Tải bản đầy đủ (.pdf) (180 trang)

Chế tạo, nghiên cứu cấu trúc, tính chất và khả năng ứng dụng của các hạt nano kim loại quý : Đề tài NCKH. QG-13-03

Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (8.11 MB, 180 trang )


Đ Ạ I HỌC QUỐ C GIA HÀ NỘI

BÁO CÁO TỎNG KÉT
K É T Q U Ả T H ự C H IỆN ĐÊ TÀI K H & C N
CẤP ĐẠI h ọ c q u ó c g i a

Tên đề tài: Chế tạo, nghiên cứu cấu trúc, tính chất và khả năng ứng dụng
của các hạt nano kim loại quý

Mã số đ ề tài: QG-13-03
Chủ nhiệm đề tài: TS. Ngạc An Bang

Hà Nội, 2016


PH Ầ N I. T H Ô N G T IN C H U N G
1.1. Tên đề tài: C hế tạo, nghiên cứu cấu trúc, tính chất và khả n ăng ứ n g dụn g của các hạt
nano kim loại quý
1.2. Mã số: Q G 13.03
1.3. Danh sách chủ trì, thành viên tham gia thực hiện đề tài
TT

C hức danh, học vị,
họ và tên

Đ o n vị công tác

Vai trò thực hiện đề tài

1



TS. N gạc An B ang

K hoa V ật lý, Đ H K H T N , ĐI IQ G H à N ội

Chủ nhiệm

2

TS. T rịnh Thị Loan

K hoa V ật lý, Đ H K H T N , Đ H Q G H à Nội

T hư ký

J

TS. N guyễn T h an h B ình

V iện V ật lý, V A ST

Thành viên

4

PG S.T S. H oàng N am N hật

T rường Đ H C N , Đ H Q G H à Nội

T hành viên


5

ThS. Sái C ông D oanh

K hoa V ật lý, Đ IỈK H T N , Đ H Q G H à N ội

T hành viên

1.4. Đ o n vị chủ trì: Đ ại học K hoa học T ự nhiên, Đại học Q uốc gia Hà Nội
1.5. T h òi gian thực hiện:
1.5.1. T heo hợp đồng:
1.5.2. G ia hạn (nếu có):
1.5.3. T hự c hiện thực tế:

từ tháng 07 năm 2013 đến tháng 07 năm 2015
đến tháng 04 năm 2016
từ tháng 07 năm 2013 đến tháng 04 năm 2016

1.6. N h ữ n g thay đổi so với thuyết minh ban đầu (nếu có):
1.7. T ổ n g kinh phí đ ư ợ c phê duyệt của đề tài: 180 triệu đồng.

1


PHẦN II. T Ồ N G QUAN KÉT Q U Ả NGHIÊN c ứ u
1. Đặt vấn đề
Các hạt và thanh nano kim loại quý như Au và A g có nhiều khả năng ứng dụng trong nhiều lĩnh
vực khác nhau như photonics, optoelectronics, và công nghệ sinh học [1-4], Các ứng dụng thực tế
của hạt và thanh nano kim loại đều dựa trên hiện tư ợ ng cộng hư ờ ng plasm on bề m ặt (Surface

Plasm on R esonance, SPR ) [1-5], H iện tượng SPR xẩy ra khi các điện tử dẫn của hạt kim loại như
A u hoặc A g tương tác với trư ờng điện từ ngoài dẫn đến sự hình thành các dao động đồng pha với
m ột tần số cộng hưởng nhất định. Các hạt nano kim loại sẽ hấp thụ m ạnh photon tới ở đúng tần số
cộng hưởng này. T rong trư ờng hợp tổng quát, đỉnh SPR bao gồm cả hai thành phần hấp thụ và tán
xạ. Hiệu ứng SPR phụ thuộc vào hình dạng, kích thướ c, hằng số điện m ôi của bản thân hạt kim loại
và phụ thuộc cả vào hằng số điện m ôi của m ôi trường xung quanh [1, 2, 4, 5],
N hàm kiểm soát và khống chế hình dạng, kích thướ c và độ đồng nhất về kích thước của hạt Au
và Ag hàng loạt các phư ơ ng pháp chế tạo khác nhau [1] ví dụ như phươ ng pháp hoá khử [6, 7],
quang hoá [7]... đã và đang được nghiên cứu và sử dụng rộng rãi. Phương pháp hóa khử là phương
pháp thông dụng đe chế tạo các hạt A u và A g có kích thước dưới 100 nm . Đ ối với phương pháp hóa
khứ, thông thường các hạt A u và A g được chế tạo từ vàng halogenide sứ dụng các chất khứ khác
nhau n h ư N aB M 4 [1], N aíCèH sO ? [6, 7], Các thanh A u với tỷ lệ aspect ratio (A R, được định nghĩa là
lỷ lệ giữa đường kính và chiều dài của thanh) khác nhau chủ yếu được chế tạo bằng phương pháp
seed-m ediated [8, 9, 10],
Phổ hấp thụ của các m ẫu hạt nano kim loại có hình dạng tự a cầu chỉ xuất hiện m ột đỉnh hấp thụ
SPR duy nhất trong v ùng khả kiến ứng với duy nhất m ột m ode dao động lưỡng cực. Đối với thanh
nano A u, đỉnh SPR n gang (T ransverse Surface P lasm on R esonance, T S P R ) có cường độ yếu, nằm
Irong dải bước sóng từ 516 đến 520 nm và không phụ thuộc m ạnh vào hệ so AR. Đ ỉnh cộng hưởng
plasm on bề m ặt ứng với m od dao động dọc (L ongitudinal Surface P lasm on R esonance, LSPR) nằm
ờ phía sóng dài với cư ờ ng độ m ạnh hơn nhiều so với đinh T SP R . Đ ặc biệt là vị trí của đỉnh LSPR
phụ thuộc m ạnh vào hệ số A R của thanh Au. B ằng cách thay đổi hệ số A R vị trí của đỉnh LSPR có
thể lliay đổi trong m ộ t dải rộng từ vùng khả kiến đến vùng h ồng ngoại gần.
M ặc dù đã và đang được nghiên cứu ứng dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực khác nhau, các kết
quả thực nghiệm và lý thuyết về sự phụ thuộc định lượng của số lượng và vị trí đinh SPR vào hình
dạng và kích thước của các hạt nano kim loại hiện nay không phù hợp với nhau [4, 5], Bên cạnh đó,
khả năng và hiệu suất phát quang của các hạt nano kim loại cũng chưa được nghiên cứu m ột cách
đầy đủ. Các kết quả thực nghiệm của nhiều nhóm nghiên cứu trên thế giới không phù hợp với nhau.
H iện tượng SPR của các hạt nano kim loại như A u, A g và C u đã và đang được nhiều nhóm
nghiên cứu ở V iệt nam quan tâm . N hằm kiểm soát và khống chế hình dạng, kích thước và độ đồng
nhất về kích thước củ a hạt nano kim loại hàng loạt các phư ơ ng pháp chế tạo khác nhau ví dụ như

phư ơ ng pháp hoá khử, quang hoá, laser ablation, điện hóa siêu âm , seed-m ediated ... đã và đang
được nghiên cứu và sử dụng ở các trung tâm nghiên cứu hàng đâu của V iệt nam như V iện K hoa học
V ật liệu IMS, V iện V ật lý IOP, T rư ờ ng ĐHKHTN HUS va ĐHBKHN. H iện tượng SPR chủ yểu
được khảo sát thông qua phổ U V -V is của các hạt Au, A g và C u hình dạng tự a cầu ờ nhiệt độ phòng.
Phần lớn các đề tài n g hiên cứu trong nước đều tập trung định hư ớ ng vào những ứng dụng cụ thế và
m ột số ứng dụng thực tế cũng đã được th ử nghiệm thành công tại IM S, IOP và HUS.
2. M ục tiêu
Trên cơ sở đánh giá tình hình nghiên cứu trong và ngoài nước ờ trên, đề tài tập trung nghiên
cứu m ột cách có hệ thống hiện tượ ng SPR của các hạt nano kim loại quý như A u và A g ở cả hai
hình dạng là hạt cầu và thanh hình trụ. Đặc biệt là sự phụ thuộc định lượng của số lượng và vị trí
đỉnh SPR vào hình dạng và kích thước của các hạt nano kim loại. Ket quả thực nghiệm sẽ được so
sánh với các kết quả tính toán lý thuyết sử dụng các m ô hình lý thuyết như M ie, G ans [3], D D A [4]


và SI [5], N hóm nghiên cứu cũng sẽ bước đầu xây dựng m ô hình lý th uyết SPR của các hạl nano
kim loại sử dụng D P T [11] và so sánh với thực nghiệm .
B ên cạnh đó, m ột so tính chất vật lý như khả năng và h iệu suất phát quang, nếu có, cùa các
hạt nano kim loại cũng sẽ được khảo sát chi tiết. B ước đầu tìm hiểu k h ả năng ứng dụng của các hạt
nano kim loại trong th ông tin và quốc ph òng cũng là m ột trong các m ục tiêu đặt ra của đề tài.
3. Phươ ng pháp nghicn cứu

Phương pháp nghiên cứu, kỹ thuật sử dụng.
Phư ơng pháp nghiên cứu chủ yếu là phươ ng pháp thực nghiệm kết hợp với iý thuyết, sử dụng
những kỹ thuật và hệ đo h iện đại ở V iệt nam như: H ệ Siem ens D 5005 (X R D ), JE O L JE M -1010
(T E M ), U V -V is 2450P C , Lab R am IB (R am an), FL3-22 (F luoresence) v à nguồn laser N d:Y A G
hiện đại công suất cao ...

Tính mới, tính độc đáo, tính sáng tạo:
V iệc xác định hình dạng và kích thước của các hạt và thanh A u được thực hiện thông qua phân
tích định lượng ánh T E M với số lượng lớn các hạt và thanh sử d ụng phần m ềm chuyên dụng. Kết

q uá cho phép đánh giá chính xác hơn kích thước trung bình và phân bố kích thước cụ thể của các
m ẫu. H iện tượ ng SPR phụ thuộc m ạnh vào hình dạng và kích thư ớ c của các hạt nano kim loại. Việc
xác định được phân bố kích thước của các hạt và hệ số A R của th anh đóng vai trò quan trọng trong
việc nghiên cứu hiện tượ ng SPR. K hả năng gửi các m ẫu nghiên cứu đến các phòng thí nghiệm hiện
đại trên thế giới để thực hiện phép đo SA X S cũng sẽ được triển khai.
T ính chất quang quan trọng nhất của các hạt nano kim loại quý hiếm như Au và Ag chính là
hiện tượng SPR. Đ e tài tập trung nghiên cứu làm rõ sự phụ thuộc của vị trí và số lượng đính cộng
hưởng Plasm on bề m ặt vào hình dạng, kích thước và bản chất của m ôi trư ờng xung quanh các hạt
nano k im loại. Sự phụ thuộc của bước sóng cộng hưởng SPR vào h ình dạng và kích thước của các
hạt và thanh nano kim loại có sự sai khác khá lớn giữa kêt quả thự c nghiệm và các dự đoán lý
thuyết. Đe tài bước đầu thu thập và xử lý số liệu thực nghiệm và so sánh với các m ô hình lý thuyết
thông dụng trên thế giới n hư M ie, G anz, D D A và SI. N hóm n g hiên cứu cũng sẽ sử dụng D FT để
xây d ự ng và tính toán lý thuyết về SPR.
4. T ô n g kết k ế t q u ả n g h iê n cứ u
4.1. C hế tạo cấu trúc nano kim loại có kích thước dưới 100 nm
a. chế tạo các hạt nano vàng, bạc có kích thước dưới

10 0

nm

T rong khuôn khổ củ a đề tài này, chúng tôi đã chế tạo hạt nano A u và A g sử dụng phương
pháp hóa khử [2, 3]. C ác hạt A u đã được tạo ra trong dung dịch bàng cách khử A u3+ sử dụng các tác
nhân khử như sodium borohydride (N aB H 4 ) và sodium citrate (NasCóHsOy). Các tiền chất ban đầu
H A 1 1 CI 4 . 3 H 2 O (S ig m a-A ld rich , 99,9 % ) và N a 3 C 6 H s 0 7 .2 H 2 0 (S charlau, 99 % ) được hòa tan trong
n ư ớ c k h ử ion h ó a v ớ i tỷ lệ m o le x á c đ ịn h . D u n g d ịc h H A 1 1 C I 4 s a u k h i p h a ch ế tư ơ n g đ ố i n h ạ y vớ i

ánh sáng, vì vậy cần được bảo quản trong bóng tối, tránh tiếp xúc trự c tiếp với ánh sáng. M ột lượng
đủ lớn dung dịch sodium citrate được chế tạo v à bảo quản để có thể d ùng trong nhiều thí nghiệm
trong m ột thời gian dài.

H ỗn hợp H A 1 1 CI 4 và NaỉCóHõOv với tỷ lệ nồng độ m ol xác định được khuấy trộn đều trong
10 phút trên m áy khuấy từ. H ỗn hợp này, sau đó, được đun sôi và khuấy liên tục trên m áy khuấy
từ. Phản ứng khử A u 3+ thành Au° xẩy ra ở nhiệt độ 72 ± 2 ° c . M àu sắc củ a dung dịch thay đổi từ
m àu vàng đặc trư ng của A u3+ sang trong suốt và tím đen, cuối cùng là m àu đỏ sậm hay hồng tím tùy
thuộc vào tỷ lệ về nồng độ giữa các tiền chất ban đầu. D ung dịch sau đó tiếp tục được đun sôi (~
100 °C) trong vòng 10 phút để đảm bảo phản ứng xẩy ra hoàn toàn. T rong quá trình chế tạo m ẫu,
H 2 O liên tục được bố sung vào nhằm bù trừ cho lượng nước đã bay hơi. V iệc này là cần thiết nhằm
x ác định chính xác nồng độ hạt Au, A g trong m ẫu.

3


H ình la. Hình ảnh m ột số m ẫu nano vàng

H ình lb . H ình ảnh m ột số m ẫu nano bạc

b. chế tạo các thanh nano vàng
Các thanh A u đã được chúng tôi chế tạo thành công bằng phư ơ ng pháp seed-m ediated [7, 8,
9, 10]. Q uy trình chế tạo và cơ chế hình thành, phát triển của thanh A u đã được nhiều nhóm tác giá
trình bày và thảo luận chi tiết [8, 9, 10]. D ung dịch m ầm chứa các hạt A u có kích thước nhỏ, dưới 4
nm, đư ợ c chế tạo bằng cách khử các ion A u3+ trong m ôi trư ờng C T A B (A ldrich, 95 % ) sử dụng
chất khử m ạnh là NaBHLị (K anto, 92 % ). Các thanh A u hình thành và p h át triển trong 24 h sau khi

một lượng nhỏ dung dịch mầm được đưa vào dung dịch hỗn hợp gồm HA 1 1 CI4 , CTAB, AgNC>3
(M erck, 99,9 %) và CóHsOó (K anto, 99,5 % ). Các
để loại bò các sản phẩm dư thừa.

mẫu

sau khi chế tạo


được

tiến hành q u a y li tâm

Hình 2. Hình ảnh một số mẫu thanh nano vàng chế tạo được.
c. C hế tạo hạt nano kim loại hình dạng tự a cầu có cấu trúc lõi/vỏ (co re/sh ell) A u/A u và A u/C u ị O.
C hế tạo m ẫu A u/A g: H ỗn h ọ p dung dịch A u (đã dược chế tạo ở trên), N a 3 C 6 H 5 0 7 .2 H 2 0 và
m ột lượ ng nước khử ion nữ a với các tỷ lệ thể tích xác định được cho vào cốc nghiệm và khuấy đều
trên m áy khuấy từ. Sau khi hỗn hợ p dung dịch được khuấy đều tiếp tục cho thêm AgNC >3 và m ột
lượng C 6H s 0 6xác định được thêm vào.
Chế tạo AU/C 1 1 2 O: hòa tan m ột lượng xác định dung dịch SD S bằng nước khử ion, sau đó
thêm dung dịch C 1 1 CI 2 0.1 M và lắc nhẹ khoảng 5 s. Lần lượt cho thêm d u n g dịch chứa hạt nano A u
và d ung dịch N aO H IM và tiếp tục lắc nhẹ. C uối cùng N H 2 O H .H C I được thêm vào dung dịch, dung
dịch chuyển từ không m àu sang m àu xanh đặc trư ng của m ẫu AU/CU2 O core/shell.
4.2. K hảo sát cấu trúc tinh thể
a. C ấu trúc của các hạt nano vàng
M ột trong các phổ của các m ẫu hạt A u được trình bầy trên H ình 3. T rên nền phổ X R D có
thê q uan sát và xác định được hai đ ỉnh nhiễu xạ tươ ng ứng với các vạch n h iễu xạ đặc trưng của các
m ặt {111} và {200} trong m ạng lập phư ơ ng tâm m ặt (fee) cùa vàng kim loại (PDF: 04-0784). Do
nồng độ A u trong m ẫu đủ lớn, các đ ỉnh nhiễu xạ {111} và {200} ờ 38,27 và 44,42 là sắc nét và vị
trí c ủ a các đỉnh là khớp với phổ chuẩn nên có thể giả thiết các hạt A u tro n g m ẫu có cấu trúc tinh thể
fee củ a vàng kim loại.

4


350
=


300

°-3 9

(111)

200

4.077 Ả
= 2.041 Ả, a = 4.082 Ả.

„250

ro.200
■f 150


£ 100
CD

(2 0 0 )

50

0

30

35


40
45
2 ớ (d eg ree )

50

55

H ình 3 P hô nhiêu xạ tia X và f i t p h ô của m ẫu nano A u
C ường độ tỷ đối giữa các đỉnh nhiễu xạ X R D có thể cung cấp thông tin về phương phát triển
ưu tiên, nếu có, của tinh thể. C húng tôi đã tiến hành phân tích định lượng phố X R D của m ẫu hạt A u
(hóa khử). K ết quả fit phổ X R D của m ẫu được trình bầy trên hình 3. Đối với m ẫu hạt Au, tỷ lệ
cường độ giữa hai đỉnh {200} và {111} là và nhỏ hơn đáng kê so với giá trị tương ứng 0,52 cúa
phố chuẩn PD F 04-0784. Kct quá này phù hợp với m ột số tính toán lý thuyết cho trường hợp cùa
các hạt kim loại quý hiếm (A u, A g) có kích thướ c nanom et. T heo các tính toán này, các hạt A u và
Ag nano thường có dạng octahedron bao gồm các họ m ặt tinh thế có chỉ số hkl thấp như {111} và
{100}.
H ằng số m ạng a được xác định từ phố nhiễu xạ tia X của m ẫu hóa khử là khoảng 4,080 Ả.
Bán độ rộng FW H M của đỉnh nhiễu xạ tươ ng ứng với vạch nhiễu xạ đặc trư ng của m ặt {111} của
m ẫu khá lớn chứng tỏ kích thướ c của các hạt A u trong m ẫu là tư ơ ng đối nhỏ. Sử dụng công thứ c
D ebye-S cherrer và các thông số về vị trí và F W H M của đỉnh {111}, kích thước trung bình c ủ a hạt
Au được ước lượng vào khoảng 11,3 nm.
b. C âu trúc của các hạt nano A g
Phổ X R D và phổ fit hàm của m ẫu hạt nano A g chế tạo bằng phư ơ ng pháp hóa khử được
trình bày trên hình 4. Do nồng độ Ag trong m ẫu khá nhỏ, trên nền phổ X R D của dung môi và đế
thủy tinh chỉ có thể quan sát và xác định được hai đỉnh nhiễu xạ đặc trư ng với cườ ng độ yếu củ a các
mặt (111) và (200) tro n g m ạng lập phương tâm m ặt (fee) của bạc kim loại (PD F: 00-02-1098). Đ ỉnh
nhiễu xạ {111} ở 37,84° có vị trí khớp với phổ chuẩn nên có thể giả thiết các hạt A g trong m ẫu có
cấu trúc tinh the fee củ a bạc kim loại (H ình 4).


2

e

H ình 4. K et quà p h â n tích p h ô X R D của m ẫu hạt A g k h ử bang SC D
K et quả phân tích định lượng phổ X R D của m ẫu hạt A g khử bằng SC D chỉ ra hai đỉnh n h iễu
xạ tư ơ ng ứng với các m ặt (111) và (200) được m ô tả bằng hai hàm G aussian. Sử dụng công thức
D ebye-S cherrer cùng với kết quả fit, kích thước trung bình của hạt A g được ước lượng vào k h o ả n g
D = 5,5 nm. D o nồng độ của hạt A g trong m ẫu là rất thấp nên tỷ số tín hiệu trên tạp là rất nhỏ cho
nên các đ ỉn h nhiễu x ạ { 1 1 1 } v à {200} rất y ế u . V ị trí c ủ a các đ ỉn h n h iễ u x ạ v à h ằ n g số m ạng a =
4,122Â được xác định từ các đỉnh {111} và {200}.
c. C ấu trúc củ a thanh nano Au
Phổ nhiễu xạ tia X của m ột trong số các m ẫu thanh A u chế tạo bàng phương pháp seedm ediated được thể hiện trên H ình 5 Phổ X R D có hai đỉnh nhiễu xạ tư ơ ng ứng với các vạch nhiễu xạ


đặc trư n g c ủ a c á c m ặ t { 1 1 1 } ở 3 8 , 1 7 ° v à { 2 0 0 } ở 4 4 ,3 8 ° tro n g m ạ n g lậ p p h ư ơ n g tâm m ặt ( fe e ) c ủ a
v à n g k im lo ạ i ( P D F : 0 4 - 0 7 8 4 ) . H ằ n g số m ạ n g

a

đ ư ợ c x á c đ ịn h từ đ ỉn h { 1 1 1 } v à { 2 0 0 } c ủ a m ẫ u lầ n

lượt là k h o ả n g 4 ,0 8 5 Ả v à 4 ,0 7 5 Ả ( B ả n g 5 . 1 ) .

T r o n g trư ờ n g hợp c ủ a m ẫ u th an h A u , trái n g ư ợ c v ớ i m ẫ u h ạt A u , đ ỉn h { 2 0 0 } trở thàn h đ ín h
n h iễu x ạ c h ín h v à c ó c ư ờ n g độ lớ n hơn đ ỉn h { 1 1 1 } (H ìn h 5 .3 ) . T ỷ s ố ^ 2 0 0 ^ 1 1 1 = 2 ’ 2 9 y à lớn hơn
rất n h iề u lần g iá trị c h u ẩ n 0 ,5 2 . K e t q u ả n à y c h o p h é p c h ú n g tô i đ ư a ra g iả th iết là c á c tin h thể A u
đ ã ph át triể n b ất đ ố i x ứ n g d ọ c th eo p h ư ơ n g ( 1 0 0 ) d ẫ n tớ i sự h ìn h th à n h v à p h át triển c ủ a hạt A u
d ạ n g th an h .
d. C ấ u trú c c ủ a m ẫ u A u / A g c o re /s h e ll

P h ố n h iễ u x ạ tia X c ủ a m ộ t tro n g số c á c m ẫ u h ạt A u - c o r e / A g - s h e ll c h ế tạo b à n g p h ư ơ n g
p h áp tạ o m ầ m đ ư ợ c th ể h iệ n trên H ìn h 6. P h o X R D c ó h ai đ in h n h iễ u x ạ tư ơ n g ứ n g vớ i c á c v ạ c h
n h iễu x ạ đ ặ c trư n g c ủ a c á c m ặ t { 1 1 1 } ở 3 8 , 1 5 ° v à { 2 0 0 } ở 4 4 ,3 4 ° tr o n g m ạ n g lập p h ư ơ n g tâm m ặt
( fe e ) c ủ a A u k im lo ạ i ( P D F : 0 4 - 0 7 8 4 ) h o ặ c A g k im lo ạ i ( P D F : 0 0 - 0 2 - 1 0 9 8 ) .

Hình 6. Phô XRD của mâu hạt nano Au-core/Ag-shell
H ằ n g số m ạ n g

a

đ ư ợ c x á c đ ịn h từ đ ỉn h { 1 1 1 } v à { 2 0 0 } c ủ a m ẫ u là k h o ả n g 4 ,0 8 2 Ả . D o A u

v à A g c ó d ạ n g c ấ u trú c tin h thể tư ơ n g tự n h a u v à v ị trí c á c đ ỉn h n h iễ u x ạ đ ặ c trư n g c ủ a h a i n g u y ê n
tố n à y s a i k h á c n h a u rấ t ít, n ên p h ổ n h iễ u x ạ tia

X

k h ó c ó th ể p h â n b iệ t đ ư ợ c h a i n g u y ê n tố n à y . Đ e

th ấy đ ư ợ c sự x u ấ t h iệ n c ủ a A g k im lo ạ i tro n g m ẫ u ta c ó th ể p h â n tíc h p h ổ tán s ắ c n ă n g lư ợ n g h a y
ảnh T E M c ủ a m ẫ u .
e. C ấ u trú c c ủ a m ẫ u A u / C u ? 0
H ìn h 7 là g iả n đ ồ n h iễ u x ạ tia X c ủ a m ộ t m ẫ u lõ i v ỏ A U / C 1 1 2 O đ ư ợ c c h ế tạ o từ hạt n an o A u .
T rê n g iả n đồ n h iễ u x ạ c ó sự x u ấ t h iệ n c ủ a h a i p h a tin h th ế c ó c ấ u trú c lậ p p h ư ơ n g tâm m ặt c ủ a
C

112 O

v à v à n g . C á c đ ỉn h n h iễ u x ạ n à y tư ơ n g ứ n g v ớ i m ặ t p h a n g m ạ n g ( 1 1 1 ) , ( 2 0 0 ) v à ( 2 2 0 ) c ủ a v ậ t


liệ u C ib O v à m ặ t ( 1 1 1 ) c ủ a v ậ t liệ u v à n g đ ã đ ư ợ c ch ỉ ra trên H ìn h 2 . C ư ờ n g đ ộ đ ỉn h n h iễ u x ạ c ủ a
6


tinh thể nano vàng y ếu hơn nhiều so với tinh thể C 112O là do các hạt nano vàn g được bao quanh bới

lớp vỏ C 1 1 2 O và hàm lượng của tinh thể nano vàng nhỏ hơn tinh thể C 1 1 2 O.

H ĩnh 7: P hô nhiễu A u /C u 2 O xạ tici X c ủ a m ẫu
4.3. Xác định hình dạng và kích thướ c của cấu trúc nano kim loại
a. Hình thái học của các hạt nano A u

H ình dạng và kích thướ c của các hạt nano A u đã được khảo sát thông qua ảnh TEM . Do được bao
bọc và bảo vệ bởi lớp ion âm citrate nên các hạt vàng phân tán tốt và không có hiện tượng kết đám.
Phân bố kích thước v à hình dạng củ a các hạt A u đã được khảo sát định lượ ng từ các ảnh TEM sử
dụng phần m ềm chuyên dụng. Phân bố kích thước trung bình của các hạt nano Au được tính trên số
lượng hạt lớn (hơn 100 hạt) bằng cách fit phân bố kích thướ c hạt sử dụng phân bo G auss. Có thế
quan sát thấy từ ảnh T E M , phần lớn các hạt A u có hình dạng tựa hình cầu. H ình dạng của các hạt
Au đã được đánh giá thông qua độ tròn (circularity) c' = 4 x A /P 2 với A v ầ P lần

lượt

là diện tích và

chu vi của hạt xác định từ phép phân tích định lượng ảnh T E M của m ẫu. T rên 80 % số hạl có độ
tròn

c lớ n

hơn 0 ,8 6 n h ư n g k h ô n g có hạt n ào trò n tu y ệ t đ ố i ( C = 1 ) .


30? 25-

Hinh 4 13.C
A verage circularity = 0 .87 ± 0.04

C 20-

0D
O
"
<
D
I—
Ì

10-

CO
(D C
3

rv

X1IIK lỉr ĩĩ

0.'6

0.7


0:8
C ircu la rity

H ình 8. A nh T E M (à), p h â n bố kích thước (b) và độ tròn (c) của m ẫu hạt A u chế tạo bằng
p h ư ơ n g p h á p hóa kh ử với tác nhân kh ử là SCD.
Ả nh T E M gốc củ a m ẫu hạt nano A u khử bàng N aB H 4 được trình bầy trên Hình 9a. Các hạt
nano A u có kích thướ c rất nhỏ và vì giới hạn độ phân giải của kính hiển vi điện tử truyền TEM nên

7


chât lượng ảnh không tôt. V iệc xác định hình dạng và kích thướ c củ a hạt là khó khăn. A nh TEM
của m ẫu sau khi xử lý thông qua phần m en Im ageJ dược trình bầy trên H ình 9.b. Kích thướ c trung
bình của các hạt có trong m ẫu tà 4,4 nm.
20
20!n m
'ỆỊ '

0 ’ ■' Vr’

;

' •

*•

4ị»y.

• ••


•ĩv

it.-

•Ỉiỉ

A u - 3 .0 1 0
P r i n t M ag:

1 0 4 0 0 0 X @ 5 1 mm

H ĩnh 9.0. A n h T E M của m âu hạt nano Alt kh ử
bảng NaBHU

H ình 9.b. A n h T E M của m ẫu h ạt nano A u khử
b ằng NaBHU đã qua x ử lí

H R elative fre que ncy
G au ssian fit

n m

d = 4.43 ± 0.03 nm

10

15

A s p e c t ratio AR


AR = 1.28 ±0.25

20

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

3.2

A spect ratio

P a rtic le s iz e Cnmi

H ình 9. c. Phân bố kích thư ớ c của m ẫu

H ình 9.CÍ. Hệ so tỷ lệ A R củợ m ẫu

b. hình thái học của các hạt nano A g
Ả nh T E M và các kết quả phân tích ảnh TEM của m ột trong số m ẫu hạt A g chế tạo bằng
p h ư ơ n g pháp hóa k hử được trình bầy trên H ình 13. K ích thước trung bình của hạt A g trong ảnh
T E M ở hình lO.a. củ a m ẫu đư ợ c ước lượng là 47.4 ± 2.3 nm bằng cách fit p h ân bố kích thước hạt sử

dụn g phân bố G auss (H ình lO.b). K ích thướ c của các hạt A g trong m ẫu p h ân bổ không tập trung và
h ìn h dạng của các hạt cũng không hoàn toàn đồng nhất. B ên cạnh m ột số lớn hạt có hình dạng gần
cầu, m ẫu ch ứ a khá n h iều các hạt A g có hình dạng đoi xứng thấp hơn (khối hộp, đĩa tam giác, thanh
trụ ...) với kích thước khá lớn. Q uy trình chế tạo hạt A g còn cần phải được nghiên cứu và hoàn
th iện để khống chế tốt hơn hìn h dạng và kích thướ c của các hạt Ag.

H nh 3 . lO.b

I

Relative Frequency

— G auss ia n fit

size = 47 .4 ± 2 .3 nm

0

20

40

60

80

100

12 0


Particle size (nm)

H ình 10. A n h T E M (10. a), p h â n bố kích thước (lO.b) của m ẫu hạt Ag.

140


Ả nh T E M của m ẫu hạt nano Ag chế tạo bàng phươ ng pháp hóa khử sử dụng NaBHa trên
H ình 1 1. T r ê n M ình ] l .b

là p h ân b ố k íc h th ư ớ c tru n g b ìn h c ủ a h ạt A g x á c đ ịn h từ ản h T E M trên

Hình 14.a. K ích thước trung bình của hạt A g được ước lượng là 6,49 ± 0,19 nm. Phân bố độ tròn
củ a hạt A g x á c đ ịn h từ á n h T E M

c

đ ư ợ c thể h iệ n trên H ìn h 14 .C . Đ ộ trò n tru n g b ìn h th ố n g k ê là

0 , 6 7 ± 0 , 0 1 . H ạ t n an o A g c h ế tạo b ằ n g p h ư ơ n g p h á p h ó a k h ử sử d ụ n g N a B H 4 c ó k íc h th ư ớ c n h ỏ hơn
đ á n g k é s o v ớ i h ạt A g c h ế tạ o sử d ụ n g s o d iu m c itra te . T u y n h iê n c á c h ạt n a n o A g có k íc h th ư ớ c v à
h ình d ạ n g k h ô n g đ ồ n g n h ất.
Si Frequency Counts of Major

j

-- G auss of Relative Frequency !

Average size = 6.49 ± 0.19 nm


* . 6 ị*
*4 ,

ăl
•■V
9,

*#
%*

%

p iỉ*

__
5

20

Particle size (nm)

25

30

Circularity



c


Hình l l.a . A n h T E M của H ình l l .b . P hân bô kích thước H ĩnh ỉ ỉ . c . P hân bố độ tròn
của
mâu nano A g chế tạo s ử hạt cùa m ẫu nano A g ch ế tạo s ử m ẫu hạt nano A g chế tạo sử dụng
dụng N a B H j
d ụ n g N a B Ilj
NaBH j
c. K et q u ả chụp và phân tích ảnh T E M của các m ẫu core-shell A u-A g
Ả n h T E M của m ột số m ẫu hạt nano A u-core/A g-shell (A u_4, A u_5) có kích thước khác
nhau lần lượt được thể hiện trên H ình 12.a và 12.b. Có thể quan sát thấy từ ảnh TEM , các hạt có
hình dạng tựa cầu và kích thướ c tươ ng đối đồng nhất. Do A u và A g có khác biệt đủ lớn về nguyên
tử so z (7 9 và 47), độ tư ơ n g phản sáng-tối giữa các phần của hạt trên ảnh T E M có thể sử dụng để
làm cở sở căn cứ. Đối với m ẫu A u_4, kích thước trung bình của lõi A u khoảng 43,9 nm , kích thirớc
trung bình của vỏ A g khoảng 4,2 nm , tỷ lệ thể tích của A g/A u k hoảng 0,3. M ầu Au 5, kích thước
trung bình cùa lõi A u khoảng 39,6 nm , kích thước trung bình của vỏ A g khoảng 3,6 nm , tỷ lệ thể
tích của A g /A u khoảng 0,3.
...

%
AU-VOOft
P r i m M ag:

1 6 7 0 0 0 * VỊ *j 1 mm

10°

“W

H ình 12.a. A nh T E M của m au hat A u 4
d.


u v a c - ú x (f M sr*
1 i . j e ••»!) a ill/- 1 x / v . i

..............
*<■« f‘"
HV” #«.S kV

H ình 12.b. A n h T E M của m áu hạt A u_5

Ket q u ả chụp và phân tích ảnh T E M của các m ẫu thanh nano A u

Ả n h T E M đại diện của m ột số m ẫu thanh vàng được thể hiện lần lượt trên hình 13.a và hình
13.b. N h ờ tác dụng bảo vệ của lớp C T A B bao bọc bên ngoài, các th an h A u phân tán tương đối tốt
và các m ẫu thanh A u đều trong suốt và không có hiện tượ ng kết tủa. C ác m ẫu chủ yếu gồm các
thanh A u, tuy nhiên sản phấm p hụ ở dạng hạt A u hình cầu và khối hộp với kích thước lớn vẫn tồn
tại trong m ẫu. v ấ n đề ly tâm lọc tách m ẫu sau phản ứng đóng vai trò rât quan trọng trong việc nâng
cao chất lượ ng của m ẫu.

9


H ình 13.a. A n h T E M của m ẫu C R 687

H ình 13. b. A n h T E M của m ẫu C R768

Đối với thanh nano, th ô n g số quan trọng nhất về hình dạng và kích thướ c là hệ số A R (A spect
R atio). Hệ sô A R được đ ịn h nghĩa là tỷ lệ giữa đườ ng kính và chiều dài củ a thanh. Hệ số A R trung
bình của các m ẫu được xác định từ ảnh T E M có giá trị từ 2.3 đến 3.8 tư ơ ng ứng với các m ẫu
C R 568 đến C R 768

e. H ình thái học của các cấu trúc A u /C u 2 0 core/shell
H ình 14 là ảnh T E M c ủ a m ột số m ẫu lõi vỏ A u /C u 2 Ơ được chế tạo bằng phươ ng pháp hóa. Khi
hàm lượng dun g dịch vàng tăn g từ 0.5 m l đến 1.1 ml thì chiều dày lớp vỏ giảm từ 60 nm xuống 35
nm .

V olum e of Au (ml)

H ình 14. A n h T E M của m ộ t sô m âu lõi vỏ A u/C uj O và đo thị biêu diễn s ự p h ụ thuộc của độ dày vỏ
C u 2 0 vào thể tích dun g dịch A u s ử d ụng
Các kết quả chỉ ra từ ảnh T E M cho thấy các hạt nano vàng có kích thướ c khoảng 15 nm nằm
tại nhân của m ẫu, kết q u ả này là bằng chứ ng khắng định đã chế tạo thành công vật liệu lõi vỏ
A 1 1 /C 1 1 2 O. K ích thước của nhân vàng này hoàn toàn phù hợp với ảnh T E M của các hạt nano vàng đã
đ ư ợ c chỉ ra.
4.4. N ghiên cứ u hiệu ứ ng c ộ n g hư ở ng P lasm on bề m ặt SPR của các hạt và th anh nano kim loại
a. Phổ hấp th ụ của hạt nano vàng
Phổ hấp thụ của các m ẫu hạt vàng chỉ xuất hiện m ột đỉnh hấp thụ SPR duy nhất trong vùng
k h ả kiến cho thấy các hạt A u trong các m ẫu có hình dạng đối xứ ng cầu hoặc tựa cầu có kích thước
nanom et với duy nhất m ộ t m ode dao động lưỡng cực. B án độ rộng F W H M của đỉnh SPR của các
m ẫu này có giá trị k h o ản g dưới 90 nm chứ ng tỏ các hạt A u trong m ẫu có độ đồng nhất cao cả về
hìn h dạng và k ích thướ c. K et quả đo phổ hấp thụ phù hợp với kết quả phân tích ảnh TEM của m ột
số m ẫu.

10


535

[ ▼ B 1 B u o c song la ham cua ty le mol
SCDAU6


▼ SCD_Au5

v

SCD_Au4

525
T SCD_Au3

520-

T

SCD_Au2

▼ SCD_Au1

wavelength (nm)

0 4

0.6

0.8

1.0

M o lar ratio

H ình 15. a. P h ổ hấp thụ đ ã c h u ẩ n h ó a cua m ột s ổ


H ình 75.6. S ự p h ụ th u ộ c của Ả,SPR vào tỷ lệ

m ẫu hạt A u k h ư bong (SCD).

m o l g iữ a A u + và S C D

Sự phụ thuộc của vị trí đ ỉnh S P R (bướ c só n g c ộ n g h ư ở n g X-s p r ) vào tỷ lệ m ol giữa H A uC U
và NaBH4 đượ c thể hiện trên h ìn h 15.b. Khi th ay đổi tỷ lệ m o l g iữ a A u 3+ v à N a B H 4 tăng dần trong
dải từ 0,3 đến 0,6 thì bước sóng c ộ n g h ư ở n g c ũ n g tăng dần tro n g dải từ 510 n m đến 513 nm , tức là
kích thước của hạt có sự tăng d ầ n lên. T ừ phố hấp thụ của các m ẫ u chỉ ra rằng kích thước c ủa hạt
Au khi kh ử bằng NaBH_ị nhỏ h ơ n là kh ử bàng SC D .

W a ve le n g th (nm)

H ình Ỉ5.a. P hô hấp thụ đ ã c h u â n h ó a của m ộ t s ổ
m âu hạt A u k h ù băng (N a B H 4).

H ĩnh 15. b. S ự p h ụ th u ộ c c ủ a
tỷ lệ m o l g iữ a A u s+ và N a B H j

ẢSPR

vào

b. Phổ hấp thụ của hạt nano A g
Phổ hấp thụ của các m ẫ u hạt A g chỉ x u ấ t hiện m ộ t đ ỉn h hấp thụ S P R duy nhất trong v ù n g
khả kiến cho thấy các hạt A g tro n g các m ẫu có hìn h dạng đối x ứ n g cầ u hoặc tựa cầu có kích thước
n a n o m e t với duy nhất một m o d e dao đ ộ n g lư ỡ ng cực. B án độ rộng F W H M c ủ a đinh S P R c ủa các
m ẫu này có giá trị khoảng dư ớ i 100 nm , c h ứ n g tỏ các hạt A g tro n g m ẫ u có độ đồn g nhất cao cá về

hình dạng và kích thước. Ket q u ả đo phổ hấp thụ p hù hợp với kết quả phân tích ảnh T E M đã đượ c
chí ra ở p h ầ n trên.
Sự phụ thuộc của vị trí đ inh S P R (bướ c só n g cộng h ư ở n g X s p r ) vào tỷ lệ m ol giữa A gN C >3 và
sodium citrate được thể hiện trê n (hình 16.b). K hi tỷ lệ m o l g iữ a A g + và S C D ( C ạ o +/ s c d ) tăng dần
trong d ả i từ 0,2 đến 0,3 thì b ư ớ c só n g c ộ n g h ư ở n g Ằ.SPR c ũ n g tă n g dần trong dải từ 415 nm đến 432
nm trong v ùng bước sóng k h ả kiến. T ứ c là kích thướ c c ủa hạt n a n o A g tăng lên.


K in h Ị 6. a. P hổ hấp thụ đã chuẩn hỏa của m ột số m ẫu
hạt A g k h ử băng (SCD).

H ình Ỉ6.b. S ự p h ụ thuộc của
tỷ lệ m ol g iữ a A g + và SC D

w a vele ng th (nm)

ẢSPR

vào

M o la r ratio

H ình 17.a. P h ổ hap thụ đ ã chuẩn hóa của m ột so
H ình 17.b. S ự p h ụ thuộc của ẢSPR
m áu hạt A g kh ư b ă n g ( N a B ỉlẬ
vào tỷ lệ m ol g iữ a A g + và NaBH.ị
Sự phụ thuộc của vị trí đính SPR (bước sóng cộng hưởng X s p r ) vào tỷ lệ mol giữa AgNC >3 và
NaBH.1 được thể hiện trên hình 17.b. Khi tỷ lệ mol giữa A g+ và N aB H j {Ca»+IN aB H 4) tăng dần
troag dải từ 0,5 đến 0,8 thì bước sóng cộng hưởng ^SPR cũng giảm dần trong dải từ 398 nm đến 388
nm trong vùn g bước sóng khả kiên. Tức là kích thước c ủa hạt nano A g giảm dần. Tuy nhiên, chúng

ta có thể thấy đối với trường hợp những m ẫu Ag khử bằng N a B H 4 cho bước sóng cộng hưởng Ằ.SPR
nhỏ hơn so với trường hợp kh ử bằng SCD với cùng m ột tỷ l ệ mol ( C Ag+/scD = C A o+/NaBH4)- Điều này
đông nghĩa với việc kích thước c ủa hạt A g khi kh ử bằng NaBHU nhỏ hơn là kh ử bàng SCD.
c. Phổ S P R của m ẫu thanh nano A u
Bên cạn h việc xác định hình dạng và tỉ số A R của m ẫu bằng ảnh T E M , chúng tôi cũng đã tiến
hành phép đo phố hấp thu U V -V is để xác định hình dạng của m ẫu thanh nano vàng chế tạo được.

W avelength (nm)

H ĩnh 18: P ho hấp thụ U V-Vis của m âu thanh nano A u

12


Phô hâp thụ (đã chuân hoá) của các m ẫu vàng (hình 18) cho thấy có sir dịch đỉnh rõ rệt của vị
trí đỉnh cộng hư ờ n g (sự thay đồi bước sóng cộng hưởng / I lspiO- M ầu C R 658 có hệ số AR =2.3 nhó
nhàt thì có bước sóng cộng hưở ng dài là nhỏ nhất (658 nm). Khi hệ sô tỷ lệ càng tăng, bước sóng
cộng hưở ng dài cũng tăng theo. Các m ẫu CR 687, C R 6 9 6 .. .C R 768 có hệ số tỷ lệ AR tăng từ 2.4 đến
3.8 thì Ẳ lspr cũng tăng từ 687 nm, 696 n m ,... đến 768 nm.

d. M ô hình hóa hiện t ư ợ n g S P R b ằn g m ộ t số ph n o n g p h á p lý th u y ế t
Có một số phư ơ ng pháp cổ điển dựa trên sự truyền sáng trong các môi trường không đồng nhất có
chiêt suất khác nhau. Sụ hấp thụ xẩy ra theo các lí thuyết này là do trên các biên tiếp xúc giữa hai
môi trường có sự thay đổi đột ngột của hằng số điện môi dẫn đến sự m ất động lượng của photon.
L í thuyết của M ie
Trên hình 19 và 20 thể hiện mô hình so sánh giữa thực nghiệm với lí thuyết cúa Mie.


540-




Theoretical prediction (Mie model)
Experim ental data
'




535-

E
c



530-



••

460-





.


,

,

I



T

1

- J-- ■ -r --------- ----------

Theo re tica l prediction (Mie model)
E xperim ental data

440-



E


420C
H
C
l
Ư)

r<
t
■£•

ũ:

8) 525-

• • • •



«•

400-

520-


5150

10

20
30
40
P a rtic le s iz e (n m )

50


60

Hĩnh 19. S ự p h ụ thuộc của vị trí bước sóng cộng
hưởng vào kích thư ớ c của hạt A u đã được so
sánh với lý th u yết của M ie.

3803

10

20
30
40
P a r tic le s iz e (n m )

50

H ình 20. S ự p h ụ thuộc của vị trí bước sóng cộng
hư ở n g vào kích thư ớ c của hạt A g đã được so
sánh với lý th uyêt của M ie.

kết quả của lí thuyết Mie. T a thấy rằng, giữa kết quả thực nghiệm với lí thuyết của M ie có sự khác
biệt nhau rõ rệt. Đ iều đó được giải thích như sau:
- Lí thuyết M ie coi các hạt nano kim loại Au, A g là có dạng hình cầu, như ng thực nghiệm thì chỉ
chế tạo ra được các hạt nano Au, A g có hình dạng tựa cầu.
- T rong lí thuyết M ie môi trư ờng chứa các hạt nano kim loại là nước nguyên chất. Trong thực
nghiệm môi trường chứa các hạt nano kim loại không hoàn toàn là nước n g uyên chất.

Các mô hình mở' rộng lí thuyết M ie: Gans, DDA và SI
v ề hiện tượ ng cộng hưở ng Plasm on bề m ặt hiện nay trên thế giới người ta đang sử dụng các

mô hình lí thuyết n h ư mô hình G ans [1], m ô hình D D A (Discrete Dipole Approxim ation) [11], và
phương pháp tích phân bề mặt (Surface Integral - SI) [2], M ở rộng lí thuyết M ie, mô hình Gans giải
thích sự phụ thuộc của bước sóng X.LSPR của cộng hườ ng plasm on dọc (L SPR ) thay đổi theo tỉ lệ
hình dạng (aspect ratio - A R ) đối với các hạt kim loại hình Elíp trong nước.
Số liệu thực nghiệm cho thấy có sự chuyến dịch đỏ, giữa các giá trị đo được và tiên đoán bời
mô hình G ans (hình 25 (a)). Có rất nhiều yếu tố ảnh hưởng đến sự chính xác của mô hình Gans,
nhưng yếu tố đầu tiên và quan trọng nhất là giả thiết của m ô hình này về hình dạng Elíp của các hạt
kim loại và về m ôi trường nước bao quanh.
Sự sai lệch này đã được hiệu chỉnh bởi m ột số m ô hình tính toán khác n h ư D A A và SI, có tính
đến kích thước và hình dạng của hạt, Prescott and M ulvaney [3] đã chỉ ra rằng hệ số tỉ lệ A R không
phái là yếu tố duy nhất ảnh hư ở n g đến X-LSPR- T hêm vào đó hình dáng hình học của hai đầu thanh có
ảnh hưởng rất m ạnh đến Ầlspr- Ket quả lí thuyết cho hai loại hạt khác nhau - loại có cấu trúc trụ đầu
phăng v à loại cấu trúc trụ đầu hình bán cầu - trong dung dịch có hệ số khúc x ạ 1.33 được thể hiện
trên hình 21(a). Ta thấy mô hình loại cấu trúc trụ đầu hình bán cầu cho các số liệu lí thuyết hợp lí
hơn. Ả nh T E M của các hạt thực nghiệm cũng cho thấy hình dạng hạt có cấu trúc trụ hai đầu là bán

13


cầu. Tuy vậy, m ô hình D D A cũng chư a dự đoán được số liệu thực nghiệm , có thể thấy sự thay đối
của Ằ . L S P R theo A R là quá lớn so với số liệu thực nghiệm.
Sử dụng ph ư o n g pháp SI, P echarrom an và cộng sự mới đây đã chỉ ra rằng không phải chỉ có
AR và trạng thái hình học ở hai đầu của Elíp có ảnh hưởng đến A-LSPR m à độ nhám bề m ặt cũng c ó
ảnh hưởng đáng kế [2],

A s p e c t ratio

A sp e ct ratio

H ình 21. So sánh g iữ a số liệu thực nghiệm và lí thuyết: D D A (a); S I với các hình dáng hạt khác

nhan (b); S I với các độ nhám bể m ặt p khác nhau (c).
Hình 21.b chỉ ra rằng giữa số liệu thực nghiệm và lí thuyết của nhóm Pecharrom an trên các
thanh hình trụ p h ang với các hình dạng hai đầu khác nhau, kết quả tốt nhất đạt được khi thông số
xác định độ cong exc nằm trong khoảng (0.4 - 0.6). Có nghĩa là đầu th anh không hoàn toàn phang
cũng không hoàn toàn cầu.
Hình 2 1 . C cho thấy các giá trị tiên đoán của phương pháp SI có tính đến độ nhám bề mặt p =
r/a [12], Các số liệu thực nghiệm được fit với p từ 0.02 đến 0.08 cho thấy sự thay đổi của A-LSPR
cũng chưa hoàn toàn chính xác .
Tất cả các mô hình trên đều chư a xem xét đến khả năng các hạt kim loại bị bao bọc bởi chất hoạt
hóa bề mặt có chiết suất khác, hơ n nữa tương tác điện trường giữa các hạt cũng chưa được xem đến.
e.

Phổ hấp thụ của m ẫu A 1 1 /CU 2 O
Qui trình chế tạo cấu trúc A 1 1 / C 1 1 2 O được trình bay chi tiết trong chuyên đề 5.

Phổ hấp thụ của các m ẫu hạt lõi vỏ A u /C u 20 được thể hiện trên hình 22. Đinh hâp thụ m ạnh
ờ dải bước sóng nhỏ hơn 550 nm là do hấp thụ interbands của e- ở lớp vỏ C 1 1 2 O. Vị trí đỉnh hấp thụ

14


này dịch chuyên xanh từ vị trí 503 nm đên 480 nm khi độ dày lớp vỏ C 1 1 2 O giảm từ khoảng 60 nm
đến 30 nm, các kết quả này phù hợp với các nghiên cứu khác [13, 1 4 1.
Trên phố hấp thụ m ẫu hạt lõi vỏ có thế quan sát thấy 1 đỉnh hấp thụ ở vị trí khoảng 640 nm
có cường độ nhỏ. Đỉnh hấp thụ này được cho là đính hấp thụ SPR của lõi Au. Cường độ tỉ đối của
đinh này tăng lên khi chiều dày của lóp vỏ C 1 1 2 O giảm xuống và vị trí của đỉnh hấp thụ của vỏ C 112 P
dịch chuyến về phía sóng ngan. T rong khi đó phố hấp thụ của lõi hạt A u trong môi trường nước khử
ion chỉ có duy nhất 1 đỉnh hấp thụ tại vị trí 526 nm.

w a vele ng th (nm)


Hình 22. Phố hấp thụ của m ẫu A 1 1 /C 1 1 2 O
Đỉnh SPR của lõi A u của hạt lõi/vỏ AU/C 1 1 2 O dịch chuyến đỏ từ vị trí 526 nm đến 640 nm.
Vị trí cùa đinh hấp thụ S P R cùa hạt nano vàng phụ thuộc vào bản chất c ủ a m ôi trường xung quanh.
Đỉnh hấp thụ S P R của lõi A u dịch đỏ hơn 100 nm có nguyên nhân là do các hạt nano vàng được bao
quanh bởi lớp vỏ C 1 1 2 O có chiết suất cao trong vùng khả kiến (n = 2,7 tại bước sóng 600 nm) và
hằng số điện môi lớn (ỉ, = 7,2). Các kết quả này phù hợp với các nghiên c ứ u trên thế giới [13].
4 .5

. Nghiên cứu m ột số tính chất vật lý và tìm hiểu khả năng ứ ng dụng củ a hạt nano kim loại.

a. Khả năng làm mất m à u MB
Hình 23.a là phổ hấp thụ U V -V is của dung dịch xanh m etylen đư ợ c x ử lý bằng vật liệu
A u /C ib O theo thời gian. T ừ phổ hấp thụ chúng ta có thể thấy cườ ng độ của đỉnh hấp thụ 655 nm
c ủ a MB giảm khi thời gian phan ứng tăng. H ình 23.b là đô thị biêu diễn sự phụ thuộc của độ chuyến
hóa M B khi sử dụng các chất khác nhau là C 1 1 2 O và A 1 1 /CU2 O. c ầ n chú ý là khi không sử dụng xúc
tác C 1 1 2 O, A u /C u 20 thì tốc độ chuyến hóa xanh m etylen do tác dụng c ủ a tia tử ngoại diễn ra rất
chậm , sau thời gian 60 phút chỉ khoảng 6% M B bị phân hủy. Khi sử dụ n g chất xúc tác là CU2 O,
A u /C ib O thì tốc độ chuyển hóa M B diễn ra nhanh hơn, tốc độ chuyển hóa M B khi sử dụng tinh thế
A u /C ib O làm chất xúc tác nhanh gấp 2 lần khi sử dụng tinh thể C 1 1 2 O làm chất xúc tác.

W avelength (nm)

Tim e (minute)

H ình 23: (a) Đ ộ chuyến hóa của p h á n ứ ng m ất m àu M B theo thời gian, (b) S ự p h ụ thuộc cùa độ
chuyến hóa của p h ả n ứng m ất m àu M B vào các chất d ù n g đê x ử lý khác nhau.
C ơ chế giả thiết của quá trình làm mất m àu m etylen xanh có thể được giải thích như sau: Trong
q u á trình quang xúc tác các gốc tự do OH* được tạo thành theo phản ứ ng sau:



C ib O + h V— > C u iO ( e - ) + C u 2 0 ( h + )

O l- r + C u20 ( h + ) — ♦OH- + C u 20
N hư vậy gôc OH* được tạo thành bởi phản ứng giữa m ột lỗ trống (h+) và nhóm OH . Các gốc này
có ánh oxi hoá m ạnh, chúng tương tác và làm m ất m àu MB. T ốc dộ chuyển hóa MB của tinh thể
Au C u20 nhanh hơn tinh the C 1 1 2 O là vì kim loại trong lõi của chất bán dẫn đóng vai trò chất cho
điện tử, thúc đẩy quá trình phân li điện tử - lỗ trống dưới sự kích thích của bức xạ khả kiến, vì vậy
làm tăng hoạt tính xúc tác quang hóa.

5. Đánh giá về các kết quả đã đạt đưọc và kết luận
- Các kết quả được trình bày ở trên có ý nghĩa khoa học, đóng góp vào các nghiên cứu, chế tạo,
khảo sát tính chất và khả năng ứng dụng của các hạt nano kim loại quý trong điều kiện thực tiễn ớ
Việt nam.
- Các kết quả này được công bố trên tạp chí Gold Bull., tạp chí khoa học công nghệ và báo cáo ở
các hội nghị khoa học quốc tế có uy tín (FM S2015 Program Nov. 19 -21, 2015, W aseda University,
Tokyo, Japan và T H E 2N D S O G A N G - V N U -H U S JO IN T S Y M P O S IU M , April 22 - 25, 2013,
Sogang University, Seoul, Korea).
- Với những kết quả có được của Đ e tài, đã có 01 sinh viên chương trình đào tạo chất lượng cao
(2014) và 01 sinh viên hệ của nhân K hoa học tài năng (2015) đã bảo vệ thành công khóa luận tốt
nghiệp. Bên cạnh đó là 01 học viên cao học bảo vệ thành công luận văn cao học (2014) và hỗ trợ
đào tạo 01 NCS.
6. T ó m tắ t k ế t q u ả (tiếng Việt và tiếng Anh)
Tiếng việt:
Hạt nano kim loại A u và Ag, thanh nano vàng và hạt có cấu trúc lõi vỏ A u /A g đã được chế tạo
thành công b ăng phư ơ ng p háp hóa. Q uy trình chế tạo m ẫu on định, m ẫ u có độ lặp lại cao, hình
dạng, kích thước của các hạt, thanh nano kim loại có thể khống chế v à kiểm soát tốt.
-

Hạt lõi/vỏ chuyển tiếp kim loại/bán dẫn A 1 1 /CU2 O đã được chế tạo thành công với quy trình ổn

định và độ lặp lại cao. Kích thước trung bình của hạt và bề dày lớp vỏ có thể khống chế tốt
trông m ột dải khá rộng từ hàng trăm nanom et cho đến hàng chục nanom et.
Cấu trúc tinh thể của các m ẫu đã được khảo sát thông qua phổ nhiễu x ạ tia X. Các m ẫu chế tạo
được không có p h a tinh thể của tạp chất:
o

Ket quả phân tích phổ X R D của các m ẫu hạt và thanh nano A u và hạt nano Ag khẳng định
cấu trúc lập phươ ng tâm m ặt fee với hằng số m ạng tinh thể phù hợp với phổ chuẩn của Au
và Ag (PDF: 04-0784 và PDF: 00-02-1098). Các m ẫu đã chế tạo đều đơn pha. Do mật độ
hạt và thanh nano kim loại trong dung môi thấp, phố X R D của các m ẫu đều có cường độ
yếu.

o

Đối với m ẫ u hạt Au, tỷ lệ cườ ng độ giữa hai đính {200} và {111} là /^QQ / / | J = 0,39 và
nhỏ hơn đáng kể so với giá trị tương ứng 0,52 của phổ chuẩn PD F 04-0784. Trong trường
hợp của m ẫu thanh Au, trái ngược với m ẫu hạt Au, đỉnh {200} trở thành đỉnh nhiễu xạ
ch ín h v à có c ư ờ n g độ lớ n h ơ n đ ỉn h {111}. T ỷ số / 2 QQ / / ị



Ị = 2,29 v à lớn h ơ n rất nh iều lần

giá trị chuẩn 0,52. Ket q u ả này cho phép chúng tôi đưa ra giả thiết là các tinh thể Au đã phát
triển bất đối xứ ng dọc theo phươ ng (100) dẫn tới sự hình thành và phát triển của hạt Au
dạng thanh.
Sử dụng ảnh T E M và phần m e m ImageJ, hình dạng và kích thước của các hạt nano Au, Ag, Aucore/Ag-shell, A 1 1 /CU2 O core/shell và thanh A u đã được khảo sát định lượng.

16



o

Các hạt nano Au chế tạo bằng ph ư ơ n g pháp hóa khử sử dụng sodium citrate có hình dạng
tự a cầu, phân bố kích thước tươ ng đối đồng nhất với kích thước trung bình từ 15 đên 43 nm
tùy thuộc vào tỷ lệ m ole giữa các tiền chất ban đầu.

o

Hạt nano A g chế tạo bằng phư ơ ng pháp hóa khử sử dụng sodium citrate có hình dạng không
đồng nhất và kích thước của các hạt trong cùng m ột m ẫu phân bố trong một dải khá rộng.
Kích thước hạt trung bình của các m ẫu đã chế tạo trong khoảng từ 27 đên 50 nm tùy thuộc
vào tỷ lệ m ole giữa các tiền chất ban đầu.

o

Các hạt nano A u và A g chế tạo sử dụng chất khử m ạnh NaBHLị có kích thước nhỏ hơn đáng
kể so với khi sử dụng sodium citrate.

o

Các m ẫu hạt A u-core/A g-shell cần phải được khảo sát định lượng thông qua ảnh HRTEM .

o

Phương pháp seed-m ediated có thể sử dụng để chế tạo các thanh Au có hệ số AR trung bình
thay đối trong dải khá rộng từ 1,5 đến 4,0 tùy thuộc vào nồng độ C T A B , tỷ lệ mole của A g +
và hạt m ầm Au. Tuy nhiên, các sản phẩm phụ như hạt, cube, đĩa tam giác A u có tỷ lệ không
thê bỏ qua và phải sử dụng m áy ly tâm đê lọc và loại bỏ.


o

Các hạt lõi vỏ A u /C u 2 Ơ có lớp vỏ thay đối từ vài trăm nanom et cho tới vài chục nanomet.
H ình dạng, kích thước của các m ẫu chế tạo được có độ lặp lại cao.
Tính chất quang:

o

Hiện tượng cộng hưở ng Plasm on bề mặt SPR của các hạt Au, Ag, thanh A u và cấu trúc lõi
vỏ A u/C ibO đã được khảo sát thông qua phổ hấp thụ. Vị trí, số lượng đỉnh hấp thụ SPR phụ
thuộc vào hình dạng, kích thước, hàng số điện môi của bán thân hạt kim loại. Các hạt nano
Au, Ag có dạng hình cầu hoặc tự a cầu có duy nhất m ột m ode dao động lưỡng cực ứng với
m ột đỉnh hấp thụ SPR (của Au là khoảng 520 nm , của A g khoảng 410 nrrì). Các thanh nano
A u xuất hiện hai m ode dao động lưỡng cực ngang và dọc ứng với hai đinh cộng hưởng
plasm on. Vị trí đính cộng hưở ng ứng với m ode dao động ngang ở dải sóng ngắn (512 nm)
và hầu như không phụ thuộc vào hình dạng kích thước thanh. Đ ỉnh cộng hưởng ứng với
m ode dao động dọc ở dải sóng dài phụ thuộc m ạnh vàơ hệ số tỷ lệ AR.. C ụ thể, khi hệ số ty
lệ AR tăng, vị trí đỉnh dịch chuyển về phía sóng dài.

o

Phổ hấp thụ của các m ẫu hạt lõi vỏ A u /C u 20 hâp thụ m ạnh ở dải bước sóng nhỏ hơn 550
nm. Vị trí đỉnh hấp thụ này dịch chuyển x anh từ vị trí 503 nm đến 480 n m khi độ dày lớp vỏ
C 1 1 2 O giảm từ khoảng 60 nm đến 30 nm. Trên phổ hấp thụ m ẫu hạt lõi vỏ có thể quan sát
thấy 1 đỉnh hấp thụ S P R ở vị trí khoảng 640 nm có cườ ng độ nhỏ của lõi Au. Cường độ tỉ
đối của đinh này tăng lên khi chiều dày của lóp vỏ C 1 1 2 O giảm xuống và vị trí của đinh hấp
thụ của vỏ C 1 1 2 O dịch chuyển về phía sóng ngắn.

o


Hiện tượng cộng hưởng S P R của các thanh nano kim loại (Au) thông qua các mô hình cố
điển như m ô hình lí thuyết M ie, D D A và SI dựa trên sự truyền sóng trong các môi trường
không đồng nhất. Ket quả cho thấy các m ô hình lí thuyết này đều chư a phù họp với thực
nghiệm.

- K hả nàng xúc tác quang của m ẫu A 1 1 /CU 2 O
o

C ư ờ ng độ của đỉnh hấp thụ 655 nm của M B và 588 nm của R B 19 giảm khi thời gian phản
ứng tăng, khi không sử dụng xúc tác C u 20 , A u/C u20 thì tốc độ chuyển hóa xanh metylen
và R B 1 9 do tác dụng của tia tử ngoại diễn ra rất chậm. Khi sử dụng chất xúc tác là C 1 1 2 O,
A 1 1 /CU 2 O thì tốc độ chuyển hóa M B và RB 19 diễn ra nhanh hơn, tốc độ chuyển hóa M B khi
s ử dụng tinh thể A 11 /CU 2 O làm chất xúc tác nhanh gấp 2 lần khi sử dụng tinh thể C 1 1 2 O làm
chất xúc tác. Tốc độ chuyển hóa R B 19 khi sử dụng CU2 O và A 1 1 /CU2 O lần lượt khoảng 45%
và hơn 80%.

°

_______________ ____________ ____
ĐAI HỌC QUỐC GIA HÀ NỘI_
TRUNG TẦM THÔNG TIN THƯ VIỆN

____ m o b m o ò K ____ I

17


Tiêng anh:

Tài liệu tham khảo:

[1]
[2]

M. Daniel and D. Astruc, Chem. Rev. 104 (2004) 293.
J. Perez-Juste, I. Pastoriza-Santos, L. M. Liz-M arzan, and p. M ulvaney, Coord.
Chem.
Rev. 249 (2005) 1870.
[3] R. Gans, A nn. Phys. 37 (1912) 881.
[4] S. w . Prescott and p. M ulvaney, J. App. Phys. 99 (2006) 123504.
[5] c . Pecharom an, J. Perez-Juste, G. M ata-O soro, L. M. Liz-M arzan, and p. Mulvaney,
Phys. Rev. B 77 (2008) 035418.
[6] J. Turkevitch, p. c . Stevenson, and J. Hillier, Discuss. Faraday Soc. 11 (1951) 55.
[7] A. Tao, S. Habas, and p. Yang, Small 4 (2008) 310.
[8] N. R. Jana, L. Gearheart, and c . J. M urphy, J. Phys. Chem . 105 B (2001) 4065.
[9]
B. N ikoobakht and M. A. El-Sayed, Chem . Mater. 15 (2003) 1957
[10] N. A. Bang, p. T. T hom , and N. T. Thanh, J. Sci. 24 (2008) 35.
[11] K e-Y an Lian, Paw eỉ Saỉek, M ingxing Jin and Dajun Ding, D en sity-functional studies o f
p la sm o n s in sm a ll m etal c lu ste rs, The Journal O f C hem ical Physics 130, 174701 (2009)
[12] W eihai Ni, X iaoshan Kou, Zhi Yang, and Jianfang W ang , T ailoring L ongitudinal
Surface P losm on W avelengths, Scattering a n d A b so rp tio n C ross S ectio n s o f G o ld N anorods,
A C S N ano 2(4) 6 7 7 - 6 8 6 (2008)
[13] W ang, w . c . ; Lyu, L. M.; Huang, M. H, “In vestig a tio n o f the E ffects o f P olyhedral
G o ld N a n o crysta l M o rp h o lo g y a n d F acets On the F orm ation o f A u -C u iO Cor e -S h e ll
H etero stru ctu res” , C hem . Mater. 2011, 23, 2677-2684.
[14] K u ng-H sun Yang, Shih-C hen Hsu, and M ichael H .H uang, “F acet-D ependent O ptical
a n d P h o to th erm a l P ro p erties o f A u @ A g -C u :0 C ore-shell N a n o c ry sta ls” , Chem . Mater. 2016,
28, 5140-5146.

18



PHÀN III. SẢ N P H Ẳ M , C Ô N G BÓ V À K ÉT Q U Ả Đ À O T Ạ O C Ủ A Đ È TÀI

3.1. Kct quả nghicn cứu
Ycu cầu khoa học hoặc/và chỉ tiêu kinh tế - kỹ thuật
TT

Tên sản phâm
Đăng ký

Đạt đưọc

1
2


3.2. H ình th ứ c , c ấ p đ ộ cô n g bố kết q u ả
G h i đ ịa chi
v à c ả m ơn
s ự tài t r ợ
Sán phâm
TT
của
ĐHQGHN
đúng quy
đ ịn h
1
C ông trình công bô trên tạp chí khoa học quôc tê theo hệ thông IS /Scopus


1.1 Ngac An Bang, P hung Thi Thom , Đã in (2013)
Hoang N a m N hat, “A comparative
study o f classical a p p r o a c h e s to
surface plasm on resonance of
colloidal gold n a norods” , Gold
Bull. 46 (2013), 91-96.
T ình trạ n g
(Đ ã in / chấp nhận in / đ ã nộp
đ ơ n / đ ã được chấp nhận đơn
hợp lệ / đã được cấp g iấ y xá c
nhận S H T T / xá c nhận s ử
dụ n g sản p h ấ m )

1.2 Sai Cong Doanh, N gan A n Bang, gửi đăng tạp chí M aterials

“ Synthesis and C haracterization of Letters.
A u-C u20
Core-Shell
N anoparticles” .
/
> 7
2
Sách chuyên khảo được xuât bản hoặc ký hợp đông xuât bản
2.1
2.2
->

Đ ăng ký sở hĩru trí tuệ
3.1
3.1

4
Bài báo quôc tê không thuộc hệ thông ISI/Scopus
4.1
4.2
5
Bài báo trên các tạp chí k hoa học của Đ H Q G H N , tạp chí k hoa học chuyên ngành
quốc gia hoặc báo cáo khoa học đăng trong kỷ yếu hội nghị quốc tế
Châp nhận đăng
5.1 Sái Công Doanh, N gạc An Bang,

“ Chế tạo và nghiên cứ u tính chất
của vật liệu A u /C ib O ”, Tạp chí
Khoa học và C ông nghệ, Viện Hàn
lâm K hoa học và C ông nghệ Việt

Đ á n h giá
chung
(Đ ạt
kh ô n g đạt)

Đạt

Đ ạt

..........

19


nam.

5.2 Sai C ong Doanh, N g u y e n Thi
Phuong and N gacA n Bang,
“ Synthesis and Investigation o f MC ibO H eterostructures” , FM S2015
Program N ov. 19 -21, 2015,
W aseda U niversity, T okyo, Japan
5.3 Ngạc A n Bang, P h u n g Thi Thom ,
Hoang N a m Nhat, “ Surface
Plasm on R esonance o f Colloidal
Gold N a n orods” , HYU - VNU



Đạt



Đạt

HUS Joint Workshop on Natural
Science 24 - 27 August 2014,
Hanyang U niversity, Seoul, K orea
6
Báo cáo khoa học kiên nghị, tư vân chính sách theo đặt hàng của Cơn vị sử dụng
6.1
6.2
7
Kêt quả dự kiên được ứng dụng tại các cơ quan hoạch định chính sách hoặc cơ sở
ứng dụng KI I& C N
7.1
7.2


3.3. Ket quá đào tạo
TT

Họ và tên

Ngh iên cứu sinh
1
Sái C ông
Doanh
Học viên cao học
1 V ũ Thị N h ớ

T hòi gian và kinh phí
tham gia đề tài
(số thúng/so tiền)

Công trình công bô liên quan
(Sản p h â m KH CN , luận án, luận

Đã bảo vệ

văn)

5 th á n g /15 triệu

Bài báo

Chưa bảo vệ


4 th á n g /12 triệu

Luận văn tốt nghiệp: “N g h i ê n c ứ u

Đã bảo vệ

tổ n g h ợ p m ộ t số d ạ n g C u 20 ,
C u 20 / A u n a n o và k h ả n ă n g ứ n g
dụng của chúng”

20


PHẨN IV. T Ỏ N G H Ợ P K É T Q U Ả C Á C SẢ N P H Ả M K H & C N V À Đ À O T Ạ O C Ủ A Đ È TÀI
TT

Sản phâm

1

Bài báo công bô trên tạp chí khoa học quôc tê theo hệ thông
ISI/Scopus

2

Sách chuyên khảo được xuất bản hoặc ký hợp đồng xuất
bản
Đ ăng ký sở hữu trí tuệ
Bài báo quôc tê không thuộc hệ thông ISI/Scopus
Sô lượng bài báo trên các tạp chí khoa học của Đ H Q G H N ,

tạp chí khoa học chuyên ngành quốc gia hoặc báo cáo khoa
học đăng trong kỷ yếu hội nghị quốc tế
Báo cáo khoa học kiên nghị, tư vân chính sách theo đặt
hàng của đơn vị sử dụng
Kêt quả cỉự kiên được ứ ng dụng tại các cơ quan hoạch định
chính sách hoặc cơ sở ứng dụng K H & C N
Đào tao/hô trơ đào tao N C S
Đào tạo thạc sĩ
Đào tạo Đai học

Jn
4
5

6
7
8
9
10

Sô lư ợ n g
đ ă n g ký
1

0

s ố lư ợ n g đã
h o à n th à n h

(xuất bản trước

khi ký HĐ)
01 gửi đăng tạp
chí Materials
Letters
0

0
0
1

0
0
3

0

0

0

0

0
1
1

1
1
2


21


MIAN V. TÌNH HÌNH s ử DỤNG KINH PHÍ
TT
A
1
2
4
5
6
7
8
B
1
2

Nội d u n g chi
C hi p h í trực tiêp
T huê k h o án chuyên m ôn
N gu y ê n , nhiên vật liệu, cây con.
Thiêt bị, dụng cụ
C ông tá c phí
Dịch vụ thuê ngoài
Hội nghị, Hội thảo, kiêm tra tiên độ, nghiệm
thu
In ân, Văn ph ò n g phâm
Chi phí khác
C hi p h ỉ giá n tiêp
Q uản iý phí

Chi phí điện, nước

Tông sô

K in h p h í
được duyệt
(triệu đông)

K in h p h í
th ư c hiên
(triệu đông)

96.0

96.0

62.0

62.0

6.0

6.0

1.6

1.6

7.2
7.2

180

7.2
7.2
180

G hi chú

PHẦN V. KIÉN NGHỊ
PHẦN VI. PHỤ LỤC

H à Nội, ngày ..20... tháng...íiL năm
Đơn vị chủ trì đề tài
(Thù trư ờ n g đơ n vị ký tên, đó n g dấu)

Chủ nhiệm đề tài

• H Ó HIỆU T q ư Ở N Ờ

/
TS.

GS.TS.

N ị

^
ạc An Bang



PHỤ LỤC HỢP ĐÒNG






1. P h ư ơ n g p h á p c hế t ạ o h ạ t n a n o kim loại có k ích t h ư ớ c d ư ớ i 100 n m
-

H ư ớ n g d â n c h ế tạ o h ạ t n a n o k im loại hìn h c ầ u có k íc h t h ư ớ c d ư ớ i 100 nm.

-

H ư ớ n g d ẫ n c h ế tạ o th a n h A u n a n o có tỷ so A R d ư ớ i 4.0.

-

H ư ớ n g dẫn c hế tạ o h ạ t n a n o k im loại lõi/vỏ A g / A u có k íc h th ư ớ c d ư ớ i 100 nm .

-

P h ư ơ n g p h á p b ả o q u ả n các c ấu trú c n a n o k im loại q uý

2. B áo c áo kết q u ả k h ả o sát c ấu trú c tin h thể
3. Báo c áo kết q u ả x á c đ ịn h h ìn h d ạ n g và k ích th ư ớ c c ủ a các h ạ t n a n o k im loại
4. B áo c áo kết q u ả v ề h iệ n tư ợ n g c ộ n g h ư ở n g p la s m o n b ề m ặ t c ủ a hạt v à th an h n a n o
kim loại
5. Báo c á o tín h c h ấ t v ậ t lý và tìm h iêu k h ả n ă n g ứ n g d ụ n g
6. M in h c h ứ n g k ế t q u ả c ô n g bố

7. M in h c h ứ n g k ế t q u ả đ à o tạo
8. T h u y ế t m in h đề tài, q u y ế t địn h g ia h ạ n đề tài


×