<span class='text_page_counter'>(1)</span><div class='page_container' data-page=1>

<b>TR</b>

<b>ƯỜ</b>

<b>NG </b>

<b>ĐẠ</b>

<b>I H</b>

<b>Ọ</b>

<b>C BÁCH KHOA</b>

<b>KHOA </b>

<b>Đ</b>

<b>I</b>

<b>Ệ</b>

<b>N</b>

<b>B</b>

<b>B</b>

<b>Ộ</b>

<b>Ộ</b>

<b>MÔN: T</b>

<b>MƠN: T</b>

<b>Ự</b>

<b>Ự</b>

<b>Đ</b>

<b>Đ</b>

<b>Ộ</b>

<b>Ộ</b>

<b>NG H</b>

<b>NG H</b>

<b>Ĩ</b>

<b>Ĩ</b>

<b>A</b>

<b>A</b>

BÀI GI

Ả

NG

<b>Đ</b>

<b>i</b>

<b>ệ</b>

<b>n t</b>

<b>ử ứ</b>

<b>ng d</b>

<b>ụ</b>

<b>ng</b>

Trong k

Trong k

ĩ

ĩ

thu

thu

ậ

ậ

t

t

đ

đ

i

i

ề

ề

u khi

u khi

ể

ể

n công nghi

n công nghi

ệ

ệ

p

p

v

v

à

à

t

t

ự

ự

đ

đ

ộ

ộ

ng h

ng h

ó

ó

a

a

GVC. Th.s. Nguy

GVC. Th.s. Nguy

ễ

ễ

n Ho

n Ho

à

à

ng Mai

ng Mai

Tel: 0988841568

</div>
<span class='text_page_counter'>(2)</span><div class='page_container' data-page=2>

Vùng d

ẫ

n

<b>Chương 1: Dụng cụ</b> <b>bán dẫn</b>
<b>$1: Khái niệm chất bán dẫn</b>

• M

ứ

c ch

ặ

t cịn g

ọ

i là m

ứ

c hố tr

ị

: n

ă

ng l

ượ

ng Eo

• M

ứ

c t

ự

do cịn g

ọ

i là m

ứ

c d

ẫ

n: n

ă

ng l

ượ

ng Ed

• N

ă

ng l

ượ

ng kích thích t

ố

i thi

ể

u:

∆

Ed=Ed – Eo

M

ứ

c

t

ự

do

Mức chặt
(hóa trị)

∆

Ed

Ed

Eo

∆

Ed

</div>
<span class='text_page_counter'>(3)</span><div class='page_container' data-page=3>

Khái ni

ệ

m ch

ấ

t bán d

ẫ

n

• Độ tinh khiết của chất bán dẫn rất cao 1e+2
-:-1e+4 nguyên tử trong một centimet khối Si hoặc
Ge (lưu ý là có khoảng 1023 _{ngun t}_ử _Si/centimet

khối

Vùng hố trị

Vùng dẫn

Vùng hoá trị

∆E lớn

E

Cách điện

Vùng dẫn

Vùng hoá trị

∆E nhỏ

E

Bán dẫn điện

Vùng dẫn

E

Dẫn điện

∆E<0

</div>
<span class='text_page_counter'>(4)</span><div class='page_container' data-page=4>

•

Đố

i v

ớ

i các

đ

i

ệ

n t

ử

l

ớ

p bên trong, nhi

ễ

u lo

ạ

n do các

nguyên t

ử

láng gi

ề

ng gây ra y

ế

u nên chúng liên k

ế

t m

ạ

nh

v

ớ

i h

ạ

t nhân

• Các

đ

i

ệ

n t

ử

l

ớ

p ngồi ch

ị

u

ả

nh h

ưở

ng l

ớ

n c

ủ

a các

đ

i

ệ

n t

ử

láng gi

ề

ng nên s

ự

tách m

ứ

c n

ă

ng l

ượ

ng x

ả

y ra trên m

ộ

t

vùng r

ộ

ng, gây nên hi

ệ

n t

ượ

ng ch

ồ

ng ph

ủ

các m

ứ

c n

ă

ng

l

ượ

ng lên nhau.

• V

ớ

i Si, l

ớ

p ngồi cùng

đượ

c t

ạ

o thành b

ở

i 2

đ

i

ệ

n t

ử

p và 2

</div>
<span class='text_page_counter'>(5)</span><div class='page_container' data-page=5>

Liên k

ế

t m

ạ

ng Si

• Liên k

ế

t c

ộ

ng hố tr

ị đượ

c s

ử

d

ụ

ng trong m

ạ

ng.

• N

ế

u có kích thích n

ă

ng l

ượ

ng s

ẽ

t

ạ

o ra m

ộ

t ion d

ươ

ng và

m

ộ

t

đ

i

ệ

n t

ử

t

ự

do

</div>
<span class='text_page_counter'>(6)</span><div class='page_container' data-page=6></div>
<span class='text_page_counter'>(7)</span><div class='page_container' data-page=7></div>
<span class='text_page_counter'>(8)</span><div class='page_container' data-page=8></div>
<span class='text_page_counter'>(9)</span><div class='page_container' data-page=9>

Đ

i

ệ

n t

ử

phân b

ố

theo th

ố

ng kê Fermi-Dirac v

ớ

i xác su

ấ

t chi

ế

m

m

ứ

c n

ă

ng l

ượ

ng:

Trong

đ

ó:

K = 8,63.10

-5

_{eV/K là h}

_ằ

_{ng s}

_ố

_Boltzman

T: nhi

ệ

t

độ

tuy

ệ

t

đố

i

E

_F

là m

ứ

c n

ă

ng l

ượ

ng Fermi

đượ

c xác

đị

nh t

ừ

bi

ể

u th

ứ

c:






 −
+
=
<i>KT</i>
<i>E</i>

<i>E</i>
<i>E</i>
<i>f</i>
<i>F</i>
exp
1
1
)
(

∫

∞

=

0

2

<i>N</i>

(

<i>E</i>

)

<i>f</i>

(

<i>E</i>

)

<i>d</i>

(

<i>E</i>

)

</div>
<span class='text_page_counter'>(10)</span><div class='page_container' data-page=10></div>
<span class='text_page_counter'>(11)</span><div class='page_container' data-page=11>

Bán d

ẫ

n pha t

ạ

p ch

ấ

t hoá tr

ị

3 - lo

ạ

i p (plus)

</div>
<span class='text_page_counter'>(12)</span><div class='page_container' data-page=12>

Bán d

ẫ

n pha t

ạ

p ch

ấ

t hoá tr

ị

5 - lo

ạ

i n (negative)

• Pha tạp chất hố trị 5 (P) sẽ tạo 1 điện tử dư khi liên kết cộng hoá trị

</div>
<span class='text_page_counter'>(13)</span><div class='page_container' data-page=13></div>
<span class='text_page_counter'>(14)</span><div class='page_container' data-page=14></div>
<span class='text_page_counter'>(15)</span><div class='page_container' data-page=15></div>
<span class='text_page_counter'>(16)</span><div class='page_container' data-page=16>

$2. Ti

ế

p giáp p-n và

đặ

c tính V-A

• Phân bố hạt dẫn, điện trường nội tại và điện thế tiếp xúc trong hai miền
bán dẫn p-n

E

₀

E

₀

U

₀

x

</div>
<span class='text_page_counter'>(17)</span><div class='page_container' data-page=17></div>
<span class='text_page_counter'>(18)</span><div class='page_container' data-page=18></div>
<span class='text_page_counter'>(19)</span><div class='page_container' data-page=19></div>
<span class='text_page_counter'>(20)</span><div class='page_container' data-page=20>

Ti

ế

p giáp p-n phân c

ự

c ng

ượ

c

• Khi phân cực ngược, miền cách điện được mở rộng ra do điện trường
ngồi cùng chiều E₀, có tác dụng kéo các hạt dẫn về hai phía của lớp
bán dẫn, miền giữa chỉ cịn các ngun tử trung hồ trơ, điện trở cách

điện được coi như vơ cùng

• Thực tế do kích thích của nhiệt độ, nên một số nguyên tử sẽ tạo thành
cặp ion p và điện tử, sẽ gây một dòng rò nhiệt chảy ngược cỡ vài chục
nA(nanoAmpe= 10-9_A)

E

₀

E

_n

U

_n

</div>
<span class='text_page_counter'>(21)</span><div class='page_container' data-page=21>

Ti

ế

p giáp p-n phân c

ự

c thu

ậ

n

• Khi phân cực thuận, các hạt dẫn sẽ chuyển động qua lại hai lớp và hoà
trộn vào nhau, miền phân cách chứa đầy các hạt dẫn do đó mất tính
cách điện.

• Điện trở của tiếp giáp p-n lúc này coi như bằng 0, dịng điện chảy qua
hồn tồn.

•

<b>Nh</b>

<b>ư</b>

<b>v</b>

<b>ậ</b>

<b>y, ti</b>

<b>ế</b>

<b>p giáp p-n ch</b>

<b>ỉ</b>

<b>cho dòng ch</b>

<b>ả</b>

<b>y qua m</b>

<b>ộ</b>

<b>t chi</b>

<b>ề</b>

<b>u</b>

<b>nh</b>

<b>ấ</b>

<b>t</b>

<b>đị</b>

<b>nh.</b>

E

₀

_E

n

</div>
<span class='text_page_counter'>(22)</span><div class='page_container' data-page=22></div>
<span class='text_page_counter'>(23)</span><div class='page_container' data-page=23></div>
<span class='text_page_counter'>(24)</span><div class='page_container' data-page=24></div>
<span class='text_page_counter'>(25)</span><div class='page_container' data-page=25>

Đặ

c tính V-A c

ủ

a ti

ế

p giáp p-n

• Vùng 1: vùng phân cực thuận
• Vùng 2: vùng phân cực ngược

• Vùng 3: vùng đánh thủng, các nguyên tử bán dẫn bị ion hố tồn bộ

khi điện trường đủ lớn, gây ra hiệu ứng ion hoá dây chuyền do va
chạm

I

₀

I

U

1

2

3

U

_t

</div>
<span class='text_page_counter'>(26)</span><div class='page_container' data-page=26>

DIODE

• Là một tiếp giáp p-n

• Tuỳ theo công dụng mà mật độ hạt dẫn trong khối bán dẫn khác nhau
• Một số loại diode thơng dụng: chỉnh lưu, tách sóng, zener, tunel,

varicap, schotky, gun … đặc tính các lạo diode này được mơ tả chi tiết
trong các tài liệu kĩ thuật

E

₀

</div>
<span class='text_page_counter'>(27)</span><div class='page_container' data-page=27>

• DIODE

• Diode là m

ộ

t ti

ế

p xúc p-n.

• Có nhi

ề

u lo

ạ

i diode v

ớ

i n

ồ

ng

độ

h

ạ

t d

ẫ

n khác

nhau

để

t

ạ

o nên nh

ữ

ng

đặ

c tính khác nhau.

• Diode ch

ỉ

nh l

ư

u: n

ồ

ng

độ

t

ừ

1e+7

đế

n 1e+10, ch

ị

u

đượ

c t

ầ

n s

ố

th

ấ

p

• Diode zener dùng

để ổ

n áp, n

ồ

ng

độ

1e+134

đế

n

1e+19 (

xem internet

)

</div>
<span class='text_page_counter'>(28)</span><div class='page_container' data-page=28>

• DIODE

• Diode

đườ

ng h

ầ

m (tunnel), n

ồ

ng

độ

cao h

ơ

n

1e+19. trong c

ả

hai l

ớ

p, g

ọ

i là bán d

ẫ

n suy bi

ế

n.

Nên vùng chuy

ể

n ti

ế

p có kho

ả

ng cách nh

ỏ

(10A

0

_).

Nên diode lo

ạ

i này có vùng

đ

i

ệ

n tr

ở

vi phân âm.

(

xem internet

)

• Diode Gunn GaAs: khi tác

độ

ng vào m

ẩ

u tinh th

ể

m

ộ

t

đ

i

ệ

n tr

ườ

ng m

ạ

nh thì trong tinh th

ể

xu

ấ

t hi

ệ

n

các dao

độ

ng siêu cao t

ầ

n, g

ọ

i là hi

ệ

u

ứ

ng Gunn.

(

xem internet

)

• Diode PIN: c

ấ

u t

ạ

o t

ừ

3 l

ớ

p bán d

ẫ

n, trong

đ

ó hai

l

ớ

p p

+

_{và n}

+

_{pha t}

_ạ

_{p m}

_ạ

_{nh, k}

_ẹ

_{p gi}

_ữ

_{a m}

_ộ

_{t mi}

_ế

_ng

tinh th

ể

I có

độ

dày l

ớ

n h

ơ

n. Lo

ạ

i này dùng ch

ế

t

ạ

o nh

ữ

ng b

ộ

ch

ỉ

nh l

ư

u công su

ấ

t l

ớ

n và t

ầ

n s

ố

</div>
<span class='text_page_counter'>(29)</span><div class='page_container' data-page=29>

Các lo

ạ

i diode thơng d

ụ

ng

• Diode Varicap(Variable Capacator) bi

ế

n dung, th

ườ

ng

dùng trong k

ĩ

thu

ậ

t dao

độ

ng

để ổ

n

đị

nh hay

đ

i

ề

u ch

ỉ

nh t

ầ

n

s

ố

. (

xem internet)

</div>
<span class='text_page_counter'>(30)</span><div class='page_container' data-page=30></div>
<span class='text_page_counter'>(31)</span><div class='page_container' data-page=31>

•Trong vùng chuyển tiếp phân
cực ngược, xuất hiện một điện
trường mạnh

•Các điện tử liên kết có thể

chuyển sang dạng tự do

•Các điện tử có năng lượng E

ở phía P có thể chuyển sang
vùng dẫn bằng cách chui hàng
rào thế (hiệu ứng tunnel)

•Hiệu ứng tunnel xảy ra khi
mật độ tạp chất cao, vùng
chuyển tiếp hẹp (<500 A0₎

</div>
<span class='text_page_counter'>(32)</span><div class='page_container' data-page=32></div>
<span class='text_page_counter'>(33)</span><div class='page_container' data-page=33>

<b>Đặ</b>

<b>c </b>

<b>đ</b>

<b>i</b>

<b>ể</b>

<b>m diode tunnel</b>

• Nồng độ tạp chất rất cao (> 1e+19/cm3) nên xuất hiện các lớp bán dẫn
suy biến

• Có vùng điện trở vi phân âm, giản đồ năng lượng vùng chuyển tiếp bị

biến điệu mạnh

• Khi phân cực cịn nhỏ, giản đồ năng lượng hơi giảm xuống phía P, nên
có dịng điẹn tử lớn xun qua vùng cấm bằng hiệu ứng tunnel nên
dịng thuận tăng

• Phân cực thuận tiếp tục tăng cao: giản đồ năng lượng tiếp tục hạ thấp,
hiệu ứng tunnel bị giảm xuống

• Thế phân cực thuận tiếp tục tăng cao: chiều cao hàng rào thế giảm đến
mức cho phép điện tử từ miền P+ phun sang N+ và lỗ trống từ N+

</div>
<span class='text_page_counter'>(34)</span><div class='page_container' data-page=34>

•Khi tác động một điện trường mạnh vào tinh thể bán dẫn thì trong tinh thể

xuất hiện dao động siêu cao tần, gọi là hiệu ứng Gunn.

</div>
<span class='text_page_counter'>(35)</span><div class='page_container' data-page=35></div>
<span class='text_page_counter'>(36)</span><div class='page_container' data-page=36>

<b>Tiếp xúc kim loại –bán dẫn</b>

• Khi KL tiếp xúc với bán dẫn thì ở bề mặt tiếp xúc xuất hiện hàng rào
thế, cấu trúc các vùng năng lượng phụ thuộc cơng thóat điện tử của KL
và bán dẫn.

• Nếu bán dẫn loại N thì ở bán dẫn sẽ xuất hiện một vùng điện tích
khơng gian dương, cịn trong KL tích tụ một lớp mỏng điện tử ở gần
bề mặt tiếp xúc.

• Nếu bán dẫn là loại P thì điện tích trong các vùng khơng gian sẽ ngược
dấu với loại N.

</div>
<span class='text_page_counter'>(37)</span><div class='page_container' data-page=37></div>
<span class='text_page_counter'>(38)</span><div class='page_container' data-page=38>

$3. Tranzitor l

ưỡ

ng c

ự

c

<b>BJT-</b>

<b>Bipolar Junction Tranzitor</b>

• Cấu tạo: là tiếp giáp p-n-p(thuận) hay n-p-n(ngược)

• E: Emitter: cực phát, có bề dày trung bình và mật độ hạt dẫn lớn nhất
• B: Base: cực gốc, có bề dày mỏng nhất và một độ hạt dẫn nhỏ nhất
• C: Collector: cực góp, có bề dày lớn nhất và mật độ hạt dẫn trung bình
• BJT được chế tạo bằng phương pháp ăn mòn hoặc khuếch tán,

epetaxi..

p

n

p

n

p

n

B

C

E

B

C

E

</div>
<span class='text_page_counter'>(39)</span><div class='page_container' data-page=39></div>
<span class='text_page_counter'>(40)</span><div class='page_container' data-page=40>

1. Nguyên lí ho

ạ

t

độ

ng c

ủ

a BJT

• Tiếp giáp B-E phải phân cực thuận, tiếp giáp B-C phải phân cực ngược
• BJT hoạt động trên nguyên lí khuếch tán hạt dẫn(quan trọng-phải hiểu)

p n p

I

_b

I

_c

I

_e

E

_ce

U

_be

U

_ce

<i>b</i>

<i>c</i>

<i>I</i>

<i>I</i>

=

β

<i>ce</i>

<i>be</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

<<

E

_be

</div>
<span class='text_page_counter'>(41)</span><div class='page_container' data-page=41></div>
<span class='text_page_counter'>(42)</span><div class='page_container' data-page=42>

2.

Đặ

c tính V-A c

ủ

a BJT

• Đặc tính vào I_b = f(U_be) : lấy khi giữ U_ce khơng đổi
• Đặc tính ra I_c = f(U_ce); lấy khi giữ I_b không đổi.

U

_ce

Q

B

A

Ic

Uce

I

_c

I

_c0

U

_ce0

I

_b0

I

_b2

I

_b1

I

_b

U

_be

U

_be

U

_be0

I

_b0

I

_b2

I

_b1

I

_b

M

</div>
<span class='text_page_counter'>(43)</span><div class='page_container' data-page=43></div>
<span class='text_page_counter'>(44)</span><div class='page_container' data-page=44>

S

ơ đồ

l

ấ

y

đặ

c tính ra-

sẽ thí nghiệm

A

mA

V

V1

BR1

BR2

</div>
<span class='text_page_counter'>(45)</span><div class='page_container' data-page=45>

<b>3. Các s</b>

<b>ơ đồ</b>

<b>m</b>

<b>ắ</b>

<b>c BJT</b>

S

ơ đồ

E-C (E chung)

• Sơ đồ mắc E-C (emitter common)
• Sơ đồ B-C (base common)

</div>
<span class='text_page_counter'>(46)</span><div class='page_container' data-page=46>

S

ơ đồ

C-C (C chung)

</div>
<span class='text_page_counter'>(47)</span><div class='page_container' data-page=47>

S

ơ đồ

B-C (B chung)

</div>
<span class='text_page_counter'>(48)</span><div class='page_container' data-page=48></div>
<span class='text_page_counter'>(49)</span><div class='page_container' data-page=49>

Phân c

ự

c cho BJT

• Là tạo một điện áp ban đầu cho cực B của BJT để vượt qua ngưỡng U₀

ban đầu (Si là 0,6 vôn và Ge là 0,2 vơn)

• Phân cực bằng điện áp
• Phân cực bằng dịng điện
• Phân cực bằng phản hồi

• Điện áp tại chân B (mạch E-C) sau khi đã phân cực sẽ là:
• U_b = U_be0 + e(t)

</div>
<span class='text_page_counter'>(50)</span><div class='page_container' data-page=50>

Phân c

ự

c b

ằ

ng

đ

i

ệ

n áp

• Chọn dịng I_b0 (kí hiệu 0 chỉ đại lương
phân cực)

• Chọn dịng I₂ = (5 -:- 10)I_b0 (qui ước
lấy I₂=10I_b0). Dòng phân cực càng lớn
càng tốt nhưng sẽ gây tổn hao cơng
suất nhiều.

• Chọn U_be0 (0,6 vôn với Si và 0,2 vôn
với Ge) hay U_b0

</div>
<span class='text_page_counter'>(51)</span><div class='page_container' data-page=51>

Phân c

ự

c b

ằ

ng dịng

đ

i

ệ

n

• Ch

ọ

n tr

ướ

c U

_be0

, I

_b0

0
0

<i>b</i>

<i>b</i>
<i>c</i>

<i>b</i>

<i>I</i>

<i>U</i>

<i>V</i>

<i>R</i>

=

−

</div>
<span class='text_page_counter'>(52)</span><div class='page_container' data-page=52>

Phân c

ự

c b

ằ

ng ph

ả

n h

ồ

i

• Chọn trước I_b0, U_be0
• Chọn trước U_c0

I

₀

U

_c0

U

_be0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0

(

1

)

</div>
<span class='text_page_counter'>(53)</span><div class='page_container' data-page=53>

$4. Transitor tr

ườ

ng FET (Field Effect Transitor)

•JFET – Junction Field Effect Transitor

</div>
<span class='text_page_counter'>(54)</span><div class='page_container' data-page=54></div>
<span class='text_page_counter'>(55)</span><div class='page_container' data-page=55>

L

ớ

p n

L

ớ

p p (kênh d

ẫ

n)

</div>
<span class='text_page_counter'>(56)</span><div class='page_container' data-page=56>

•C

ự

c c

ử

a G: Gate

•C

ự

c ngu

ồ

n S: Source

•C

ự

c máng D: Drain

•Dịng

đ

i

ệ

n theo qui

ướ

c ch

ả

y t

ừ

c

ự

c máng

đế

n c

ự

c ngu

ồ

n trong

kênh n và ng

ượ

c l

ạ

i trong kênh p.

Nguyên lý: Khi thay

đổ

i

đ

i

ệ

n áp U

_GS

, s

ẽ

làm thay

đổ

i

độ

r

ộ

ng

vùng phân c

ự

c ng

ượ

c, nên

độ

r

ộ

ng kênh d

ẫ

n c

ũ

ng thay

đổ

i, t

ừ

đ

ó

s

ẽ

kh

ố

ng ch

ế

(

đ

i

ề

u khi

ể

n)

đượ

c dịng I

_D

.

•

Đặ

c tr

ư

ng c

ơ

b

ả

n là FET

đượ

c

đ

i

ề

u khi

ể

n b

ằ

ng

đ

i

ệ

n áp nên dịng

vào r

ấ

t nh

ỏ

, cơng su

ấ

t

đầ

u vào s

ẽ

r

ấ

t nh

ỏ

, thích h

ợ

p v

ớ

i nh

ữ

ng tín

hi

ệ

u vào bé.

</div>
<span class='text_page_counter'>(57)</span><div class='page_container' data-page=57></div>
<span class='text_page_counter'>(58)</span><div class='page_container' data-page=58></div>
<span class='text_page_counter'>(59)</span><div class='page_container' data-page=59></div>
<span class='text_page_counter'>(60)</span><div class='page_container' data-page=60></div>
<span class='text_page_counter'>(61)</span><div class='page_container' data-page=61></div>
<span class='text_page_counter'>(62)</span><div class='page_container' data-page=62></div>
<span class='text_page_counter'>(63)</span><div class='page_container' data-page=63></div>
<span class='text_page_counter'>(64)</span><div class='page_container' data-page=64></div>
<span class='text_page_counter'>(65)</span><div class='page_container' data-page=65>

+ + + + + + + +
- N+ _N-

-C
P+

N+
N
-P
E
G
G
C
E
I_C
U_CE

<b>VIII. GIỚI THIỆU IGBT: </b>

</div>
<span class='text_page_counter'>(66)</span><div class='page_container' data-page=66></div>
<span class='text_page_counter'>(67)</span><div class='page_container' data-page=67></div>
<span class='text_page_counter'>(68)</span><div class='page_container' data-page=68></div>
<span class='text_page_counter'>(69)</span><div class='page_container' data-page=69>

Trên hình vẽ thể hiện loại IGBT kênh N, tất cả

những mô tả ở đây, được thể hiện cho kênh N

nhưng loại IGBT kênh P cũng được phân tích theo

nguyên lý tương tự.

Cấu tạo của IGBT rất giống với Transitor

MOSFET khuếch tán, nó có đặc điểm là có vùng

khuếch tán kém, một trong vùng P và một trong

vùng N.

</div>
<span class='text_page_counter'>(70)</span><div class='page_container' data-page=70>

<i><b>b. Hoảt âäüng chung:</b></i>

IGBT thường được điều khiển ở trạng thái

ON/OFF giống như MOSFET bằng cách đặt điện

áp lên cực cửa VG (do vùng tuyến tính nhỏ nên

dùng kiểu ON/OFF).

</div>
<span class='text_page_counter'>(71)</span><div class='page_container' data-page=71>

Điện áp đánh thủng theo chiều thuận bằng điện áp đánh thủng của tiếp
giáp này, đây là một tham số rất quan trọng. Bởi vì trong trong thực tế
các thiết bị công suất này sử dụng điện áp và dòng điện khá cao, điện
áp đánh thủng của tiếp giáp một mặt nó phụ thuộc vào lớp bán dẫn có
nồng độ tạp chất nhỏ (N-) gọi là lớp N-.

</div>
<span class='text_page_counter'>(72)</span><div class='page_container' data-page=72></div>
<span class='text_page_counter'>(73)</span><div class='page_container' data-page=73>

Trạng thái làm việc ON:

</div>
<span class='text_page_counter'>(74)</span><div class='page_container' data-page=74></div>
<span class='text_page_counter'>(75)</span><div class='page_container' data-page=75></div>
<span class='text_page_counter'>(76)</span><div class='page_container' data-page=76>

n+
p
n
n+

p

Cathode Gate

Anothe

<b>GTO – Gate Turn-off Thyristorn+pnn+pCathode </b>

<b>GateAnothe</b>

V

ề

c

ơ

b

ả

n, GTO c

ũ

ng gi

ố

ng nh

ư

Thyristor thông th

ườ

ng,

</div>
<span class='text_page_counter'>(77)</span><div class='page_container' data-page=77></div>
<span class='text_page_counter'>(78)</span><div class='page_container' data-page=78></div>
<span class='text_page_counter'>(79)</span><div class='page_container' data-page=79>

Nh

ư

s

ơ

đồ

c

ấ

u t

ạ

o và s

ơ

đồ

t

ươ

ng

đươ

ng,

để

khóa van, ng

ườ

i ta

c

ấ

p m

ộ

t dòng

đ

i

ệ

n ng

ượ

c vào Transitor npn trên t

ừ

cathode,

khi

đ

ó npn s

ẽ

b

ị

khóa d

ẫ

n

đế

n transitor phía d

ướ

i c

ũ

ng b

ị

khóa. Tuy nhiên,

đặ

c

đ

i

ể

m lo

ạ

i van này là dịng khóa khá

l

ớ

n, n

ế

u v

ớ

i van 1000A, c

ầ

n xung dòng

để

m

ở

t

ừ

3-5% I

đ

m,

kho

ả

ng 30A và kéo dài trong 10

µ

s, thì xung dịng khóa ph

ả

i

30% (300A) và kéo dài 20-50

µ

s, biên

độ

xung áp khóa t

ừ

</div>
<span class='text_page_counter'>(80)</span><div class='page_container' data-page=80>

<b>MTO – MOS Turn-off Thyristor</b>

MTO do tập đồn SPCO chế tạo. Nó kết hợp khéo léo giữa GTO và

MOSFET, mục đích là để hạn chế năng lượng phun vào cực điều khiển và
hạn chế tốc độ gia tăng dịng điện.

• Ngun lý cấu tạo như hình vẽ. Cấu trúc MOSFET cho phép tăng dịng điện
khóa mà không bị vướng vào cực điều khiển mở. Loại van này có thể chịu

đựng điện áp lên đến 10kV và dòng điện đến 4000A.

n+
p
n
n+

p

Cathode

Anothe

Gate

</div>
<span class='text_page_counter'>(81)</span><div class='page_container' data-page=81>

<b>ETO – EMITTER TURN-OFF</b>

Cũng như MTO, ETO là một dạng biến thể khác của thyristor và transitor,
nghĩa là gồm GTO và MOSFET.<b>Turn-off</b>

<b>Turn-onTurn-onTurn-off</b>

Turn-off
Turn-on

</div>
<span class='text_page_counter'>(82)</span><div class='page_container' data-page=82>

<b>INTERGRATED GATE-COMMUTATED THYRISTOR (GCT VÀ</b>
<b>IGCT)</b>

Đây là loại linh kiện có tốc độ chuyển mạch nhanh và dòng xung lớn, như

dòng làm việc. linh kiện này có thể đẩy tất cả dịng từ cathode đến cực cửa
trong 1 µs để khóa hồn tồn van. Cấu tạo ngun lí như hình vẽ. IGCT
có khác một chút là có nhiều lớp mạch in của cực cửa hơn. Cả hai loại đều
có diode ngược. Cấu trúc này cho phép tốc độ tăng dịng cửa đến 4kA/µs
với điện áp K-G là 20v. Trong 1 µs transitor phía trên của GTO tắt và pnp
phía dưới sẽ tắt vì chân B hở.

p p

n-n

p+ n+

n+

GTO DIODE

Anode
Gate

</div>
<span class='text_page_counter'>(83)</span><div class='page_container' data-page=83></div>
<span class='text_page_counter'>(84)</span><div class='page_container' data-page=84></div>
<span class='text_page_counter'>(85)</span><div class='page_container' data-page=85>

Linh ki

ệ

n quang

đ

i

ệ

n t

ử

• Linh kiện phát quang: dựa trên ngun lí: hạt dẫn khi có điện trường
kích thích sẽ đẩy điện tử lên mức cao với thời gian sống ngắn, khi
quay trở về mức cũ, điện tử sẽ trả ra năng lượng đã kích thích dưới
dạng photon.

• Linh kiện thu quang: dựa trên nguyên lí: hạt dẫn khi có ánh sáng chiếu
vào sẽ tạo ra điện tích khuếch tán, do đó sẽ làm thay đổi điện trở bán
dẫn hoặc tạo điện áp hai đầu tiếp giáp p-n.

• Màu sắc phụ thuộc vào bản chất nguyên tử tạp chất

• Các linh kiện phát: LED(Light Emitter Diode). LCD(Liquid Crystal
Display)

</div>
<span class='text_page_counter'>(86)</span><div class='page_container' data-page=86>

Linh ki

ệ

n phát quang – photoemettor

• Hiện tượng này xảy ra với một số loại nguyên tử dễ bị quang kích
thích ở điều kiện thường. Nhất là kim loại kiềm. Vật liệu bán dẫn khó
hơn nên cần phải dùng liên kết p-n yếu.

∆

Ed

Ed

Eo

∆

Ed

Vùng d

ẫ

n

Vùng hoá tr

ị

</div>
<span class='text_page_counter'>(87)</span><div class='page_container' data-page=87></div>
<span class='text_page_counter'>(88)</span><div class='page_container' data-page=88>

Đặ

c tr

ư

ng ph

ổ

• Một loại vật liệu bán dẫn chỉ có thể hấp thụ hoặc phát xạ một số tia
sáng xác định, được gọi là đặc trưng phổ.

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

Vùng cực tím Vùng nhìn thấy Vùng hồng ngoại

Độ

nh

ạ

y

0.5 0.7
Mắt

Mặt trời

Si

_Ge

CdS

</div>
<span class='text_page_counter'>(89)</span><div class='page_container' data-page=89>

S

ự

h

ấ

p th

ụ

quang h

ọ

c

• Gọi thơng lượng P_I(E), năng lượng E, hệ số phản xạ R(E)
• P_t(E) = P_I(E) [1-R(E) ]

• Hệ số hấp thụ a của vật liệu bán dẫn a = (1/dx) [dP(E)/P(E) ]
• Do đó: P(E,x) = P_t(E) exp(-ax)

• P(E,x) = P_t(E) [1-R(E) ]exp(-a(E)x)

• Hệ số phản xạ R(E) phụ thuộc vào bản chất bán dãn và điều kiện bề mặt, giá
trị của nó chủ yếu phụ thuộc góc đến của tia tới, sự phản xạ nhỏ nhất khi tia
tới vng góc bề mặt bán dẫn.

• R(E) = [(n-1)2 _{+ (ga/4}π₎2_]/[(n+1)2 _{+ (ga/4}π₎2_]

• với n = n₂/n₁ ; n₁ là chiết suất khơng khí, n₂ là chiết suất chất bán dẫn. a là hệ

</div>
<span class='text_page_counter'>(90)</span><div class='page_container' data-page=90></div>
<span class='text_page_counter'>(91)</span><div class='page_container' data-page=91></div>
<span class='text_page_counter'>(92)</span><div class='page_container' data-page=92></div>
<span class='text_page_counter'>(93)</span><div class='page_container' data-page=93></div>
<span class='text_page_counter'>(94)</span><div class='page_container' data-page=94></div>
<span class='text_page_counter'>(95)</span><div class='page_container' data-page=95></div>
<span class='text_page_counter'>(96)</span><div class='page_container' data-page=96></div>
<span class='text_page_counter'>(97)</span><div class='page_container' data-page=97></div>
<span class='text_page_counter'>(98)</span><div class='page_container' data-page=98></div>
<span class='text_page_counter'>(99)</span><div class='page_container' data-page=99></div>
<span class='text_page_counter'>(100)</span><div class='page_container' data-page=100></div>
<span class='text_page_counter'>(101)</span><div class='page_container' data-page=101></div>
<span class='text_page_counter'>(102)</span><div class='page_container' data-page=102></div>
<span class='text_page_counter'>(103)</span><div class='page_container' data-page=103></div>
<span class='text_page_counter'>(104)</span><div class='page_container' data-page=104></div>
<span class='text_page_counter'>(105)</span><div class='page_container' data-page=105></div>
<span class='text_page_counter'>(106)</span><div class='page_container' data-page=106></div>
<span class='text_page_counter'>(107)</span><div class='page_container' data-page=107></div>
<span class='text_page_counter'>(108)</span><div class='page_container' data-page=108>

Đặ

c tr

ư

ng ph

ổ

• Một loại vật liệu bán dẫn chỉ có thể hấp thụ hoặc phát xạ một số tia
sáng xác định, được gọi là đặc trưng phổ.

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

</div>
<span class='text_page_counter'>(109)</span><div class='page_container' data-page=109>

Ch

ươ

ng 2-

<b>Khu</b>

<b>ế</b>

<b>ch </b>

<b>đạ</b>

<b>i dùng BJT</b>

– Khái ni

ệ

m

• Khuếch đại là q trình biến đổi một cơng suất tín hiệu vào nhỏ thành
cơng suất tín hiệu ra lớn hơn.

• <b>u cầu</b>:

• - Biên độ tín hiệu ra phải lớn hơn tín hiệu vào
• - Khơng gây méo tín hiệu

• - Khơng tạo phổ đồng loại

Khu

ế

ch

đạ

i

</div>
<span class='text_page_counter'>(110)</span><div class='page_container' data-page=110></div>
<span class='text_page_counter'>(111)</span><div class='page_container' data-page=111></div>
<span class='text_page_counter'>(112)</span><div class='page_container' data-page=112></div>
<span class='text_page_counter'>(113)</span><div class='page_container' data-page=113>

Khu

ế

ch

đạ

i dùng s

ơ

đồ

EC và s

ơ

đồ

t

ươ

ng

đươ

ng

• Sơ đồ nguyên lí mạch khuếch đại EC. <b>Tín hiệu ra ngược pha với tín hiệu vào</b>

Ube0

Uce0

Uv

Ue0

Ut

U

_b0

U

_c0

I

₁

I

_b0

I

₂

I

_c0

I

_e0

I

_v

</div>
<span class='text_page_counter'>(114)</span><div class='page_container' data-page=114></div>
<span class='text_page_counter'>(115)</span><div class='page_container' data-page=115></div>
<span class='text_page_counter'>(116)</span><div class='page_container' data-page=116></div>
<span class='text_page_counter'>(117)</span><div class='page_container' data-page=117></div>
<span class='text_page_counter'>(118)</span><div class='page_container' data-page=118>

Khuếch đại dùng sơ đồ EC và sơ đồ tương đương

• Lấy đặc tính vào và ra để xác định phân cực

_Q:

_đ

_i

_ể

_{m công tác}

U

_ce

Q

B

A

Ic

Uce

I

_c

I

_c0

U

_ce0

I

_b0

I

_b2

I

_b1

I

_b

U

_be

U

_be

U

_be0

I

_b0

I

_b2

I

_b1

I

_b

M

</div>
<span class='text_page_counter'>(119)</span><div class='page_container' data-page=119>

Khu

ế

ch

đạ

i dùng s

ơ

đồ

EC và s

ơ

đồ

t

ươ

ng

đươ

ng

• Tính phân c

ự

c m

ộ

t chi

ề

u:

• Xác

đị

nh dịng I

_b0

(U

_be0

)(ch

ọ

n tr

ướ

c).

• T

ừ

đặ

c tính vào xác

đị

nh

đượ

c U

_be0

(I

_bo

)

• Xác

đị

nh U

_be0

theo biên

độ

tín hi

ệ

u e(t) c

ủ

a tín

hi

ệ

u vào, sao cho khơng b

ị

méo

• Xác

đị

nh tr

ướ

c ngu

ồ

n V

_c

, t

ừ

đ

ó xác

đị

nh

đườ

ng t

ả

i

AB.

• Xác

đị

nh I

_c0

theo

đặ

c tính ra

• Xác

đị

nh U

_ce0

•

<i>Ch</i>

<i>ọ</i>

<i>n tr</i>

<i>ướ</i>

<i>c m</i>

<i>ộ</i>

<i>t giá tr</i>

<i>ị</i>

<i>c</i>

<i>ủ</i>

<i>a R</i>

<i>_e</i>

<i>ho</i>

<i>ặ</i>

<i>c R</i>

<i>_c</i>

<i>. Thơng </i>

</div>
<span class='text_page_counter'>(120)</span><div class='page_container' data-page=120>

Tính phân c

ự

c m

ộ

t chi

ề

u

• Qui ước thống nhất: chọn I₂ bằng 10 lần I_b0.

</div>
<span class='text_page_counter'>(121)</span><div class='page_container' data-page=121>

Tính phân c

ự

c m

ộ

t chi

ề

u theo kinh nghi

ệ

m

• N

ế

u khơng có

đặ

c tính V-A c

ủ

a BJT, vi

ệ

c tính tốn

đượ

c ch

ọ

n

theo kinh nghi

ệ

m:

• V

ớ

i BJT lo

ạ

i Si ch

ọ

n U

_be0

=0,6vơn, lo

ạ

i Ge ch

ọ

n U

_be0

=0,2 vơn

• Dịng I

_c0

đượ

c ch

ọ

n theo dòng c

ự

c

đạ

i cho phép c

ủ

a BJT.

Ch

ọ

n b

ằ

ng m

ộ

t n

ữ

a giá tr

ị

c

ự

c

đạ

i.

•

Đ

i

ệ

n áp U

_ce0

đượ

c ch

ọ

n b

ằ

ng m

ộ

t n

ữ

a

đế

n hai ph

ầ

n ba giá tr

ị

ngu

ồ

n V

_c

.

• Dịng I

_b0

=I

_c0

/

β

</div>
<span class='text_page_counter'>(122)</span><div class='page_container' data-page=122></div>
<span class='text_page_counter'>(123)</span><div class='page_container' data-page=123>

S

ơ

đồ

xoay chi

ề

u t

ươ

ng

đươ

ng

β

I

_b

I

_c

I

_b

I

_e

R

₁

//R

₂

I

_v

U

_v

U

_t

I

_t

I

_c

B

E

</div>
<span class='text_page_counter'>(124)</span><div class='page_container' data-page=124>

Tính tốn xoay chi

ề

u khu

ế

ch

đạ

i

• <b>Bộ</b> <b>tham số</b> <b>tính tốn:</b>

• Tổng trở ngõ vào Rv
• Tổng trở ngõ ra Rr

• Hệ số khuếch đại dịng điện Ki
• Hệ số khuếch đại điện áp Ku
• Hệ số khuếch đại cơng suất Kp

M

ạ

ch

khu

ế

ch

đạ

i

BJT

K

Uv =

e(t)

Iv

</div>
<span class='text_page_counter'>(125)</span><div class='page_container' data-page=125></div>
<span class='text_page_counter'>(126)</span><div class='page_container' data-page=126></div>
<span class='text_page_counter'>(127)</span><div class='page_container' data-page=127>

Tính tốn các h

ệ

s

ố

khu

ế

ch

đạ

i

• Sinh viên t

ự

đọ

c khu

ế

ch

đạ

i C-C và B-C

ở

nhà

</div>
<span class='text_page_counter'>(128)</span><div class='page_container' data-page=128></div>
<span class='text_page_counter'>(129)</span><div class='page_container' data-page=129>

U

_BE0

U

_CE0

Ur

I

_E0

I

_B0

I

_C0

U

_n

</div>
<span class='text_page_counter'>(130)</span><div class='page_container' data-page=130>

I

_v

U

_v

I

_e

I

<b>_b</b>

I

c

I

_t

I

_Rc

U

_r

M

ạ

ch vào

M

ạ

ch ra

=

<i>u</i>

<i>K</i>

</div>
<span class='text_page_counter'>(131)</span><div class='page_container' data-page=131>

(

)

[

]

)
(

//

1

<i>B</i>
<i>c</i>
<i>c</i>
<i>r</i>
<i>b</i>
<i>e</i>
<i>v</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

=

−

+

=

α













=

<i>t</i>
<i>t</i>
<i>c</i>
<i>i</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>K</i>

α

//

<i>v</i>
<i>n</i>
<i>t</i>
<i>c</i>
<i>u</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>K</i>

+

=

α

//

(

)

<i>t</i>
<i>t</i>
<i>c</i>
<i>v</i>
<i>t</i>
<i>t</i>
<i>c</i>
<i>c</i>
<i>t</i>
<i>t</i>
<i>t</i>
<i>t</i>
<i>c</i>
<i>c</i>
<i>v</i>
<i>t</i>
<i>i</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>mà</i>

<i>I</i>

<i>I</i>

<i>K</i>

//

//

//

.

α

=

=

=

=

* Tổng trở vào: tổng trở vào được tính theo mạch vịng E-B. dịng ra I_c=αI_e

U

_v

=R

_v

I

_e

= [r

_e

+(1-

α

)r

_b

]; U

_c

= (R

_c

//r

_c(B)

)I

_c

* Hệ số khuếch đại dòng điện

* Hệ số khuếch đại điện áp

(

)

<i>i</i>

(

<i>_n</i> <i>t</i> <i>_v</i>

)

<i>v</i>
<i>n</i>
<i>v</i>
<i>t</i>
<i>t</i>

<i>n</i>
<i>t</i>
<i>u</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

<i>K</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

<i>K</i>

+

=

+

=

=

</div>
<span class='text_page_counter'>(132)</span><div class='page_container' data-page=132>

I

_v

I

_t

I

_e

I

_c

U

_t

U

_v

R

₁

R

₂

Phân cực DC đợc tính tốn
tương tự như mạch E-C và
B-C. riêng điện trở định
thiên R_E được xác định
theo hệ số phản hồi âm
dòng điện cần thiết.

Các tính tóan dựa trên đặc
tính V-A vào và ra

Độ ổn định của mạch có
thể tính tóan dựa trên tiêu
chuẩn Routh hoặc các tiêu
chuẩn tần số

•Mạch khuếch đại C-C có hệ số phản hồi âm lớn nên dải tần cơng tác rộng.
•Đặc tính tần số biên độ Logarit có độ dốc cao tần là -20dB/dec

</div>
<span class='text_page_counter'>(133)</span><div class='page_container' data-page=133>

I

_v

I

_t

I

_e

I

_b

I

c

I

_e0

U

_V

U

_r

Tính tham số xoay chiều:

* Dịng điện vào được tính là dịng
I_btại cực B của BJT

(

)(

)

[

<i>r</i>

1

<i>r</i>

<i>R</i>

//

<i>R</i>

]

//

<i>R</i>

₁

//

<i>R</i>

₂

<i>R</i>

<i>_v</i>

=

<i>_b</i>

+

+

β

<i>_e</i>

+

<i>_e</i> <i>_t</i>

Nếu điện trở vào được chọn lớn

(

)(

)

[

<i>_b</i>

1

<i>_e</i> <i>_e</i>

//

<i>_t</i>

]

//

₁

//

₂

//

<i>_c</i>₍<i>_E</i>₎

<i>v</i>

<i>r</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

=

+

+

β

+

</div>
<span class='text_page_counter'>(134)</span><div class='page_container' data-page=134>

Điện trở ra của tầng C-C

(

)













+

+

+

=

β

1

//

//

//

<i>r</i>

<i>r</i>

( )

<i>r</i>

<i>R</i>

1

<i>R</i>

2

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>_r</i> <i>_e</i> <i>_e</i> <i>c</i> <i>E</i> <i>b</i>

(

)













+

+

+

=

β

1

//

//

<i>_r</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

1

<i>R</i>

2

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>b</i>
<i>e</i>
<i>e</i>
<i>r</i>

(

)(

)

[

]

(

) (

) (

)

(

)

<i>t</i>
<i>t</i>
<i>e</i>
<i>v</i>
<i>v</i>
<i>v</i>
<i>t</i>
<i>i</i>
<i>t</i>
<i>e</i>
<i>b</i>
<i>t</i>
<i>e</i>
<i>e</i>
<i>t</i>
<i>t</i>
<i>t</i>
<i>e</i>
<i>e</i>
<i>b</i>
<i>b</i>
<i>v</i>

<i>b</i>
<i>v</i>
<i>v</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>I</i>

<i>K</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>r</i>

<i>r</i>

<i>I</i>

<i>r</i>

<i>I</i>

<i>R</i>

<i>I</i>

//

1

//

1

//

//

1

β

β

β

+

=

=

+

=

=

+

+

+

=

=

Với r_c(E) lớn, ta có thể viết:

Hệ số khuếch đại dịng điện

Hệ số khuếch đại điện áp

(

)

<i>i</i>

(

<i>_n</i> <i>t</i> <i>_v</i>

)

</div>
<span class='text_page_counter'>(135)</span><div class='page_container' data-page=135>

Ghép t

ầ

ng trong b

ộ

khu

ế

ch

đạ

i dùng

đ

i

ệ

n dung

• Thơng thường, một mạch khuếch đại chỉ có hệ số khuếch dại cỡ vài
chục lần. Muốn có hệ số khuếch đại lớn phải ghép nhiều mạch với
nhau, gọi là ghép tầng.

T

ụ

</div>
<span class='text_page_counter'>(136)</span><div class='page_container' data-page=136></div>
<span class='text_page_counter'>(137)</span><div class='page_container' data-page=137>

Khu

ế

ch

đạ

i cơng su

ấ

t

• - Các tầng khuếch đại cơng suất có dịng điện và điện áp cao

• - Phân cực một chiều sẽ gây tổn thất công suất một chiều trong mạch
khuếch đại

• - Cần hạn chế tổn hao này.

Ube0

Uce0
Uv

Ue0

Ut

I

_c0

</div>
<span class='text_page_counter'>(138)</span><div class='page_container' data-page=138>

T

ổ

n hao công su

ấ

t trong m

ạ

ch EC

• Tổn hao chính là dịng phân cực I_c0 và điện áp U_ce0

• P₀ = U_ce0I_c0. Khi làm việc trong chế độ khuếch đại cả hai nữa chu kì.

• Vấn đề làm mát cho BJT, tăng cơng suất nguồn cung cấp.

• Chế độ khuếch đại cả hai nửa chu kì gọi là chế độ A

Q

B

A

Ic

Uce

I

_c

I

_c0

U

_ce0

I

_b0

I

_b2

I

_b1

I

_b

U

_be

U

_be

U

_be0

I

_b0

I

_b2

I

_b1

I

_b

M

N

o

</div>
<span class='text_page_counter'>(139)</span><div class='page_container' data-page=139>

Khu

ế

ch

đạ

i công su

ấ

t ch

ế

độ

B (m

ộ

t n

ữ

a chu kì)

• Để khuếch đại cả hai nửa chu kì cần có hai mạch khuếch đại riêng
• Loại chế độ này sẽ không gây tổn hao một chiều

I

_b

U

_be

I

_c

U

_ce

e(t)

I

<b>_b</b>_max

I

<b>_b</b>_max

</div>
<span class='text_page_counter'>(140)</span><div class='page_container' data-page=140>

Nguyên lí m

ạ

ch khu

ế

ch

đạ

i ghép

đẩ

y kéo

</div>
<span class='text_page_counter'>(141)</span><div class='page_container' data-page=141>

Khu

ế

ch

đạ

i Darlington

• Hệ số khuếch đại bằng tích hai hệ số khuếch đại tương ứng của BJT
• Mạch này thường dùng ở tầng khuếch đại cuối cùng.

• Nhược điểm là hay bị dao động tự kích.

T

₁

T

₂

I

_b1

</div>
<span class='text_page_counter'>(142)</span><div class='page_container' data-page=142>

Ph

ả

n h

ồ

i trong b

ộ

khu

ế

ch

đạ

i

• Phản hồi là lấy một phần tín hiệu ra đem quay trở lại trộn với tín hiệu

đầu vào để cải thiện chất lượng bộ khuếch đại.

• Theo tín hiệu có phản hồi điện áp và dịng điện

• Theo hình thức phản hồi có phản hồi âm (ngược pha) và dương (cùng
pha)

• Theo cấu trúc có phản hồi song song và phản hồi nối tiếp.

• <i><b>Tác d</b><b>ụ</b><b>ng làm t</b><b>ă</b><b>ng t</b><b>ổ</b><b>ng tr</b><b>ở</b></i> <i><b>vào và gi</b><b>ả</b><b>m t</b><b>ổ</b><b>ng tr</b><b>ở</b><b> ra</b></i>

• <i><b>T</b><b>ă</b><b>ng </b><b>độ</b></i> <i><b>r</b><b>ộ</b><b>ng d</b><b>ả</b><b>i t</b><b>ầ</b><b>n cơng tác</b></i>

• <i><b>Ổ</b><b>n </b><b>đị</b><b>nh hố b</b><b>ộ</b></i> <i><b>khu</b><b>ế</b><b>ch </b><b>đạ</b><b>i</b></i>

• <i><b>Nâng cao </b><b>độ</b></i> <i><b>ch</b><b>ố</b><b>ng nhi</b><b>ễ</b><b>u và gi</b><b>ả</b><b>m kh</b><b>ả</b><b> n</b><b>ă</b><b>ng dao </b><b>độ</b><b>ng t</b><b>ự</b></i> <i><b>kích.</b></i>

K

_h

K

_p

U

_v

U

_r

<i>p</i>

<i>h</i>

<i>h</i>

<i>ph</i>

<i>K</i>

<i>K</i>

<i>K</i>

<i>K</i>

±

=

1

e

z

(+)

</div>
<span class='text_page_counter'>(143)</span><div class='page_container' data-page=143>

Trong tr

ườ

ng h

ợ

p t

ổ

ng quát, m

ộ

t b

ộ

khu

ế

ch

đạ

i

đượ

c coi nh

ư

m

ộ

t

m

ạ

ch

đ

i

ệ

n v

ớ

i các ph

ầ

n t

ử

t

ạ

o nên m

ộ

t quan h

ệ

vào-ra t

ổ

ng quát:

<i>x</i>

<i>b</i>

<i>dt</i>

<i>dx</i>

<i>b</i>

<i>dt</i>

<i>x</i>

<i>d</i>

<i>b</i>

<i>dt</i>

<i>x</i>

<i>d</i>

<i>b</i>

<i>y</i>

<i>a</i>

<i>dt</i>

<i>dy</i>

<i>a</i>

<i>dt</i>

<i>y</i>

<i>d</i>

<i>a</i>

<i>dt</i>

<i>y</i>

<i>d</i>

<i>a</i>

<i>_m</i> <i>_m</i> <i>_m</i>

<i>m</i>
<i>m</i>
<i>m</i>
<i>n</i>
<i>n</i>
<i>n</i>
<i>n</i>
<i>n</i>
<i>n</i>

+

+

+

+

=

+

+

+

+

₁ −1₋₁ ₋₁ ₀ ₁ −1₋₁ ₋₁

0

...

...

Với điều kiện đầu không nguồn

∑

∑

=
−
=
−
=
= <i>_n</i>
<i>i</i>
<i>i</i>
<i>n</i>
<i>i</i>
<i>m</i>
<i>k</i>
<i>k</i>
<i>m</i>
<i>k</i>
<i>h</i>
<i>p</i>
<i>a</i>
<i>p</i>
<i>b</i>
<i>p</i>
<i>X</i>
<i>p</i>
<i>Y</i>
<i>p</i>

<i>W</i>
0
0
)
(
)
(
)
(

W_h(p)

W_f(p)

</div>
<span class='text_page_counter'>(144)</span><div class='page_container' data-page=144>

Hàm truyền của hệ kín

)

(

)

(

1

)

(

)

(

<i>p</i>

<i>W</i>

<i>p</i>

<i>W</i>

<i>p</i>

<i>W</i>

<i>p</i>

<i>W</i>

<i>f</i>
<i>h</i>
<i>h</i>

<i>k</i>

=

₊

Trong miền Laplace: p = α + jω
Trong miền tần số: p = j

ω

)
(

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

1

)

(

)

(

ω

ω

ω

ϕ ω

ω

ω

ω

ω

<i>j</i>
<i>k</i>
<i>k</i>
<i>f</i>
<i>h</i>
<i>h</i>

<i>k</i>

<i>P</i>

<i>jQ</i>

<i>A</i>

<i>e</i>

<i>j</i>

<i>W</i>

<i>j</i>

<i>W</i>

<i>j</i>

<i>W</i>

<i>j</i>

<i>W</i>

=

+

=

+

=

)

(

)

(

arctan

)

(

;

)

(

)

(

)

(

)

(

)

(

;

)

(

)

(

( ) ( )

ω

ω

ω

ϕ

ω

ω

ω

ω

ω

ω

ω

ϕ ω ϕ ω
<i>k</i>
<i>k</i>
<i>j</i>
<i>j</i>

<i>P</i>

<i>Q</i>

<i>X</i>

<i>Y</i>

<i>A</i>

<i>e</i>

<i>X</i>

<i>j</i>

<i>X</i>

<i>e</i>

<i>Y</i>

<i>j</i>

<i>Y</i>

=

=

=

=

Với hàm ảnh Furie của y(t) và x(t), ta có

</div>
<span class='text_page_counter'>(145)</span><div class='page_container' data-page=145>

Đặt A(ω)=K
)
(
)
(
)
(
)
(

1

)

(

_ϕ

_ω

_ϕ

_ω

ϕ

ω

ω

ϕ

ω

<i>k</i>
<i>f</i>
<i>h</i>
<i>h</i>
<i>j</i>
<i>h</i>
<i>k</i>
<i>j</i>
<i>f</i>
<i>j</i>
<i>h</i>
<i>j</i>
<i>h</i>

<i>k</i>

<i>K</i>

<i>K</i>

<i>e</i>

<i>e</i>

<i>K</i>

<i>e</i>

<i>K</i>

<i>e</i>

<i>K</i>

<i>j</i>

<i>W</i>

=

+

=

Nh

ậ

n xét:

•H

ệ

s

ố

khu

ế

ch

đạ

i c

ủ

a m

ạ

ch có ph

ả

n h

ồ

i là m

ộ

t tr

ị

ph

ứ

c

•Góc l

ệ

ch pha ph

ụ

thu

ộ

c c

ấ

u trúc m

ạ

ch ph

ả

n h

ồ

i

•H

ệ

s

ố

khu

ế

ch

đạ

i làm vi

ệ

c ph

ụ

thu

ộ

c t

ầ

n s

ố

tín hi

ệ

u

•M

ạ

ch ph

ả

n h

ồ

i làm vi

ệ

c

ổ

n

đị

nh n

ế

u góc l

ệ

ch pha khơng làm

đả

o d

ấ

u tín hi

ệ

u ph

ả

n h

ồ

i theo qui

ướ

c.

</div>
<span class='text_page_counter'>(146)</span><div class='page_container' data-page=146>

KHU

Ế

CH

ĐẠ

I TÍN HI

Ệ

U Bi

Ế

N THIÊN CH

Ậ

M

•

Đặ

c

đ

i

ể

m:

-Tín hi

ệ

u bi

ế

n thiên

r

ấ

t ch

ậ

m

-Khơng n

ố

i t

ầ

ng

b

ằ

ng t

ụ

hay bi

ế

n áp

-D

ễ

b

ị

trôi do ngu

ồ

n

và nhi

ệ

t

độ

-D

ễ

m

ấ

t cân b

ằ

ng

</div>
<span class='text_page_counter'>(147)</span><div class='page_container' data-page=147>

Ghép t

ầ

ng trong khu

ế

ch

đạ

i m

ộ

t chi

ề

u

Th

ườ

ng ghép t

ầ

ng tr

ự

c ti

ế

p hay ghép quang

</div>
<span class='text_page_counter'>(148)</span><div class='page_container' data-page=148>

KHU

Ế

CH

ĐẠ

I VI SAI

Không thể hiện phân cực
của BJT cho khỏi rườm rà

Ur

+Vc

Uv1

Uv2

Io

Ie1

Ie2

R

R

Ie1+Ie2=Io=h

ằ

ng s

ố

T1

T2

</div>
<span class='text_page_counter'>(149)</span><div class='page_container' data-page=149>

-KHU

Ế

CH

ĐẠ

I VI SAI-cùng pha

Ur

+Vc

Uv1

Uv2

Io

Ie1

Ie2

R

R

I

~

e1

+I

~e2

=0

</div>
<span class='text_page_counter'>(150)</span><div class='page_container' data-page=150>

khu

ế

ch

đạ

i vi sai - ng

ượ

c pha

Ur

+Vc

Uv1

Uv2

Io

Ie1

Ie2

R

R

T1

T2

</div>
<span class='text_page_counter'>(151)</span><div class='page_container' data-page=151>

khu

ế

ch

đạ

i vi sai – trôi nhi

ệ

t

Ur

+Vc

Uv1

Uv2

Io

Ie1

Ie2

R

R

I

0

_e1+I

0

_e2=0

</div>
<span class='text_page_counter'>(152)</span><div class='page_container' data-page=152>

khu

ế

ch

đạ

i vi sai – trôi ngu

ồ

n

Ur

+Vc

Uv1

Uv2

Io

Ie1

Ie2

R

R

I

0

_e1+I

0

_e2=0

</div>
<span class='text_page_counter'>(153)</span><div class='page_container' data-page=153>

<b>Khu</b>

<b>ế</b>

<b>ch </b>

<b>đạ</b>

<b>i vi sai không cân b</b>

<b>ằ</b>

<b>ng</b>

Ur

+Vc

Uv1

Uv2

Io

Ie1

Ie2

R1

R1

Ie1+Ie2=Io=h

ằ

ng s

ố

T1

T2

R2

R2

</div>
<span class='text_page_counter'>(154)</span><div class='page_container' data-page=154>

<b>Đọ</b>

<b>c giá tr</b>

<b>ị</b>

<b>đ</b>

<b>i</b>

<b>ệ</b>

<b>n tr</b>

<b>ở</b>

• 0 Đen 7 Tím

• 1 Nâu 8 Xám

• 2 Đỏ 9 Trắng

• 3 Cam
• 4 Vàng
• 5 Xanh
• 6 Lơ (blue)

V

ạ

ch chu

ẩ

n

S

ố

th

ứ

nh

ấ

t (s

ố

)

_S

_ố

_th

_ứ

hai (s

ố

)

S

ố

th

ứ

ba (s

ố

ch

ữ

s

ố

0)

Sai s

ố

</div>
<span class='text_page_counter'>(155)</span><div class='page_container' data-page=155>

Ph

ả

n h

ồ

i áp và dịng

</div>
<span class='text_page_counter'>(156)</span><div class='page_container' data-page=156>

Ch

ươ

ng 3-

<b>KHU</b>

<b>Ế</b>

<b>CH </b>

<b>ĐẠ</b>

<b>I THU</b>

<b>Ậ</b>

<b>T TỐN</b>

- OA

Operational Amplifier

+Vc

-Vc

Vi

-Vi+

i

+

i-V

₀

R

_v

=

∞

;

R

_r

= 0; i- = i+ = 0; K

_h

=

∞

;

<b>V</b>

<b>₀</b>

<b>= K</b>

<b>_h</b>

∆V

<b>_i</b>

IC –

<b>I</b>

ntegrated

<b>C</b>

ircuit

</div>
<span class='text_page_counter'>(157)</span><div class='page_container' data-page=157>

Đặ

c tính vào ra c

a OA

ã Khi Vi

+

_>Vi

-

_ẻ

_{Vo = +Vc (Vi}

-

_{= 0)}

• Khi Vi

+

_<Vi

-

_ẻ

_{Vo = -Vc}

_(Vi

-

_{= 0)}

ã Do OA th

ự

c t

ế

khơng th

ể

có K

_h

=

∞

mà ch

ỉ

10

4

_-:-10

6

_nên

t

ồ

n t

ạ

i

∆

Vi c

ỡ

vài mV

đượ

c khu

ế

ch

đạ

i tuy

ế

n tính

• Th

ự

c t

ế

ng

ườ

i ta không dùng vùng khu

ế

ch

đạ

i này

Vi

Vo

Vi+

Vi-∆

Vi

</div>
<span class='text_page_counter'>(158)</span><div class='page_container' data-page=158>

Các ch

ế

độ

làm vi

ệ

c c

ủ

a OA

A. Ch

ế

độ

tuy

ế

n tính (khu

ế

ch

đạ

i): c

ầ

n có ph

ả

n h

ồ

i âm sâu

để

gi

ả

m h

ệ

s

ố

khu

ế

ch

đạ

i.

<i>N</i>

<i>ố</i>

<i>i m</i>

<i>ạ</i>

<i>ch ph</i>

<i>ả</i>

<i>n h</i>

<i>ồ</i>

<i>i </i>

<i>đầ</i>

<i>u ra v</i>

<i>ề</i>

<i> chân </i>

<i>đả</i>

<i>o</i>

Ln có:

Vi

+

= Vi

-i

+

= i

-

= 0

B. Ch

ế

độ

xung (

on – off

) (Khơng có ph

ả

n h

ồ

i)

Vi

+

> Vi-

Ỵ

Vo = +Vc

Vi

+

< Vi-

Ỵ

Vo = -Vc

C. Ch

ế

độ

t

ự

dao

độ

ng:sóng sin, tam giác, r

ă

ng c

ư

a, ch

ữ

</div>
<span class='text_page_counter'>(159)</span><div class='page_container' data-page=159>

Các

ứ

ng d

ụ

ng tuy

ế

n tính c

ủ

a OA

Vi+ = Vi- = 0

M

ạ

ch khu

ế

ch

đạ

i

đả

o: Ur = -(R2/R1)U1

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R1

R2

U1

I1

</div>
<span class='text_page_counter'>(160)</span><div class='page_container' data-page=160>

Khu

ế

ch

đạ

i khơng

đả

o

• Vi+ = Vi- =U1

•

Đ

i

ệ

n áp ra: Ur = (1+R2/R1)U1

Vi

-Vi+

i

+

i-Ur

R1

R2

U1

I1

</div>
<span class='text_page_counter'>(161)</span><div class='page_container' data-page=161>

M

ạ

ch c

ộ

ng

đả

o

• Vi+ = Vi- = 0

• Ur = -(U1 + U2)

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

R

U1

U2

R

I1

</div>
<span class='text_page_counter'>(162)</span><div class='page_container' data-page=162>

M

ạ

ch c

ộ

ng không

đả

o

Vi+ = Vi- = Ur/2; Ur = U1 + U2

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

R

U1

U2

R

R

I1

</div>
<span class='text_page_counter'>(163)</span><div class='page_container' data-page=163>

M

ạ

ch tr

ừ

• Vi+ = Vi- = U2/2; Ur = U2 – U1

• U2 = Ur + U1

≡ α

2 +

α

1=

α

= 180 d

ộ

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

R

U1

U2

R

R

I1

I3

+5V

+5v

</div>
<span class='text_page_counter'>(164)</span><div class='page_container' data-page=164>

M

ạ

ch vi phân

đả

o

• Vi+ = Vi- = 0

• Ur = - RC(dU1/dt) = -T.dU1/dt

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

U1

C

I

</div>
<span class='text_page_counter'>(165)</span><div class='page_container' data-page=165>

M

ạ

ch tích phân

đả

o

• Vi+ = Vi- = 0

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

U1

C

∫

−

=

<i>U</i>

<i>dt</i>

<i>RC</i>

</div>
<span class='text_page_counter'>(166)</span><div class='page_container' data-page=166>

M

ạ

ch l

ặ

p

đ

i

ệ

n áp

• Ur = U1; dùng t

ạ

o tr

ở

kháng ngu

ồ

n th

ấ

p

Vi

-Vi+

i

+

i-Ur

R2

</div>
<span class='text_page_counter'>(167)</span><div class='page_container' data-page=167>

M

ạ

ch tích phân không

đả

o

Vi

-Vi+

i

+

i-Ur

R

U1

C

R

R

R

∫

=

<i>U</i>

<i>dt</i>

<i>RC</i>

<i>Ur</i>

2

1

I1

I2

</div>
<span class='text_page_counter'>(168)</span><div class='page_container' data-page=168>

M

ạ

ch

<b>PI</b>

(

<b>P</b>

oprotional

<b>I</b>

ntegrated)

• T

ỉ

l

ệ

Tích phân

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R1

U1

C

R2

I1

I2

∫

−

−

=

<i>U</i>

<i>dt</i>

<i>CR</i>

<i>U</i>

<i>R</i>

<i>R</i>

<i>U</i>

<i>_r</i>

1

1

1

1

</div>
<span class='text_page_counter'>(169)</span><div class='page_container' data-page=169>

M

ạ

ch PID –

<b>P</b>

oprotional

<b>I</b>

ntegrated

<b>D</b>

erivative

• T

ỉ

l

ệ

Tích phân Vi phân

Vi

-Vi+ i

+

</div>
<span class='text_page_counter'>(170)</span><div class='page_container' data-page=170>

Quan h

ệ

I và U trong ti

ế

p giáp p-n

trong vùng

đ

i

ệ

n áp th

ấ

p và dịng nh

ỏ

• Trong Diode: I

_A

= k.e

Uak

• U

_ak

= lnI

_A

• Trong Tranzitor I

_c

= k.e

Uce

• U

_ce

= lnI

_c

=1

</div>
<span class='text_page_counter'>(171)</span><div class='page_container' data-page=171>

M

ạ

ch l

ấ

y logarit

Ia = I1 = U1/R

Ỉ

<i>-Ur = Uak = ln(U1/R)</i>

<i>V</i>

<i>ậ</i>

<i>y </i>

<i>đ</i>

<i>i</i>

<i>ệ</i>

<i>n áp ra t</i>

<i>ỉ</i>

<i>l</i>

<i>ệ</i>

<i>v</i>

<i>ớ</i>

<i>i logarit </i>

<i>đ</i>

<i>i</i>

<i>ệ</i>

<i>n áp vào.</i>

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

U1

I1

</div>
<span class='text_page_counter'>(172)</span><div class='page_container' data-page=172>

M

ạ

ch l

ấ

y logarit b

ằ

ng BJT

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

</div>
<span class='text_page_counter'>(173)</span><div class='page_container' data-page=173>

M

ạ

ch l

ấ

y hàm m

ũ

Ia = I = -Ur/R = ke

Uak

Ur = -kR.e

U1

<i>V</i>

<i>ậ</i>

<i>y </i>

<i>đ</i>

<i>i</i>

<i>ệ</i>

<i>n áp ra t</i>

<i>ỉ</i>

<i>l</i>

<i>ệ</i>

<i>v</i>

<i>ớ</i>

<i>i hàm m</i>

<i>ũ</i>

<i>e c</i>

<i>ủ</i>

<i>a </i>

<i>đ</i>

<i>i</i>

<i>ệ</i>

<i>n áp vào</i>

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

U1

Ia

</div>
<span class='text_page_counter'>(174)</span><div class='page_container' data-page=174>

M

ạ

ch t

ạ

o tín hi

ệ

u hàm m

ũ

b

ằ

ng BJT

Vi

-Vi+ i

+

i-Ur

R

</div>
<span class='text_page_counter'>(175)</span><div class='page_container' data-page=175>

M

ạ

ch nhân hai

đ

i

ệ

n áp

• Ur = U1xU2

• lnUr = ln(U1.U2) = lnU1 + lnU2

• Ur = e

(lnU1 + lnU2)

ln

ln

c

ộ

ng

l

ấ

y hàm

m

ũ

Ur

U1

</div>
<span class='text_page_counter'>(176)</span><div class='page_container' data-page=176>

M

ạ

ch nhân dùng OA

U

₂

U

₁

</div>
<span class='text_page_counter'>(177)</span><div class='page_container' data-page=177>

M

ạ

ch chia hai

đ

i

ệ

n áp

• Ur = U1/U2

• lnUr = ln(U1/U2) = lnU1 - lnU2

• Ur = e

(lnU1 - lnU2)

ln

ln

tr

ừ

l

ấ

y hàm

m

ũ

Ur

U1

</div>
<span class='text_page_counter'>(178)</span><div class='page_container' data-page=178>

M

ạ

ch chia hai

đ

i

ệ

n áp

U

₂

U

₁

</div>
<span class='text_page_counter'>(179)</span><div class='page_container' data-page=179>

M

ạ

ch khai c

ă

n b

ậ

c hai

1
ln
2
1
1
2
1
1
1

ln

2

1

ln

<i>_r</i> <i>_r</i> <i>U</i>

<i>r</i>

<i>e</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

<i>U</i>

=

==>

=

==>

=

=

</div>
<span class='text_page_counter'>(180)</span><div class='page_container' data-page=180>

M

ạ

ch khai c

ă

n b

ậ

c hai

U

_v

</div>
<span class='text_page_counter'>(181)</span><div class='page_container' data-page=181></div>
<span class='text_page_counter'>(182)</span><div class='page_container' data-page=182></div>
<span class='text_page_counter'>(183)</span><div class='page_container' data-page=183></div>
<span class='text_page_counter'>(184)</span><div class='page_container' data-page=184>

• Ngu

ồ

n áp: r

_n

= 0 ho

ặ

c r

_n

<< Rt

Vi

-Vi+

i

+

i-Ur

R2

</div>
<span class='text_page_counter'>(185)</span><div class='page_container' data-page=185>

Ứ

ng d

ụ

ng OA trong ch

ế

độ

so sánh

• Mạch so sánh một ngưỡng

V

₀

U

₁

U

₂

220v

+Vc

-Vc

Vi

</div>
<span class='text_page_counter'>(186)</span><div class='page_container' data-page=186>

Cơng d

ụ

ng m

ạ

ch so sánh m

ộ

t ng

ưỡ

ng

• Dùng trong các mạch bảo vệ tín hiệu

• Dùng trong các mạch tạo góc mở điều khiển các bộ điện tử công suất
lớn như chỉnh lưu, băm điện áp, biến tần.

• Làm cơ sở để xây dựng các bộ chuyển đổi ADC, DAC trong kĩ thuật
số hiện nay.

• Tạo ngưỡng để dùng trong các thiết bị vừa đo lường, vừa điều khiển
như bù cosϕ, điều khiển nhiệt độ, cân điện tử… và nhiều ứng dụng mở

rộng khác.
• <b>Nhược điểm: </b>

• Mạch so sánh kiểu này quá nhạy nên thường sinh ra các xung động
trong hệ thống.

</div>
<span class='text_page_counter'>(187)</span><div class='page_container' data-page=187>

M

ạ

ch so sánh 2 ng

ưỡ

ng đố

<b>i x</b>

<b>ứ</b>

<b>ng</b>

• Thường dùng trong các mạch tạo xung Trige và dao động đa hài

V

₀

U

₁

R

₁

R

₂

V

_i

Vo

-Vc

+Vc

-V

_i+

+V

_i+

</div>
<span class='text_page_counter'>(188)</span><div class='page_container' data-page=188>

M

ạ

ch so sánh 2 ng

ưỡ

ng không

đố

i x

ứ

ng

• V

₀

= V

₀₁

AND V

_o2

V

₀

U

₁

U

₂

V

_o1

</div>
<span class='text_page_counter'>(189)</span><div class='page_container' data-page=189>

Đồ

th

ị

m

ạ

ch so sánh hai ng

ưỡ

ng không

đố

i x

ứ

ng

V

_i

Vo

-Vc

+Vc

</div>
<span class='text_page_counter'>(190)</span><div class='page_container' data-page=190>

Ch

ế

độ

dao

độ

ng c

ủ

a OA

V

₀

U

₁

R

₁

</div>
<span class='text_page_counter'>(191)</span><div class='page_container' data-page=191>

Bi

ể

u

đồ

th

ờ

i gian dao

độ

ng c

ủ

a OA

0,5V

_c

+

0,5V

_c

-Vo

</div>
<span class='text_page_counter'>(192)</span><div class='page_container' data-page=192></div>
<span class='text_page_counter'>(193)</span><div class='page_container' data-page=193></div>
<span class='text_page_counter'>(194)</span><div class='page_container' data-page=194></div>
<span class='text_page_counter'>(195)</span><div class='page_container' data-page=195></div>
<span class='text_page_counter'>(196)</span><div class='page_container' data-page=196></div>
<span class='text_page_counter'>(197)</span><div class='page_container' data-page=197></div>
<span class='text_page_counter'>(198)</span><div class='page_container' data-page=198>

Ngu

ồ

n cung c

ấ

p m

ộ

t chi

ề

u

• Nguồn cung cấp là một thiết bị rât cần thiết trong mạch điện tử

• Nguồn phải cung cấp đủ cơng suất sử dụng
• nguồn phải có khả năng chống nhiễu tơt
• Điện áp nguồn phải ổn định

• Biên độ điện áp phải đúng yêu cầu.

• Đảm bảo an tồn cho mạch đang sử dụng cũng như người dùng.
• Nguồn được lấy từ acqui, pin hay chỉnh lưu xoay chiều thành một

chiều.

Ngu

ồ

n

cung c

ấ

p

Ngu

ồ

n pin

Ngu

ồ

n acqui

</div>
<span class='text_page_counter'>(199)</span><div class='page_container' data-page=199>

Ch

ỉ

nh l

ư

u xoay chi

ề

u dùng Diode

</div>
<span class='text_page_counter'>(200)</span><div class='page_container' data-page=200></div>

<!--links-->