Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai

ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG
TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM
KHOA VẬT LÝ
----------------

KHÓA LUẬN TỐT NGHIỆP ĐẠI HỌC
NGÀ NH CỬ NHÂN VẬT LÝ
Đề tài:

NGHIÊN CỨU VÀ THIẾT KẾ MẠCH AMPLY LOẠI OTL
NGÕ VÀO VI SAI
Người hướng dẫn:
ThS. Nguyễn Thị Mỹ Đức
Người thực hiện:
Trần Thanh Tùng

Đà Nẵng, tháng 5/2013

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-1-


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai

LỜI CẢM ƠN
Với lòng biết ơn sâu sắc, em xin chân thành cảm ơn Khoa Vật lý, trường Đại
học Sư Phạm – Đại Học Đà Nẵng đã tạo điều kiện cho em thực hiện đề tài luận văn tốt
nghiệp này.

Em xin chân thành cảm ơn cô Nguyễn Thị Mỹ Đức đã tận tình hướng dẫn, chỉ
bảo em suốt thời gian thực hiện đề tài.
Em xin gửi lời cảm ơn đến quý Thầy Cô trong khoa đã truyền đạt cho em
những kiến thức quý giá trong những năm học vừa qua.
Con xin nói lên lịng biết ơn sâu sắc đến Ơng Bà, Cha Mẹ đã chăm sóc, ni
dạy con nên người.
Xin chân thành cảm ơn các anh chị và bạn bè đã ủng hộ, giúp đỡ và động viên
em trong suốt thời gian học tập và nghiên cứu.
Mặc dù em đã cố gắng hoàn thành luận văn trong phạm vi và khả năng cho
phép nhưng chắc chắn sẽ không tránh khỏi những thiếu sót. Em kính mong nhận được
sự cảm thơng và tận tình chỉ bảo của q Thầy Cô và các bạn.
Quảng Nam, ngày 21 tháng 5 năm 2013.
Sinh viên thực hiện

Trần Thanh Tùng

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-2-


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai

LỜI MỞ ĐẦU
Khuếch đại là một vấn đề lớn và phổ biến trong kỹ thuật tương tự. Làm thế nào
để có một tín hiệu ra từ các bộ khuếch đại công suất theo mong muốn và không bị méo
là một thách thức khá lớn đặt ra cho các nhà chuyên môn, kỹ sư cũng như những người
làm trong chuyên ngành điện tử, điện tử viễn thông. Bởi nhiễu làm méo tín hiệu khơng
chỉ do bản thân bên trong các bộ khuếch đại như đột biến điện áp hay dịng điện mà
cịn do tác động của mơi trường bên ngồi như nguồn cung cấp, nhiễu cơng nghiệp gây

nên.
Ngày nay, cùng với sự phát triển của kỹ thuật công nghệ, các bộ tăng âm cũng
được cải tiến đến mức hoàn hảo như hệ thống hifi stereo…âm thanh trung thực, hiệu
suất cao là các chỉ tiêu mà các nhà thiết kế luôn cố gắng để đạt được một cách tốt nhất.
Mạch khuếch đại cơng suất âm tần nói chung cũng đơn giản, nhưng để làm được mạch
khuếch âm có chất lượng cao khơng phải là chuyện dễ dàng. Bởi vì bản thân bộ
khuếch đại có khả năng tiêu tán một lượng lớn cơng suất, nên nó phải được thiết kế
sao cho nhiệt độ mà nó tạo ra khi hoạt động ở mức điện áp cao, dòng điện lớn sẽ được
tản ra môi trường xung quanh với tốc độ cao để tránh bị phá hủy nhiệt. Do đó khó
tránh khỏi sự ảnh hưởng của méo, nhiễu,...dẫn đến tín hiệu ra khơng trung thực.
Vậy nên đặc trưng của các bộ khuếch đại công suất là thường có khối tản nhiệt lớn,
kồng kềnh, nhằm tăng diện tích tiếp xúc, trao đổi nhiệt tốt hơn với môi trường.
Ngày nay, các bộ khuếch đại công suất được sử dụng rộng rãi trong các máy
thu radio, máy nghe băng và các hệ thống stereo chất lượng cao, trong các thiết bị
phịng thu, sân khấu, hệ thống phóng thanh cơng cộng.
Sau đây em xin trình bày một loại mạch khuếch đại cơng suất, đây có thể được xem là
mạch tương đối đơn giản trong kho tàng mạch khuếch âm. Đó là mạch Amply loại
OTL ngõ vào vi sai. Nội dung gồm các phần chính như sau:
 Chương 1: Một số cơ sở vật lý về linh kiện bán dẫn.
 Chương 2: Các loại mạch khuếch đại.
 Chương 3: Thiết kế và tính tốn.
Dù được sự hướng dẫn tận tình của giáo viên hướng dẫn, dù rất cố gắng để
hồn thành luận văn này nhưng vẫn cịn rất nhiều thiếu sót. Rất mong nhận được sự
đóng góp ý kiến của quý thầy cô và các bạn. Em xin chân thành cảm ơn!

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-3-



Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai

MỤC LỤC
Lời cảm ơn........................................................................................................................i
Lời mở đầu......................................................................................................................ii
Chương 1. Một số cơ sở vật lý về linh kiện bán dẫn.
I. Sơ lược về transistor. Các loại mạch phân cực và ổn định cho transistor....................1
1. Sơ lược về cấu tạo của transistor lưỡng cực (Bipolar junction transistor)..........1
2. Nguyên lý làm việc của BJT...............................................................................1
3. Phân cực cho BJT................................................................................................3
3.1. Phân cực bằng dòng cố định......................................................................3
3.2. Phân cực bằ ng hồ i tiế p từ Collector..........................................................4
3.3. Phân cực bằ ng dòng Emitter......................................................................4
4. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT......................................................5
4.1. Mạch khuếch đại mắc kiểu E chung...........................................................5
4.1.1. Sơ đồ mạch và sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều.........................5
4.1.2. Tiń h toán tham số của ma ̣ch.................................................................6
4.2. Mạch khuếch đại mắc kiểu B chung...........................................................6
4.2.1. Sơ đồ mạch và sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều.........................7
4.2.2. Tính toán các tham số của ma ̣ch...........................................................7
4.3. Mạch khuếch đại mắc kiểu C chung...........................................................7
4.3.1. Sơ đồ mạch và sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều.........................8
4.3.2. Tính toán các tham số của ma ̣ch...........................................................8
4.4. Nhận xét......................................................................................................9
II. Hồi tiếp.......................................................................................................................9
1. Định nghĩa...........................................................................................................9
2. Phân loại..............................................................................................................9
2.1. Theo tác dụng khuếch đại...........................................................................9
2.2. Theo dạng tín hiệu hồi tiếp.........................................................................9
2.3. Theo cách ghép với tín hiệu vào.................................................................9

3. Lưu đồ chuẩn và các phương trình cơ bản của mạng 4 cực có hồi tiếp............10
3.1. Lưu đồ chuẩn............................................................................................10
3.2. Phương trình cơ bản.................................................................................10
4. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến các tính chất của bộ khuếch đại.....................11
4.1. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến độ ổn định của hệ số khuếch đại...........11
4.2. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng vào.........................................13
4.2.1. Trở kháng vào của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm nối tiếp..................13
4.2.2. Trở kháng vào của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm song song..............13
4.3. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm tới trở kháng ra.............................................13
4.3.1. Trở kháng ra của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm điện áp.....................14
4.3.2. Trở kháng ra của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm dịng điện.................14
4.4. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến dải động của bộ khuếch đại và độ méo
phi tuyến.........................................................................................................15
4.5. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến tạp âm..........................................................15

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-4-


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.6. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến đặc tính động của bộ khuếch đại.................16
Chương 2. Các loại mạch khuếch đại.
I. Khuếch đại vi sai........................................................................................................17
1. Dùng 2 nguồn tín hiệu.......................................................................................17
2. Dùng 1 nguồn tín hiệu.......................................................................................20
3. Tỷ số nén đồng pha...........................................................................................22
II. Khuếch đại công suất................................................................................................23
1. Đại cương về khuếch đại công suất...................................................................23
2. Chế độ làm việc và định điểm làm việc cho tầng khuếch đại công suất...........23

2.1. Chế độ A...................................................................................................23
2.2. Chế độ B...................................................................................................24
2.3. Chế độ AB................................................................................................24
2.4. Chế độ C...................................................................................................24
2.5. Mô tả chế độ làm việc của tầng khuếch đại công suất..............................25
3. Các mạch khuếch đại công suất........................................................................25
3.1. Mạch khuếch đại công suất loại A............................................................25
3.2. Mạch khuếch đại công suất loại B............................................................27
III. Mạch khuếch đại công suất OTL............................................................................28
1. Mạch khuếch đại công suất OTL......................................................................28
1.1. Mạch OTL dùng 2 BJT mắc kiểu đẩy kéo................................................28
1.2. Mạch OTL dùng 2 BJT kiểu bổ phụ.........................................................29
1.3. Nhận xét....................................................................................................30
IV. Các biện pháp cải thiện và bảo vệ mạch.................................................................30
1. Khắc phục méo xuyên tâm................................................................................30
2. Mạch Darlington...............................................................................................31
3. Phương pháp tăng hệ số khuếch đại cho tầng khuếch đại thúc.........................32
4. Mạch bảo vệ ngắn mạch cho tải........................................................................33
5. Mạch cân bằng trở kháng loa............................................................................33
Chương 3. Thiết kế và tính tốn.
Đề bài: Thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai................................................34
Sơ đồ mạch khuếch đại công suất OTL ngõ vào vi sai.................................................35
Tác dụng các linh kiện...................................................................................................36
Tính tốn chọn linh kiện................................................................................................37
I. Tầng nguồn.................................................................................................................37
1. Biên độ tín hiệu ra trên tải.................................................................................37
2. Nguồn cung cấp.................................................................................................37
3. Công suất cung cấp từ nguồn VCC.....................................................................38
4. Hiệu suất cực đại của mạch...............................................................................38
II. Tính tốn phần cơng suất..........................................................................................38

1.Chọn các điện trở R1 và R2.................................................................................38
2. Chọn cặp transistor công suất Q1, Q2................................................................39
3. Tính điện trở R3 và R4.......................................................................................40
4. Chọn cặp transistor Q3 và Q4.............................................................................41

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-5-


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
III. Tính tầng khuếch đại thúc.......................................................................................43
1. Tính chọn diode D1, D2, D3 và VR2..................................................................44
2. Tính tốn transistor Q7 làm nguồn dịng............................................................44
3. Tính chọn Q8 và R10, R11...................................................................................46
IV. Tính tốn tầng khuếch đại vi sai..............................................................................48
1. Tính R13, R14......................................................................................................48
2. Tính chọn nguồn dịng Q9.................................................................................49
3. Tính chọn tầng vi sai Q10 và Q11.......................................................................50
4. Tính hệ số khuếch đại và trở kháng vào của mạch...........................................51
4.1. Hệ số khuếch đại toàn mạch.....................................................................51
4.2. Trở kháng vào của mạch...........................................................................52
5. Tính chọn R15, R16 và VR3................................................................................52
V. Tính tốn các linh kiện cịn lại..................................................................................53
1. Mạch bảo vệ......................................................................................................53
1.1. Tính chọn Q5, Q6.......................................................................................53
1.2. Tính R5, R6, R7, R8....................................................................................54
2. Tính các tụ.........................................................................................................54
2.1. Tính tụ C 1 .................................................................................................54
2.2. Tính tụ C3..................................................................................................54

2.3. Tính tụ C4..................................................................................................55
2.4. Tính tụ C5..................................................................................................55
2.5. Tính tụ C6..................................................................................................55
3. Tính toán mạch lọc zobel..................................................................................56
VI. Kiểm tra méo phi tuyến...........................................................................................57
VII. Kết luận..................................................................................................................58
Tài liệu tham khảo.........................................................................................................59
Phụ lục......................................................................................................

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-6-


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
CHƯƠNG 1. MỘT SỐ CƠ SỞ VẬT LÝ VỀ LINH KIỆN BÁN DẪN
I. Sơ lược về transistor. Các loại mạch phân cực và ổn định cho transistor.
1. Sơ lược về cấu tạo của transistor lưỡng cực (Bipolar junction transistor).
- Transistor lưỡng cực (BJT) là loại linh kiện bán dẫn có 3 miền với các loại chất
bán dẫn xen kẽ nhau trong cùng một đơn tinh thể bán dẫn. Các miền này được phân
cách với nhau bởi các chuyển tiếp P-N. Tương ứng với mỗi miền là một cực của BJT.
Tùy theo sự sắp xếp các miền P và N mà ta có 2 loại BJT là P-N-P và N-P-N.

Hình 1.1: BJT loại P-N-P

Hình 1.2: BJT loại N-P-N
- BJT có 3 miền bán dẫn (3 cực): miền Emitter (cực phát), ký hiệu là E có nồng độ
tạp chất lớn nhất, miền giữa là miền Base (cực nến), ký hiệu là B có nồng độ tạp chất
thấp nhất và rất mỏng, miền còn lại là Collector (cực thu), ký hiệu là C có nồng độ pha
tạp trung bình.

- BJT có 2 tiếp giáp là tiếp giáp giữa miền E và B gọi là tiếp giáp JE và tiếp giáp
giữa miền C và B gọi là tiếp giáp JC.
2. Nguyên lý làm việc của BJT.
- BJT có 3 chế độ làm việc:
+ Chế độ ngưng dẫn: Cả 2 tiếp giáp JE và JC đều được phân cực ngược, lúc đó BJT
khơng dẫn điện, chỉ có dịng rị rất nhỏ chạy trong các tiếp giáp.
+ Chế độ khuếch đại: Tiếp giáp JE phân cực thuận, JC phân cực ngược. Chế độ này
còn gọi là chế độ tích cực. Nó được dùng nhiều nhất trong kỹ thuật mạch tương tự,

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-7-


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
dùng để khuếch đại tín hiệu. Lúc này, BJT làm việc với q trình điều khiển dịng
điện, điện áp hay cơng suất.
+ Chế độ bão hịa: Tiếp giáp JE và JC đều được phân cực thuận. Lúc này, BJT có
điện trở rất nhỏ và dịng qua nó rất lớn.
Ở chế độ ngưng dẫn và chế độ bão hòa, BJT làm việc như một phần tử tuyến tính
trong mạch điện, trong BIT khơng có q trình điều khiển dịng hay điện áp. Ở chế độ
này, BJT thường được ứng dụng trong các mạch số, dùng làm khóa đóng ngắt,..
* Nguyên lý làm việc của BJT.

Hình 2.1: Sơ đồ nguyên lý hoạt động của BJT
Khi chưa có nguồn cấp điện VCC, VEE thì BJT có hai mối nối P –N ở trạng thái cân
bằng và hàng rào điện thế ở mỗi mối nối duy trì trạng thái cân bằng này.
Ở hình vẽ trên, ta chọn nguồn VCC » VEE và trị số điện trở sao cho thỏa điều kiện:
- Mối nối P – N giữa B và E (lớp tiếp giáp, lớp tiếp xúc JE) được phân cực thuận.
- Mối nối P – N giữa B và C (lớp tiếp giáp, lớp tiếp xúc JC) được phân cực nghịch.

- VBE đạt thế ngưỡng tùy loại BJT.
Điện tử từ cực âm của nguồn VEE di chuyển vào vùng phát qua vùng nền, đáng lẽ
trở về cực dương của nguồn VEE nhưng vì: vùng nền rất hẹp so với hai vùng kia và
nguồn VCC » VEE nên đa số điện tử từ vùng nền vào vùng thu, tới cực dương của nguồn
VCC, một ít điện tử cịn lại về cực dương của nguồn VEE. Sự dịch chuyển của điện tử
tạo thành dòng điện:
- Dòng vào cực nền gọi là dòng IB.
- Dòng vào cực thu gọi là dòng IC.
- Dòng từ cực phát ra gọi là dịng IE.
Ngồi ra, mối nối P – N giữa B và C được phân cực nghịch cịn có dịng rị (rỉ) rất
nhỏ gọi là ICBO.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-8-


Ta có: IE = IB + IC

Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
(1)

IC = .IB = αIE

(2)

Trong đó: α go ̣i là hê ̣ số truyề n đa ̣t dòng điên, hê ̣ số α gầ n bằ ng 1.
β go ̣i là hê ̣ số khuế ch đa ̣i dòng điê ̣n.
3. Phân cực cho BJT.
- Muốn transistor làm việc , ta cần phải phân cực cho nó. Ở đây, ta chỉ xét BJT làm

việc ở chế độ khuếch đại.
- Về nguyên tắc, việc cung cấp cho BJT để xác định điểm công tác tĩnh phải đảm
bảo sao cho BJT luôn luôn làm việc trong miền tích cực, và các tham số của nó ln
ln thỏa mãn các điều kiện cho phép sau:
+ Tiếp giáp JC được phân cực ngược, JE được phân cực ngược.
+ Dòng IC phải rất lớn so với ICO.
+ Phải đảm bảo các điều kiện cho phép về dòng, áp, cơng suất và nhiệt độ.
- Có 3 cách phân cực cho BJT:
3.1. Phân cực bằng dòng cố định:
- Ta có dịng IB từ nguồn 1 chiều cấp cho
BJT khơng đổi.

VCC  VBE
IB =
RB
VCE = VCC – IC.RC
- Vì VCC, RC khơng đổi nên IC tăng thì VCE
giảm và ngược lại. Mạch này ổn định nhiệt
kém vì trong quá trình làm việc, BJT nóng
lên là tăng số lượng hạt dẫn, tăng IC nhưng
khơng có gì tác động để giảm IC. Do đó
Hình 3.1: Mạch khuếch đại dùng BJT,
phân cực bằng dòng IB cố định.

mạch này chỉ dùng khi yêu cầu ổn định nhiệt
không cao.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

-9-



Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
3.2. Phân cực bằ ng hồ i tiế p từ Collector:

Hình 3.2: Mạch phân cực bằng hồi tiếp từ Collector
- Ta có: VCC – ( IB + IC).RC – IB.RB – VBE = 0
VCC – ( 1 + )IB.RC – IB.RB – VBE = 0
IB =

VCC  VBE
RB  (1   ) RC ;

IC = IB

VCE = VCC – IC.RC
- Mạch này ổn định nhiệt vì khi nhiệt độ tăng làm I C.RC tăng theo nên VCE giảm
khiến điện áp đưa về B giảm, khi đó IC được kéo về giá trị ban đầu.
- Mạch này ổn định nhiệt tốt hơn mạch phân cực dùng dòng cố định nhưng cả 2
vẫn không tăng cao độ ổn định nhiệt.
3.3. Phân cực bằ ng dòng Emitter:
- Mạch dùng hai điện trở RB1, RB2
tạo thành cầu phân áp để phân
cực thuận JE, RC lấy điện áp từ
nguồn VCC phân cực cho JC. RE là
điện trở ổn định nhiệt.

Hình 3.3: Mạch phân cực bằng dòng Emitter

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL


- 10 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
- Dùng đinh
̣ lý Thevenin, ta vẽ đươ ̣c ma ̣ch tương đương:
- Ta có VBB =

VCC .R2
; R = R // R
RB1  RB 2 BB B1 B2

VBB = IB.RBB + VBE + IE.RE
 IB =

VBB  VBE
; I = .IB
RBB  (1   ) RE C

VCE = VCC – IC.RC – IE.RE
Hình 3.4: Mạch tương đương theo định
lý Thevenin.
 Ta biết khi nhiệt độ tăng, 3 tham số của BJT sẽ thay đổi đó là VBE, , IC. Trong 2
kiểu phân cực trên, kiểu phân cực bằng dòng Emitter cho ta dòng IC ổn định nhất vì
dịng IC hầu như khơng phụ thuộc vào  vì IC  VBB/RE nếu chọn VBB>>VBE.
4. Các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ dùng BJT.
- Transistor có 3 cách mắc:
+ E chung: E-C.
+ B chung: B- C

+ C chung: C- C.
4.1. Mạch khuếch đại mắc kiểu E chung:
4.1.1. Sơ đồ mạch và sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều:

Hình 4.1: Sơ đồ mạch khuếch đại CE

Hình 4.2: Sơ đồ tương đương của mạch CE

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 11 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.1.2. Tính toán tham số của mạch:
- Điê ̣n trở vào của mạch Rv:
Rv = ( R1 // R2) // rbe

ube ib .rb  ie .re ib .rb  (1   ).re .ib
rbe =
=
= rb + (1 + ).re
ib =
ib
ib
Nếu R1 // R2 >> rbe thì Rv = rbe
- Hê ̣ số khuế ch đại dòng điê ̣n Ki:
Hê ̣ số khuế ch đa ̣i dòng điê ̣n là tỉ số giữa dòng điê ̣n ra với dòng điê ̣n vào của ma ̣ch.
Ki =


it ib ic it
= . .
i v iv ib i c

it.Rt = ic.(RC // Rt)
Ta có:
Vậy

iv.Rv = ib.rv; ic = β.ib
Ki =

Rv RC // Rt
..
rv
Rt

Ta thấ y, hê ̣ số khuế ch đa ̣i Ki phu ̣ thuô ̣c vào:
+ hê ̣ số β của BJT
+ giá tri ̣điê ̣n trở của bô ̣ phân áp
+ điê ̣n trở RC và RT
Nế u ta cho ̣n R1//R2 >> rV; RC >> Rt thì Ki → β
Ma ̣ch CE có hê ̣ số khuế ch đa ̣i dòng điê ̣n lớn.
- Hê ̣ số khuế ch đại điê ̣n áp Ku :
Hê ̣ số khuế ch đa ̣i điê ̣n áp Ku là tỉ số giữa điê ̣n áp trên tải với điê ̣n áp vào của ma ̣ch.

vt
Rv RC // Rt
vt
it .Rt
Rt

Ku =
=
== - Ki .
= - . .
vv v s
iv .(rs  Rv )
rv rs  Rv
rs  Rt
Nế u R1//R2 >> rV; rS rấ t nhỏ; β lớn thì hê ̣ số khuế ch đa ̣i Ku lớn.
Dấu trừ biểu thị điện áp ra với điện áp vào ngược pha nhau.
4.2. Mạch khuếch đại mắc kiểu B chung:

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 12 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.2.1. Sơ đồ mạch và sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều:

Hình 4.3: Sơ đồ mạch khuếch đại CB

Hình 4.4: Sơ đồ tương đương của mạch CE

4.2.2. Tính toán các tham số của mạch:
- Điê ̣n trở vào: Rv = Re // reb
Trong đó: reb =

veb ib .rb  ie .re
rb

= re +
ie
ie =
1 

- Hê ̣ sớ kh́ ch đại dòng Ki:
Ki =
Ta có:

i t i e i c it
= . .
iV iV ie iC

it.Rt = iC.(RC // Rt)
iv.Rv = ie.rv; iC = α.ie

Vậy

Ki =

Rv
RC // Rt
. .
rv
Rt

Hệ số khuếch đại dòng điện Ki của mạch BC < 1.
- Hệ số khếch đại điện áp Ku:

vt

Rv RC // Rt
vt
it .Rt
Rt
Ku =
=
=
= Ki .
= . .
vv v s iv .(rs  Rv )
rv rs  Rv
rs  Rt
Điện áp ra với điện áp vào cùng pha nhau.
Hệ số khếch đại điện áp Ku của mạch BC >> 1.
4.3. Mạch khuếch đại mắc kiểu C chung:

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 13 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.3.1. Sơ đồ mạch và sơ đồ tương đương chế độ xoay chiều:

Hình 4.5: Sơ đồ mạch khuếch đại kiểu CC

Hình 4.6: Sơ đồ tương đương của mạch
khuếch đại CC

4.3.2. Tính toán các tham số của mạch:

- Điê ̣n trở vào:
Rv = (R1 // R2) // rv

u b ib .rb  (re  Re // Rt ).ie
= rb + (1 + β).(re + Re // Rt)
=
ib
ib

rv =

Nế u cho ̣n R1 // R2>>rV thì RV lớn.
- Hê ̣ sớ kh́ ch đại dòng Ki:
Ki =
Ta có:

it ib i e it
iv = iv . ib . ie

it.Rt = ie.(Re // Rt)
iv.Rv = ib.rv; ie = (1 + β).ib

Vậy

Re // Rt
Rv
Ki =
. (1 + ).
Rt
rv


- Hệ số khếch đại điện áp Ku:
Ku =

vt
Rv Re // Rt
vt
it .Rt
Rt
=
=
= Ki .
= (1 + ) . .
vv v s iv .(rs  Rv )
rv rs  Rv
rs  Rt

Điê ̣n áp ra với điê ̣n áp vào cùng pha nhau.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 14 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.4. Nhận xét:
- Mạch E – C có hệ số khuếch đại cơng suất lớn ( vì Ku , Ki đều lớn). Do đó, nó
thường được dùng trong các mạch khuếch đại.
Trở kháng vào và ra của mạch có giá trị trung bình nên mạch E – C tiện lợi đối với
việc ghép nguồn tín hiệu và tải. Điện trở tải yêu cầu từ vài K đến 10K.

- Mạch B – C thường có hệ số khuếch đại điện áp lớn nhưng khơng khuếch đại
dịng điện. Do đó, hệ số khuếch đại công suất không lớn.
Mạch này thường được dùng làm việc với tần só cao.
- Mạch C – C chỉ khuếch đại dịng mà khơng khuếch đại điện áp. Nó có trở kháng
vào lớn, trở kháng ra nhỏ nên dùng để phối hợp trở kháng với tải có trở kháng nhỏ với
nguồn tín hiệu có trở kháng nội lớn.
- Mạch B – C và C – C có tín hiệu ra đồng pha với tín hiệu vào, còn mạch E – C
khuếch đại đảo pha.
II. Hồi tiếp.
1. Định nghĩa:
- Mạch hồi tiếp là mạch lấy một phần năng lượng ở ngõ ra đưa về cung cấp lại cho
ngõ vào để điều chỉnh lại các thông số và chỉ tiêu kỹ thuật của mạch khuếch đại.
2. Phân loại: Theo 3 cách:
2.1. Theo tác dụng khuếch đại:
- Mạch hồi tiếp dương: Khi có hồi tiếp sẽ làm tăng độ khuếch đại.
- Mạch hồi tiếp âm: Khi có hồi tiếp sẽ làm giảm độ khuếch đại.
- Hồi tiếp dương tuy làm tăng hệ số khuếch đại nhưng làm mất tính ổn định của
mạch nên không được sử dụng trong lĩnh vực khuếch đại, thường chỉ dùng trong các
mạch tạo dao động.
- Hồi tiếp âm tuy làm giảm hệ số khuếch đại nhưng có nhiều ưu điểm nên được
dùng phổ biến trong các mạch khuếch đại.
2.2. Theo dạng tín hiệu hồi tiếp:
- Mạch hồi tiếp điện áp: phần năng lượng đưa về tỉ lệ với điện áp đầu ra.
- Mạch hồi tiếp dòng điện: phần năng lượng đưa về tỉ lệ với dịng điện đầu ra.
2.3. Theo cách ghép với tín hiệu vào:

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 15 -



Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
- Hồi tiếp song song: khi phần năng lượng đưa về mắc song song với nguồn tín
hiệu.
- Hồi tiếp nối tiếp: khi phần năng lượng đưa về mắc nối tiếp với nguồn tín hiệu.
3. Lưu đồ chuẩn và các phương trình cơ bản của mạng 4 cực có hồi tiếp:
3.1. Lưu đồ chuẩn :
- Tất cả các loại mạch hồi tiếp đều có thể quy về sơ đồ khối tổng quát của một
mạch điều khiển như hình:

Hình 3.1: Lưu đồ chuẩn của mạch khuếch đại có hồi tiếp âm
- Trong đó:
+ Xth: Nguồn tín hiệu, áp hoặc dịng.
+ Kn: Mạch vào có hệ số truyền đạt là Kn.
+ Xi: Đại lượng sau khi qua mạch vào.
+ Xh: Đại lượng vào trực tiếp bộ khuếch đại.
+ K: Hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại.
+ Xo: Đại lượng ra.
+ Kht: Hàm truyền của mạch hồi tiếp.
+ Xht: Đại lượng hồi tiếp.
+

: Tái hợp của Xi và Xht.

Ở đây ta chỉ xét mạch hồi tiếp âm, ký hiệu dấu (-).
3.2. Phương trình cơ bản:
- Từ lưu đồ chuẩn, ta có quan hệ giữa các đại lượng:
Xi = Kn.Xth
Xht = Kht.Xo
Xo = K.Xh

- Vì hồi tiếp âm nên: Xh = Xi  Xht

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 16 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
 Xh = Xi  Kht.Xo
 Xh = Xi – K.Kht.Xh
 Xi = Xh + K.Kht.Xh
 Xi = Xh.( 1+ K.Kht)
- Hệ số khuếch đại của mạch khuếch đại khi có hồi tiếp âm:
K’ =

Xo
Xo
K
=
=
X h .(1  K .K ht ) 1 K.K ht
Xi

- Bản thân K’ không phụ thuộc vào mạch khuếch đại mà chỉ phụ thuộc vào mạch
hồi tiếp. Nếu hồi tiếp qua nhiều tầng thì K lớn: K.Kht >> 1  K’ 

1
K ht

- Hệ số khuếch đại toàn phần của mạch khuếch đại khi có hồi tiếp âm:

Xo
X
X
K
= o = Kn. o = Kn.K’ = Kn.
Xi
X th
Xi
1 K.K ht
Kn
K
- Gọi Kv: hệ số khuếch đại vòng  Ktp = Kn.
với Kv = K.Kht.
1  Kv
K
- Gọi g: độ sâu hồi tiếp với g = 1+Kv  Ktp =
g

Ktp =

Vậy khi có hồi tiếp âm thì hệ số khuếch đại của mạch giảm đi g lần.
* Nếu hồi tiếp bao từng tầng riêng biệt:

K’ =  K 
1 K.K 
ht 


n


Kn
* Nếu hồi tiếp bao nhiều tầng: K’ =
1 K n .K ht
Với n là số tầng.
4. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến các tính chất của bộ khuếch đại:
- Mạch hồi tiếp âm ngoài tác dụng làm giảm độ khuếch đại điện áp cịn làm thay
đổi các thơng số và chỉ tiêu kỹ thuật khác của mạch như độ ổn định của hệ số khuếch
đại, trở kháng vào, trở kháng ra, méo phi tuyến…
4.1. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến độ ổn định của hệ số khuếch đại:
- Gọi sai số hệ số khuếch đại toàn phần của bộ khuếch đại có hồi tiếp là Ktp, của
bộ khuếch đại khơng có hồi tiếp là K.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 17 -


- Ta có:

Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
K n .K
Ktp =
.
1  K .K ht

- Vi phân biểu thức trên theo K, Kht và Kn, ta có:

 1.K
.K
K

2 .dK
2
dKtp =
.dKn + Kn.K.
.dKht +
1 K .K ht
1 K .K ht
1 K.K ht









- Từ đó suy ra:
K tp
K tp



K
K
K .K ht
K n
1

. ht +

.
1  K .K ht K ht
Kn
1  K.K ht K

- Do đó, sai số tương đối hệ số khuếch đại có hồi tiếp âm nhỏ hơn (1 + K.K ht) lần
so với sai số tương đối hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại khi khơng có hồi tiếp.
- Nghĩa là hồi tiếp âm làm tăng độ ổn định của bộ khuếch đại của mạch. Giả sử vì
lý do nào đó, hệ số khuếch đại tăng một lượng K, lập tức trong mạch hồi tiếp có một
phần năng lượng đưa trở lại đầu vào và ngược pha với tín hiệu đầu vào làm hệ số
khuếch đại giảm về trị ban đầu.
- Để có được bộ khuếch đại chính xác, các phần tử thụ động của mạch phải có độ
chính xác cao.
- Hồi tiếp bao nhiều tầng cho độ ổn định của hệ số khuếch đại cao hơn hồi tiếp bao
một tầng. Thật vậy, nếu có bộ khuếch đại n tầng, hệ số khuếch đại mỗi tầng là K và hệ
số khuếch đại của bộ khuếch đại khi có hồi tiếp là K’ thì với bộ khuếch đại dùng hồi
X
tiếp âm bao từng tầng riêng rẽ, ta có: K’ = o =
Xi

 Sai số tương đối:

 K 
1 K.K 
ht 


n

n

K
K '
=
.
= K1
1 K.K ht K
K'

- Đối với bộ khuếch đại dùng hồi tiếp âm bap tất cả các tầng:
K’ =

Xo
Kn
=
Xi
1 K n .K ht

 Sai số tương đối:

n
K
K '
=
.
= K2
n
1 K .K ht K
K'

- Ta thấy:


K2  K1 .

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 18 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.2. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm đến trở kháng vào:
4.2.1. Trở kháng vào của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm nối tiếp:
- Khi khơng có hồi tiếp: Kht.Xo = 0
Zv =

U U'
Uv
= h
= rh + Rrht
IV
Iv

- Khi có hồi tiếp:
Z’v =

U  U '  K ht . X o
Uv
= h
IV
Iv


=

 Z’v  g.Rrht + g.rh  g.rh

Hình 4.1: Sơ đồ của bộ khuếch đại
có hồi tiếp âm nối tiếp

U h .(1  K.K ht )  U '
Iv

- Nếu Rrht << rh thì Z’v = g.Zv

4.2.2. Trở kháng vào của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm song song:
- Khi khơng có hồi tiếp:
Yv =

I  I'
I
1
1
1
= v = h
=
+
Zv
rht
rh
U
Uv


- Khi có hồi tiếp:
Y’v =

=
Hình 4.2: Sơ đồ của bộ khuếch đại
có hồi tiếp âm song song

I
1
= v
Z'v
Uv
I h  I '  K ht .X o
1
g
=
+
rht
rh
Uv

- Với rht >> rh  Y’v =

Yv
g

Vậy: hồi tiếp âm nối tiếp làm tăng trở kháng vào của phần mạch nằm trong vòng
hồi tiếp lên g lần và hồi tiếp âm song song làm giảm trở kháng vào g lần.
4.3. Ảnh hưởng của hồi tiếp âm tới trở kháng ra:
- Hồi tiếp âm cũng làm biến đổi trở kháng ra của bộ khuếch đại. Sự biến đổi này

không phụ thuộc vào phương pháp dẫn tín hiệu hồi tiếp về đầu vào mà phụ thuộc
phương pháp nối đầu ra bộ khuếch đại với đầu vào mạch hồi tiếp.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 19 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
4.3.1. Trở kháng ra của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm điện áp:

Hình 4.3: Sơ đồ của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm điện áp
- Khi khơng có hồi tiếp: Zr = rr // rvht với rr << rvht thì Zr rr
- Khi có hồi tiếp:
U rh = K’h.Xv =

r
rr
U rh
=
= r
1 K .K ht
g1
I rng

 Z’r =
 Z’r 

K .X
K .X

Kh
.Xv ; I rng = h h = h v
1 K h .K ht
rr
rr

rr
g

Zr
g
Vậy, hồi tiếp âm điện áp làm giảm trở kháng ra của phần mạch nằm trong vòng hồi

- Khi rr << rvht thì Z’r =

tiếp g lần.
4.3.2. Trở kháng ra của bộ khuếch đại có hồi tiếp âm dịng điện:
- Khi khơng có hồi tiếp: Zr = rr + rvht
Nếu rr >> rvht thì Zr = rr
- Khi có hồi tiếp:
I rng = K’ng.Xv =

K ng
1 K ng .K ht

.Xv

U rh = Kng.Xh.rr = Kng.Xv.rr

Z’r =


U rh
= rr.( 1+ Kng.Kht) = gng.rr  g.rr
I rng

Nếu rvht << rr thì Z’r  g.Zr
Hình 4.4: Sơ đồ của bộ khuếch đại có
hồi tiếp âm dòng điện

Vậy: hồi tiếp âm dòng điện làm trở kháng
ra của phần mạch có hồi tiếp tăng lên g lần.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 20 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
* Tóm lại, các mạch hồi tiếp âm làm tăng tổng trở ngõ vào thường được dùng cho
khuếch đại đầu tiên để không làm giảm biên độ của tín hiệu nguồn Vs. Các mạch hồi
tiếp âm làm giảm tổng trở ngõ ra thường được dùng cho tầng cuối cùng để tăng khả
năng cấp dòng cho tải.
4.4. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến dải động của bộ khuếch đại và độ méo phi tuyến:
- Khi khơng có hồi tiếp âm thì tồn bộ tín hiệu được đưa đến đầu vào bộ khuếch
đại, do đó: Xh = Xi
- Khi có hồi tiếp âm, chỉ có một phần tín hiệu được đặt vào bộ khuếch đại:
Xh = Xi – Kht.Xo = Xi – K.Kht.Xh
 Xh =

Xi

g

- Do đó, nhờ hồi tiếp âm nên dải động của bộ khuếch đại được mở rộng.
- Ngồi ra, vì tín hiệu vào của bộ khuếch đại có hồi tiếp Xh nhỏ hơn tín hiệu vào
của bộ khuếch đại không hồi tiếp Xi là g lần nên méo phi tuyến do độ cong đường đặc
tính truyền đạt của bộ khuếch đại gây ra tương ứng cũng giảm đi ít nhất là bấy nhiêu
lần.
- Đó là một trong những ưu điểm lớn nhất của hồi tiếp âm và nhờ đó có thể nâng
cao tính chân thực và độ nhạy của bộ khuếch đại.
4.5. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến tạp âm:
- Giả sử tạp âm được đưa vào giữa hai tầng của bộ khuếch đại.

Hình 4.5: Sơ đồ tạp âm được đưa vào giữa 2 tầng của bộ khuếch đại
- Ta có: [( Xth – Kht.Xo).K1 + Xta].K2 = Xo
 Xo =

K1 .K 2
K2
.Xth +
.Xta
1  K1 .K 2 .K ht
1  K1 .K 2 .K ht

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 21 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
 Xo = Xoth + Xota

- Ta thấy trong mạch có hồi tiếp, tạp âm ở đầu ra Xota giảm đi K1.K2.Kht lần. Từ đó
có tỉ số:
X
X oth
= K1. th
X ta
X ota

Vậy: tỉ số tín hiệu trên tạp âm ở đầu ra càng lớn khi K1 càng lớn và chỉ có thể khử
tạp âm xuất hiện sau tầng thứ nhất, không thể giảm nhỏ loại tạp âm xuất hiện ở ngay
đầu vào bộ khuếch đại.
4.6. Ảnh hưởng của hồi tiếp đến đặc tính động của bộ khuếch đại:
- Các thành phần điện kháng trong mạch điện có trở kháng biến đổi theo tần số, do
đó, hệ số truyền đạt của mạch cũng phụ thuộc tần số.
Hiện tượng đó gây méo dạng tín hiệu khi nó đi qua bộ khuếch đại. Loại méo này
gọi là méo phi tuyến. Trong đó, méo do mơđun hệ số khuếch đại gây ra gọi là méo tần
số, còn méo do dịch pha của bộ khuếch đại gây ra gọi là méo pha.
- Các đặc tính động của bộ khuếch đại được xác định bởi dải tần làm việc của nó.
- Tần số giới hạn dưới của bộ khuếch đại có hồi tiếp giảm xuống g m lần, với gm là
độ sâu hồi tiếp ở tần số trung bình, cịn tần số giới hạn trên tăng lên g m lần. Do đó, dải
tần của bộ khuếch đại có hồi tiếp lớn hơn dải tần của bộ khuếch đại khơng có hồi tiếp.
- Với mạch hồi tiếp khơng phụ thuộc tần số thì hồi tiếp âm khơng làm giảm méo
tần số, cịn với mạch hồi tiếp phụ thuộc tần số thì hồi tiếp âm khơng những mở rộng
được dải tần làm việc của bộ khuếch đại mà cịn có tác dụng giảm méo tần số.
Kết luận: Khi khảo sát về mạch hồi tiếp âm, ta thấy hồi tiếp âm tuy làm giảm độ
khuếch đại nhưng nâng cao được phẩm chất của mạch khuếch đại như tăng độ ổn định
của mạch, tăng băng thông. Nhưng khi sử dụng mạch hồi tiếp âm cần chú ý không
được để hồi tiếp quá sâu sẽ làm tín hiệu đưa về cùng pha với tín hiệu vào.

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL


- 22 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
CHƯƠNG 2. CÁC LOẠI MẠCH KHUẾCH ĐẠI
I. Khuếch đại vi sai:
- Bộ khuếch đại vi sai khuếch đại hiệu hai điện áp đặt ở đầu vào. Do đó, điện áp ra
của nó chỉ chịu ảnh hưởng của hiệu các điện áp trơi của transistor. Vì vậy, bộ khuếch
đại vi sai có mức trơi rất thấp. Trường hợp mạch hồn tồn đối xứng thì trơi được khử
hồn tồn.
- Để phát huy ưu điểm đó của mạch, người ta khơng những dùng bộ khuếch đại vi
sai để khuếch đại hiệu hai điện áp mà còn để khuếch đại một điện áp. Điện áp đó được
đưa đến một đầu vào, đầu vào cịn lại được nối đất.
* Các cách đưa tín hiệu đến khuếch đại vi sai:
1. Dùng 2 nguồn tín hiệu:

Hình 1.1: Sơ đồ mạch khuếch đại vi sai dùng 2 nguồn tín hiệu
- Nếu Un1, Un2 đồng pha, đồng trị: mạch làm nhiệm vụ khuếch đại đồng pha.
- Nếu Un1  Un2: mạch khuếch đại vi sai.
- Áp ra lấy theo kiểu đơn hoặc vi sai.
* Chế độ tĩnh:

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 23 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
- Phương trình điện áp mạch chân base:

EC2 – Ib1Rn1 – Vbe1 – 2.IE.RE = 0
 EC2 
 IE =

IE
.Rn – Vbe – 2.IE .RE = 0
1 

EC 2  Vbe
R
2.RE  n
1 

VC = EC1 – IC.RC
VCE = VC – VE = VC – ( VBE  Ib.Rn) = VC + VBE + Ib.Rn
với giả thiết mạch hồn tồn đối xứng.
* Chế độ tín hiệu:
- Nếu Un1  Un2: có sự sai lệch ở cửa vào. Mạch làm nhiệm vụ khuếch đại vi sai.
- Sơ đồ tương đương:

Hình 1.2: Sơ đồ tương đương
- Áp dụng phương trình điện áp KVL cho:
+ Vòng I: Un1 – ib1.Rn1 – ie1.re1 – (ie1 + ie2).RE = 0
+ Vòng II: Un2 – ib2.Rn2 – ie2.re2 – (ie1 + ie2).RE = 0
- Từ đó, ta có hệ phương trình:
Un1 – (re1 + RE).ie1 – ie2.RE = 0
Un2 – (re2 + RE).ie2 – ie1.RE = 0
Vì:

ib1.Rn1  0

ib2.Rn2  0

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 24 -


Nghiên cứu và thiết kế mạch Amply loại OTL ngõ vào vi sai
- Coi re1 = re2 = re, ta có:
Un1 – (re + RE).ie1 – ie2.RE = 0
Un2 – (re + RE).ie2 – ie1.RE = 0
- Dùng phương pháp định thức giải hệ phương trình trên, ta có:
Un1

RE

Un2

re + R E

ie1 =
re + RE
RE

RE
re + R E

U n1 .(re  RE )  U n 2 .RE
U n1  U n 2


2
2.re
(re  RE ) 2  RE

=

r e + RE

Un1

RE

Un2

ie2 =
re + R E
RE
=

RE
re + R E

U n 2 .(re  RE )  U n1 .RE
U  U n1
 n2
2.re
2.re .RE

U n1  U n 2
.RC

2.re
U  U n1
U  U n2
V02 =  ic2.RC =  ie2.RC =  n 2
.RC = n1
.RC
2.re
2.re
2.(U n1  U n 2 )
R
- Áp ra vi sai: Vovs = Vo1 – Vo2 = RC.
= C (Un1 – Un2)
2.re
re

Từ đó: Vo1 =  ic1.RC =  ie1.RC = 

- Hệ số khuếch đại lối ra vi sai: Kvs =

R .i
I
Vovs
R
= C = C e = C .RC
VT
VT
Vivs
re

- Trở kháng vào vi sai:

rvvs =

Vi
U
= n1
iv
ib1

Un2 = 0

Sinh viên thực hiện: Trần Thanh Tùng - Lớp: 09CVL

- 25 -