỉ sử dụng nguồn điện 5V cố định. Hai đồng hồ
vạn năng đều được sử dụng ở chức năng đo cường
độ dòng điện một chiều (ampe kế).
- Giữ không đổi U CE = 5 V, thay đổi IB lần lượt các
giá trị như trong bảng 3, ghi các giá trị IC tương ứng.
Lặp lại phép đo 3 lần, kết quả được ghi vào bảng 3.

+

IC
+

5V

-

A

IB

220

3. Xác định đặc tuyến tĩnh truyền đạt


IE

Hình 8. Sơ đồ mạch điện xác định đặc
tuyến tĩnh truyền đạt của transistor

V. NỘI DUNG CẦN BÁO CÁO
- Báo cáo thí nghiệm được viết theo các phần sau:
I. Mục đích thí nghiệm
- Trình bày ngắn gọn mục đích của bài thí nghiệm.
II. Cơ sở lý thuyết
- Trình bày sơ lược về cấu tạo, phân loại transistor.
- Trình bày sơ lược về các họ đặc tuyến tĩnh của transistor.
III. Kết quả thực nghiệm
- Trình bày theo các mục như trong phần thí nghiệm.
- Trong mỗi phần, nêu sơ lược cách đo, bảng số liệu, tính các giá trị đo được. Từ bảng số
liệu tính tốn được vẽ đặc tuyến tĩnh, nhận xét (các đồ thị phải được vẽ rõ ràng, vẽ bằng
tay trên giấy vẽ đồ thị hoặc vẽ trên máy tính. Đồ thị được trình bày đúng thứ tự của từng
phần).

9


- Trong phần 3, sau khi vẽ xong được tuyến tĩnh truyền đạt và nhận xét, xác định hệ số
khuếch đại của transistor (với các số liệu đã đo được ở bảng 3). Trong phần này lưu ý
cách lấy sai số của các giá trị IB. Với mỗi cặp giá trị của IB và IC ta tính được một giá trị
của K và viết dưới dạng K = K  K , với 5 cặp giá trị như trên ta tính được 5 giá trị của
K. Lấy trung bình cộng các giá trị đó ta sẽ được kết quả cuối cùng của phép đo viết song
song dưới hai dạng K = K  K ; K = K   % .
IV. Nhận xét
- Nhận xét các kết quả thí nghiệm, nêu nguyên nhân dẫn đến sai số.

- Ý kiến đề nghị để bài thí nghiệm được tốt hơn (nếu có).
Lưu ý:
- Bảng kết quả thực nghiệm phải được xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm, nó phải
được ghi rõ ràng, khơng tẩy xố (có thể ghi nháp trước, khi nào thấy kết quả hợp lý, chắc chắn
mới ghi vào bảng). Bảng kết quả này sẽ phải đóng vào cuối của báo cáo thí nghiệm.

10


BẢNG KẾT QUẢ THỰC NGHIỆM – NHĨM 10
Bài thí nghiệm số 10
NGHIÊN CỨU CÁC ĐẶC TUYẾN TĨNH CỦA TRANSISTOR
Họ tên sinh viên: .................................................. Mã số SV: ................ Lớp:.........
Những người làm cùng: 1 ........................................................................................
2 .........................................................................................
3 .........................................................................................
Bảng 1. Kết quả đo IB theo các giá trị của UBE tương ứng trong bảng, đơn vị V ( U CE = 5 V)
Lần đo

0,00

0,20

0,40

0,50

0,55

0,60


0,65

0,70

1

0

0

0

2

3

8

16

36

2

0

0

0


2

3

9

16

36

3

0

0

0

2

3

8

16

37

I B  I B


IB =

 IB =

 IB =

IB =



IB =



 IB =

IB =





IB =



Bảng 2. Kết quả đo IC với các giá trị của UCE (V) ( I B = 10A , IB = 20A , IB = 30A )
I B Lần đo


10

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

1,0

2,5

1

0.00

0.60

1.15

1.05

1.05


1.10

1.10

1.20

2

0.00

0.65

1.05

1.15

1.05

1.05

1.05

1.10

3

0.00

0.65


1.10

1.15

1.10

1.05

1.05

1.10

I C  I C

20

 IC =



IC =

 IC =

IC =



 IC =


 IC =



IC =

1

0.00

1.15

2.25

2.25

2.25

2.15

2.30

2.15

2

0.00

1.15


2.25

2.20

2.15

2.30

2.20

2.25

3

0.00

1.10

2.15

2.20

2.25

2.15

2.25

2.20


I C  I C

30

IC =

IC =

 IC =



IC =

 IC =



IC =

 IC =

 IC =



IC =

1


0.00

1.60

3.35

3.25

3.35

3.35

3.40

3.40

2

0.00

1.60

3.25

3.30

3.35

3.25


3.40

3.30

3

0.00

1.60

3.30

3.25

3.30

3.30

3.30

3.40

I C  I C I C =

 IC =



IC =


 IC =

IC =



 IC =

 IC =



IC =







Bảng 3. Kết quả đo IC theo các giá trị của IB trong bảng, đơn vị A ( U CE = 5 V)
Lần đo

10

20

30

40


50

1

1.20

2.25

3.30

4.35

5.55

2

1.15

2.15

3.35

4.40

5.55

3

1.10


2.20

3.40

4.45

5.45

I C  I C

IC =



IC =



IC =



IC =



IC =




Ngày …… tháng …… năm …………………
Xác nhận của giáo viên hướng dẫn thí nghiệm

11