tài liệu ptit – huy ptit

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (160.09 KB, 9 trang )

(1)<div class='page_container' data-page=1>

Bài giải:

a. Transistor được mắc theo sơ đồ DC – Drain Common.
b. Mạch định thiên kiểu phân áp.

c. R R1, 2: Cầu phân áp lấy từ nguồn VD tạo điện áp phân cực cho G.

R3: Điện trở cực S nhằm ổn định độ khuếch đại của transistor.

C C1, 2: Tụ liên lạc lấy tín hiệu vào và tín ra của mạch transistor.

Bài giải:

Điện áp trên cực gốc chính là sụt áp trên điện trở R2 do dòng điện phân áp tạo nên.

Vậy ta có

Và: VB Iphân áp.R2 mà: ân áp 1 2
cc
ph

V
I

R R




Do đó:

2
1 2

. 35.5

1,129
150 5

CC
B

V R

V V

R R

  

 

Từ sơ đồ ta có:

</div>
(2)<div class='page_container' data-page=2>

Trong đó: VE R IE. E R IE( B IC)R IE( BIB)I RB E(1)

 VB VBEI RB E(1) 
Tìm IB:

1,129 0, 2

0,0184
(1 ) 0,5(1 100)

B BE
B
E
V V
I mA
R 
 
  
 

Tìm IC:

IC IB 100.0,0184 1,84 mA
Tìm IE: Transistor Gemani có :VBE 0, 2V

1,129 0, 2

1,858
0,5
B BE
E

E
V V
I mA
R
 
  

Tìm điện áp UCE:

UCE Vcc I RC C I RE E 35 1,84.2,5 1,858.0,5 29.47   V

Tìm hệ sớ ởn định S:
1 2
1 2
. 150.5
4,838
150 5
B
R R
R K
R R
   
 

1 1 100

9, 74

. 100.0,5
1
1
0.5 4,838
E
E B
S
R
R R


 
  





</div>
(3)<div class='page_container' data-page=3>

Bài giải:

a. Transistor được mắc theo cách cực nguồn chung SC – Source Common. Mạch định

thiên kiểu phân cực tự cấp.

b. Nhiệm vụ của các linh kiện trong mạch:

G

R : điện trở định thiên
D

R : điện trở tải cực D
S

R : điện trở ổn định cực S
3

C : nối đất thành phần xoay chiều
1, 2

C C : tụ liên lạc lấy tín hiệu vào/ra.

Tìm UGS:

1 GS D 1

D DO GS GSngat

GSngat DO

U I

I I U U

U I
   

        
 
 
200

( 4) 1 36

2
GS

U      V

 

Tìm RS :

3
36

. 180

200.10
GS

GS D S S

D
U

U I R R

I 

     

4. Trình bày về sơ đồ mắc cực gốc CB của transistor lưỡng cực trong các mạch khuếch
đại và đặc điểm của cách mắc này.

Sơ đồ mắc gốc chung:

Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung mơ tả trong hình 1. Trong sơ đồ mạch có:
+ EE , EC là nguồn cung cấp một chiều cho tranzito loại P-N-P trong mạch.

+ RE - điện trở định thiên cho tranzito. RE có nhiệm vụ làm sụt bớt một phần điện
áp nguồn EE để đảm bảo cho tiếp xúc phát được phân cực thuận với điện áp phân cực UEB 
0,6

V cho tranzito Silic, và UEB  0,2V cho tranzito Gecmani. Đồng thời tín hiệu vào sẽ hạ trên
RE

để đưa vào tranzito.

+ RC - điện trở gánh có nhiệm vụ tạo sụt áp thành phần dịng xoay chiều của tín
hiệu để đưa ra mạch sau và đưa điện áp từ âm nguồn EC lên cực góp đảm bảo cho tiếp
xúc góp được phân cực ngược.

</div>
(4)<div class='page_container' data-page=4>

C1 E IE IC C2

Mạch C Mạch

vào UCB ra

UVào UEB URa

B IB

EE EC

Hình 1: Sơ đồ mắc gốc chung cho tranzito loại P-N-P

Cực gốc B của tranzito trong sơ đồ được nối đất. Như vậy, tín hiệu đưa vào giữa cực phát
và cực gốc. Tín hiệu lấy ra giữa cực góp và cực gốc nên cực gốc B là chân cực chung của mạch
vào và mạch ra. - Ta gọi là sơ đồ mắc cực gốc chung. Trong mạch có các thành phần dịng điện
và điện áp sau:

IE gọi là dòng điện trên mạch vào.
IC gọi là dòng điện trên mạch ra.
UEB gọi là điện áp trên mạch vào
UCB gọi là điện áp trên mạch ra

Mối quan hệ giữa các dòng điện và điện áp trên các chân cực được mô tả thơng qua các
họ đặc tuyến tĩnh. Có hai họ đặc tuyến chính là :

Họ đặc tuyến vào: UEB = f1(UCB, IE)
Họ đặc tuyến ra: IC = f2 (UCB, IE)
Họ đặc tuyến vào:

Đặc tuyến vào mô tả mối quan hệ giữa điện áp vào và dòng điện vào như sau:
UEB = f1(IE) khi UCB = const.

Xét trường hợp đối với tranzito lưỡng cực Gecmani loại P-N-P. Khi cực góp hở thì đặc
tuyến vào chính là đặc tuyến Vơn-Ampe của tiếp xúc P-N phân cực thuận nên ta có:

U EB

</div>
(5)<div class='page_container' data-page=5>

 1)

</div>
(6)<div class='page_container' data-page=6>

UEB (V)

0,6 UCB hở

</div>
(7)<div class='page_container' data-page=7>

UCB = 0V

UCB= -10V

0,2 UCB= - 20V

0 10 20 30 40 IE (mA)

Hình 2: Họ đặc tuyến vào của tranzito gecmani loại P-N-P.

Khi UCB ≤ 0, đặc tuyến xê dịch rất ít chứng tỏ điện áp trên cực góp ít ảnh hưởng đến
dòng điện qua tiếp xúc phát.

Họ đặc tuyến ra:

Đặc tuyến ra biểu thị mối quan hệ giữa dịng điện trên mạch cực góp với điện áp trên
mạch cực góp. Ta có mối quan hệ sau:

IC = f2(UCB) khi IE = const.
Biểu thức tính dịng điện trên cực góp IC như sau:

IC = IE + ICBo

IC (mA) Vùng tích cực

40 IE5 = 40mA

Vùng
dẫn

30 IE4 = 30mA

bão 20 IE3 = 20mA

hòa (IE3 - IE2)

IE 2

ICB0 IE2 = 10mA

IE1= 0

0 -2

-4
-6
-8
UC
B
(V)
Vù
ng
ng
ắt

</div>
(8)<div class='page_container' data-page=8>

o gecmani loại
P-N-P

trong
sơ đồ
mắc
cực
gốc
chung
+ Khi IE1 = 0 (khi cực phát hở
mạch): đặc tuyến ra chính là đặc
tuyến Vơn-Ampe của

tiếp xúc góp phân cực ngược. Do vậy,
dịng điện cực góp IC = ICBo.

+ Khi IE2 > 0: là khi tiếp xúc
phát được phân cực thuận thì

dịng điện cực góp sẽ là:

</div>
(9)<div class='page_container' data-page=9>

Khi UCB > 0 trong khi UEB > 0 tranzito làm việc ở chế độ bão hịa nên sẽ có dịng
điện thuận của tiếp xúc góp chạy ngược chiều với thành phần dòng điện thuận từ cực
phát sang (IE2), do vậy, dòng điện tổng qua tiếp xúc góp giảm nhanh đến 0 và sau đó
tăng nhanh nếu UCB > 0 tăng tiếp tục.

Các đặc điểm của sơ đồ mắc cực gốc chung:

- Tín hiệu vào và tín hiệu ra đồng pha nhau

- Trở kháng vào ZV nhỏ khoảng vài chục đến vài trăm Ôm

ào
1
30 300
v
Z
S
   

- Trở kháng ra lớn

100 1
ra C

Z R  K M

- hệ số khuếch đại dòng điện cực phát

1
C
E
I
I
  

( 0,95 0,99)

Như vậy transistor trong sơ đồ mắc cực gốc chung khơng có khuếch đại dịng điện.
Hệ số khuếch đại điện áp:

ánh ánh

ào IE ào ào

C g g

ra
u

v v v

I Z Z
U

K

U Z Z




  

 

Hệ số khuếch đại điện áp phụ thuộc vào điện trở gánh.

Khi Zgánh  Zra thì Ku có trị số khoảng từ vài trăm  vài nghìn lần.
- Hệ số khuếch đại cơng suất có thể đạt tới trị số hàng trăm lần.

- Dòng điện rò ICBo nhỏ (khoảng từ vài chục nA đến vài A đối với tranzito Silic, và đến vài
chục A đối với tranzito Gecmani).

- Tần số làm việc giới hạn cao vì có điện dung thơng đường nhỏ.

Sơ đồ mạch mắc cực gốc chung có độ ổn định về nhiệt độ cao và tần số làm việc giới
hạn cao. Mạch thường được dùng ở dải tần số làm việc cao như các tầng dao động nội của
máy thu thanh, các tầng tiền khuếch đại âm tần của máy tăng âm, hoặc ở tầng khuếch đại
công suất đẩy kéo.

</div>

tài liệu ptit – huy ptit

Tài liệu liên quan

Tài liệu bạn tìm kiếm đã sẵn sàng tải về