PHẦN I
LÝ THUYẾT

Trang 1


Chương 1: MẠCH LỌC TÍCH CỰC
1.1

Hàm truyền có đáp ứng phẳng tối đa:

Còn gọi là hàm Butterworth. Khi bậc của bộ lọc tăng lên, tần số cắt
không thay đổi, nhưng độ dốc của bộ lọc tăng dần đến lý tưởng. Khi
thiết kế các bộ lọc bậc cao: 3, 4, 5 ta dựa vào bảng các hàm Butterworth
đã chuẩn hóa.
1.2

Mạch lọc tích cực bậc nhất

a- Mạch lọc thông thấp bậc nhất: LTT1
R1

+
-

C1
R3

V2

R2

Bộ khuếch đại
khong đảo

Hàm truyền:

(1)

H
AV0

C

0

(2)
(3)

C1
R2
R1

+
-

Bộ khuếch đại đảo

Hàm truyền:

(1)


(2)
(3)
b- Mạch lọc thông cao bậc nhấtR2
C1

Trang 2
+
-

R1

V2


Hàm truyền:

(1)
H
AV0

(2)

0

(3)
1.3

Mạch lọc tích cực bậc hai
C1


a- Mạch LTT2
R
+
-

V1

C2

R

R

R

C2

V2

Mạch hồi tiếp âm một vòng

AV0 = 1

(1)

(2)
(3)
(4)


V1

(1)

C2

R2

C1

R3

+
-

R1

V2

Mạch hồi tiếp âm 2 vòng

(2)
Nếu chọn:

(3)
Trang 3


(4)
(5)

(6)
C2
R1

R2

C1

+

V1

R3

V2

R4

Trường hợp 1: AV0Mạch
= 1 LTT2
(R3 dùng
= 0).hồi tiếp dương
Nếu chọn

(1)

Thì

(2)


(3)
Trường hợp 2: R1 = R2 = R; C1 = C2 = C;  AV0  1.
(1)
(2)


(3)

b- Mạch LTC2
R2
V1

C1

C2

R1

+
-

R3
R4

Trường hợp 1: AV0 =Bộ1LTC
vàdùng
C1 =hồiCtiếp
C.
2 = dương
(1)

(2)
Trang 4

V2


(3)
Trường hợp 2: C1 = C2 = C; R1 = R2 = R;
(1)
(2)


(3)

c- Mạch LTD2:
V1

R1

R3

C1

+
-

C2

R2


V2

Bộ LTD hồi tiếp âm 2 vòng

Xét trường hợp C1 = C2 = C ta có:

(1)
(2)
(3)
(4)
H
Q

min

max

D

(5)
Điều kiện: A0L > 2Q2.

R2
C2
R1

+
-

C1


LTD bậc 2
Trang 5


Hàm truyền:

(1)
H
A
-40dB
0

f3

f1

f2

f

(2)
(3)
(4)

Trang 6


Chương 2: KHUẾCH ĐẠI CÔNG SUẤT CAO TẦN
(KĐCSCT)

2.1

Góc cắt của bộ KĐCSCT:

iC

ib
D

Imax
t Imax

Vb
C
A 0V B
Vmin
Vmax
Vm
Vm

t0
T

Góc cắt tính theo độ:

(1)

Các thành phần dòng điện ra được tính dựa theo hệ số phân giải xung
dòng
điện

Transistor:
Hình 2-1
Dạngra
đặccủa
tuyến
động và giản đồ thời gian của dòng
ở chế độ C
-điệnThành
phần trung bình một chiều:

- Thành phần hài bậc nhất:
- Thành phần hài bậc n:
2.2Các mode hoạt động của bộ KĐCSCT lớp C dùng Transistor
0 = hFE

hfe

0,7070

1
0

Dải tần số làm việc

3f
fT
fthấpTransistor
ftrungbìđược fchia
cao làm
của

0,3f

f

nh

f

3 đoạn:

- f0  f: tần số thấp, các tham số được coi là không thay đổi; hfe = 0;
- 0,3f  f0  3 f: tần số trung bình, các tham số của Transistor thay
đổi và xuất hiện điện trở ký sinh (rbb’), điện dung ký sinh (Cb’e, Cb’c)
(3)
Trang 7


- f0  3 f: tần số cao, các tham số của Transistor thay đổi, xuất hiện
rbb’, Cb’e, Cb’c và các điệm cảm ký sinh Lks.
(4)
Trong giáo trình Điện tử thông tin chủ yếu chúng ta sẽ nghiên cứu
bộ KĐCSCT ở tần số thấp và tần số trung bình và chỉ xét ở chế độ
kém áp. (Transistor như mộ nguồn dòng)
2.3

Bộ KĐCSCT dùng Transistor

1. Bộ KĐCSCT dùng Transistor ở chế độ kém áp mắc Emitter
chung.
Cng

Rn Cng

Lch

Lch
en

+
VBB
-

Rb

LC

RE Cng

CC

Cng

Các bước thiết kế bộ KĐCSCT khi chưa kể đến ảnh hưởng của mạch
ghép đầu vào và đầu ra (Chú ý: các bước thiết kế không nhất thiết
theo trình tự đưa ra)
1- Xác định phạm vi làm việc của Transistor theo (2-2) để vẽ sơ đồ
tương đương tín hiệu nhỏ chó đúng.
I’n

rb’e
CC = (0,5 

R12- V
C*b’ C*M

Cb’e

LC
0,8)VCEmax cho phép
|hfe|i’b

Rtđ1 C’C

3- Chọne góc cắt:  = 600  900
4- Chọn hệ số lợi dụng điện áp: 1 = 0,85  0,95 = VCm1/VCC.
5- Xác định biên độ hài bậc nhất trên Collector: VCm1 = 1VCC.
6- Xác định các dòng điện:
;
;;;
7- ; ;
;
Trang 8


Nếu kể cả rb’e ta có: Z’iEC = rb’e//ZiEC
Nếu rb’e >> ZiEC ta có Z’iEC  ZiEC
Nếu rb’e so sánh được với ZiEC ta có:
8- Biên độ điện áp kích thích vào: Vbm1 = I’n|ZiEC|
9- Công suất vào của nguồn kích thích:
10- Xác định trở kháng nguồn tương đương

Để dòng điện đầu vào không bị méo thì:


11- Thiên áp Base
12- Điện trở tải tương đương:
13- Công suất nguồn cung cấp: PCC = ICOVCC.
14- Công suất hữu ích trên tải
15- Công suất tiêu tán trên Collector: PC = PCC – PL.
16- Hiệu suất của mạch:
Trong thực tế thường công suất ra trên tải được biết trước nên ta có
thể tính các bước 0  4, 13, 11, 5, . . .
2. Bộ KĐCSCT dùng Transistor ở chế độ kém áp mắc Base chung.

;;
Các bước thiết kế tương tự như trên.
16. với

i’e
In

Rn

C*b’
e

Cb’c
|h*f|ie

LC

Rtđ1 C’C Trang 9



Rtđ1 = 0Q0LC  với Q0 = 50  100
Nếu ở đầu vào bộ KĐCSCT có mạch cộng hưởng L b, Cb thì ta cũng
xác định tương tự như trên với:
; Rtđ1 = 0Q0LC;
với C*b’ tính theo bước 6 ở trên.
2.4

Bộ nhân tần dùng Transistor

Cng

Cng
Lch

Lch
Lb

Cb

+
VBB
-

Rb

LC

RE Cng


CC

Cng

Mục đích của bộ nhân tần:
- Nâng cao tần số sóng mang
- Mở rộng thang tần số làm việc
- Nâng cao chỉ số điều chế trong máy phát FM
Lb

Rtđ1

b
- Nâng i’cao
độ ổn định tần số vì không có hiện tượng hồi tiếp ký sinh
rb’e
Rtđ2 CC
C’b qua
C*b’ Cb’c do tần|hsố
hoạtLCđộng
đầu vào và đầu ra khác nhau.
*fe|i’b
e

 Tần số cộng hưởng đầu vào:
với
với ;
 Tần số cộng hưởng đầu ra:
;
 Góc cắt tối ưu của bộ nhân tần dùng Transistor

; k: hệ số nhân tần của bộ nhân
Các bước thiết kế của bộ nhân tần:
1- Xác định phạm vi làm việc của Transistor theo (2-2)
2- VCC = (0,5  0,8)VCEmax cho phép
3- Chọn góc cắt tối ưu:
Trang 10


4- Chọn hệ số lợi dụng điện áp:
k = 1 =0,85  0,95 = VCm1/VCC = VCmk/VCC
VCmk = kVCC
5- Xác định xung dòng hài bậc k
6- Xác định công suất hữu ích trên tải ứng với hài bậc k
PLk 



1
1 k  
I CmkVCmk 
I Cm1VCm1  k PL1  k PL1
2
2 1   
1
1

7- Điện trở cộng hưởng

tương đương của mạch ra ứng với hài bậc k:
8- Hiệu suất của bộ nhân tần:

; với PCC = ICO.VCC
9- Do không có hiện tượng hồi tiếp qua Cb’c nên
iB = Incost – IBO với
10- Trở kháng vào của tầng
; với
Nếu kể cả rb’e ta có Z’iEC = rb’e//ZiEC (tính như trên)
11- Biên độ điện áp kích thích vào: Vbm1 = In|ZiEC|
12- Công suất của nguồn kích thích:
13-

tính như bộ KĐCSCT

14- Tính mạch cộng hưởng vào:
; với
15- Tính mạch cộng hưởng ra
; với

Trang 11


Chương 3: CÁC MẠCH TẠO DAO ĐỘNG
3.1

Các vấn đề chung về mạch tạo dao động

- Bộ tạo dao động ở tần số thấp, trung bình: dùng bộ khuếch đại thuật
toán + RC hoặc dùng Transistor + RC.
- Bộ tạo dao động ở tần số cao: 0,3f   f0  3f dùng Transistor + LC
hoặc dùng Transistor + thạch anh
- Bộ tạo dao động ở tần số siêu cao: dùng Diode Tunel, Diode Gunn.

- Các tham số cơ bản của mạch dao động: tần số dao động, biên độ
điện áp ra, độ ổn định tần số, công suất ra, hiệu suất.
- Trong chương 3 ta chỉ xét mạch dao động LC, dao động thạch anh
và chỉ xét điều kiện dao động của mạch
Bộ khuếch đại A

V1

V2

Bộ hồi tiếp

- Hệ số khuếch đại của bộ khuếch đại
+ Modul hệ số khuếch đại:
+ A góc di pha của bộ khuếch đại.
- Hệ số truyền đạt của bộ hồi tiếp
+ Modul hệ số hồi tiếp:
+ B góc di pha của bộ hồi tiếp
- Điều kiện pha để mạch dao động:  = B + B = 0,2
- Điểu kiện biên bộ để mạch dao động:
3.2

Bộ dao động LC dùng Transistor

a- Mạch tạo dao động 3 điểm C kiểu Colpits mắc EC
Lch

+VCC
Cng


R2

C
E

R1

Cb’e

RE

Cng
Trang 12

C1
L
C2
B

Vk


C
C1
E

C2

L


Vk

Cb’e
B

Rb = R1//R2; R’b = Rb//rb’e  rb’e (nếu Rb >> rb’e)
Các bước thiết bộ tạo dao động 3 điểm C:
1- Xác định phạm vi tần số làm việc của mạch
2- Xác định điều kiện pha
;;
X3 = XCB = L > 0
3- Xác định hệ số hồi tiếp
(1)
- Ta thường biết f0, L từ đó suy ra:
(2)
- n có thể tình theo công thức (3-45) nhưng nhiều khi không đủ dữ
liệu để tính
- Nếu mạch làm việc ở tần số thấp ta có thể chọn
n = 0,01  0,05, từ đó tính C1, C2.
- Nếu mạch làm việc ở tần số trung bình, để mạch hoạt động ổ định
ta chọn: C’2 = 10Cb’e  C2 = 11Cb’e rồi từ (2) tính C1, thay vào (1)
tính n
4- Hệ số khuếch đại của sơ đồ mắc EC
(3)
- Ở tần số thấp: h21e = hfe, h11e = hie = rb’e
- Ở tần số trung bình: ;
- Rk = 0LQ0 thường biết trước 0, L, Q0

(4)


- p: hệ số ghép đầu ra của Transistor với khung cộng hưởng
(5)
5- Điều kiện biên độ để mạch dao động:
Trang 13

(6)


b- Mạch tạo dao động 3 điểm C kiểu Colpits mắc BC

C1

R2

Vk

C1

R1

Cng

Cb’e

C2

RE

L


C2

Cb’e

+VCC

L
Vk

Giả thiết RE >> hib
- Bước 1 và 2 làm như trên, thường mạch mắc BC làm việc ở tần số
thấp.
- Bước 3: Hệ số hồi tiếp:
 Nếu mạch làm việc ở tần số thấp ta có thể chọn n = 0,1 
từ đó tính C1, C2 vì Ctđ thường tính được.
 Nếu mạch làm việc ở tần số trung bình, tính như trên
- Bước 4:
 Ở tần số thấp: h21b  1, h11b = hie/hfe
 Ở tần số trung bình:
;
 Rk tính như trên.
 Hệ số ghép đầu ra của Transistor với khung cộng hưởng:
Lch

+VCC
- Bước 5: Điều
kiện biên độ để mạch dao động:

c- Mạch tạo dao động
R2 3 điểm C kiểu ClappC mắc EC

Cng

E
R1

Cb’e

RETrang
Cng14

C1

L
C0

C2
B

Vk

0,5;


C
E

C1

Vk


L
C0

C2
B

- Các bước thiết kế tương tự như mạch dao động 3 điểm C kiểu
Colpits mắc EC, chỉ khác về Ctđ và hệ số ghép p của Transistor với
khung cộng hưởng.
với
Nếu ta chọn C1, C2 >> C0 thì Ctđ  Co khi đó nhánh cộng hưởng nối
tiếp L, C0 sẽ quyết định tần số cộng hưởng của mạch và mạch sẽ ổn
định tần số hơn
- Hệ số ghép p:
d- Mạch tạo dao động 3 điểm C kiểu Clapp mắc BC
+VCC

Lch
C

R2
Cng

C1

E

Vk

C0


C2

RE

R1

L
B

C
E
RE

C1
C2

L

Vk

C0

Các bước thiết kế tương tự như mạchB dao động 3 điểm C kiểu Colpits
mắc BC, chỉ khác về Ctđ và hệ số ghép p.
- Khi biết f0, L ta tính được Ctđ, ta sẽ chọn C0 lớn hơn Ctđ một chút ví
dụ: Ctđ = 25pF thì ta chọn C0 = 30pF.
- Hệ số ghép p:
Trang 15



3.3

Các mạch dao động dùng thạch anh

a- Sơ đồ tương đương của thạch anh
- Lq, Cq, rq là L, C, r của thạch anh (rq = 0)
- Cp: điện dung giá đỡ (Cp = 10  100pF) (Cq = 0,01  0,1pF)
Lq
Cp

rq
Cq

- Tần số cộng hưởng nối tiếp:

(1)

- Tần số cộng hưởng song song:
- Trở kháng tương của thạch anh:
Zq = Xq = j0Ltđ

(3)

Với

(4)

TA


 Để thay đổi tần số cộng hưởng riêng của thạch anh ta mắc C S nối
tiếp với thạch anh:

CS

(5)

khi đó tần số cộng hưởng nối tiếp của mạch sẽ là
(6)
 Để giảm ảnh hưởng của Cp người ta mắc tụ C0 song song với Cq
b- Mạch tạo dao động dùng thạch anh với tần số cộng hưởng song
song
+VCC
Lch

R2

Cng

Cng
R1

C1
RE

Trang
Cng 16

LTA
C2



C1
C2

LtđTA

 Để mạch dao động theo kiểu 3 điểm C kiểu Colpits, thạch anh phải
tương đương như cuộn cảm, nghĩa là: q < 0 < p
Thực tế 0  p nhưng để tính toán đơn giản do p  q ta coi

(1)
(2)

jXq

Ltđ
q

p
0

0
Ctđ

Biết , Cq, Cp ta tính được q

Ctđ

- Điện cảm riêng của thạch anh:


(3)

- Điện cảm tương đương của thạch anh:
(4)
(5)
-

(6)
Các phần còn lại tính toàn tương tự như mạch dao động 3 điểm C
kiểu Colpits mắc EC.
C1
RE

C2

TA
Mạch B.C

Áp dụng các công thức (1)  (6) ở trên và các công thức trong
mạch dao động 3 điểm C kiểu Colpits mắc BC.
 Khi tụ CS mắc nối tiếp với thạch anh nó đóng vai trò như tụ C0 trong
mạch dao động 3 điểm C kiểu Clapp. Khi tính L tđ, Ctđ ta sẽ chọn CS
lớn hơn Ctđ một chút, rồi tính C1, C2 như các mạch ở trên.
Trang 17


c- Mạch tạo dao động dùng thạch anh với tần số cộng hưởng nối
tiếp
Z3


B

Z2

B’
Z1

R

3.4

Trong loại mạch này thạch anh đóng
vai trò mạch hồi tiếp. Chỉ đúng tại tần số
cộng hưởng nối tiếp của thạch anh thì Z q
 0 khi đó B  B’ và mạch sẽ hoạt động
như 3 điểm C kiểu Colpits hoặc Clapp và
cũng có thể mắc EC hay BC

Mạch tạo dao động RC

Đơn giản và thông dụng nhất là mạch dao động cầu Wiew
D2

R2

R1
D1
+


R
Vin

R

Vou

C

t

- Tần số dao động:
- Điều kiện dao động về biên độ:
Mà nên
- Mặt khác

Trang 18


Chương 4: ĐIỀU CHẾ TƯƠNG TỰ
4.1

Điều biên

a- Phổ của tín hiệu điều biên và quan hệ năng lượng trong điều
biên.
V
0

t

Vo

0

t

VAM

0

t

VAM
V0

0
V(t) = Vcost

0-

0

0+

t

(1)

V0(t) = V0cos0t


(2)

VAM(t) = V0(1+mcost)cos0t

(3)
(4)

- Công suất tải tin:

(6)

- Công suất hai biên tần:

(7)

- Công suất điều biên:

(8)

- Hệ số lợi dụng công suất:

(9)

- Công suất điều biên lớn nhất:
Đây là điều kiện để chọn Transistor sao cho
PAMmax < PCmax
Trang 19

(10)



b- Điều biên Collector
 Điện áp Collector biến đổi theo điện áp âm tần:
(11)
với
 Để đảm bảo Transistor không bị đánh thủng, phải thỏa mãn điều
kiện:
(12)
Đối với điều biên thì

(13)

 Nếu đầu ra của mạch điều biên là mạch lọc có hiệu suất CH thì
điều biên Collector có công suất đỉnh là:
(14)
Đây là điều kiện để chọn Transistor có PCmax cho phép
 Để thiết kế bộ điều biên Collector ta sẽ tiến hành theo hai phần như
sau:
- Cho trước khi đã biết ta tiến hành các bước thiết kế như đối với
mạch KĐCSCT (mục 2-3)
- Thiết kế phần điều biên:
- Phổ của điều biên (theo 3) và vẽ phổ
- Tính công suất hai biên tần (theo 7).
- Tính hệ số lợi dụng công suất k (theo 9).
- Kiểm tra điều kiện điện áp (theo 12)
- Kiểm tra điều kiện công suất (theo 14).
4.2

Điều tần và điều pha


a- Quan hệ giữa điều tần và điều pha
 Dao động điều hòa sóng mang:
(1)
 Tín hiệu điều chế âm tần:

(2)

 Tín hiệu điều tần
FM:

(3)

Trong đó:

(4)

Với : lượng di tần cực đại
Chỉ số điều tần: ; hệ số tỷ lệ
Trang 20

(5)


 Tín hiệu điều pha PM:
(6)
Trong đó:

(7)

Với : lượng di pha cực đại

Chỉ số điều pha:

(8)

với k: hệ số tỷ lệ
 Quan hệ giữa độ di tần và độ di pha:
(9)
Từ 3, 6, 9 ta nhận thấy chỉ cần biết tín hiệu điều tần FM sẽ tìm được
tín hiệu điều pha PM và ngược lại.
b- Phổ của tín hiệu điều tần và điều pha
In
I0
I1

I2

0-

0 0-2

0

0+

0+2

t

I1


 Khi chỉ tính các thành phần I m(mf)  0,01I0(mf) thì bề rộng dải tần
của tín hiệu điều tần chiếm là:
(1)
- Khi mf > 1 ta có biểu thức gần đúng:
DFM  2mfmax  2

(2)

 gọi là điều tần băng rộng
- Khi mf < 1  DFM  2max

(3)

Gọi là điều tần băng hẹp
 Để mf  const khi tần số thay đổi phía phát phải có mạch preemphasis và phía thu có mạch de-emphasis.
c- Điều tần bằng Varicap
RD

CD
Trang 21


(1)
 Cin: điện dung ban đầu khi e = 0
 : hiệu điện thế tiếp xúc si  0,7V
 n: hệ số phụ thuộc loại varicap


(2)
với Vpc: điện áp phân cực ban đầu cho varicap

(3)
CV

CC1
CC0
CC2

Vpc

V

0

 Trong thực tế ta phải tìm mọi cách để giảm ảnh hưởng của điện áp
cáo tần trên varicap, Vkhi đó:
(4)
 Gọi điện áp AC trên varicap đã chuẩn hóa:

(5)
(6)



(7)

 Tùy theo cách mắc varicap vào khung cộng hưởng ta có thể tính gần
đúng độ di tần do varicap gây ra theo điện áp điều chế V.

L


CV0
a

L

C3
CV0

LKC4
R

R1

RE

(9)

Ra

c

b

Mắc Varicap đơn:
Cng

CV0

L
R2


(8)

+VCC

C

Trang 22

(10)
Lch

CV0


C
C
R

LK

E

RE

CV0
B

Nếu chọn thì tạo phân cực ngược cho varicap. Điện trở R thường được
chọn vài trăm k. Do dòng trên R bằng 0 nên VR = 0V. Để thiết kế mạch

điều tần varicap cần tiến hành 2 phần
- Phần thứ nhất: thiết kế để mạch thỏa mãn điều kiện dao động về
pha và biên độ (giống phần 3-2-b).
- Phần thứ hai: thiết kế mạch điều tần varicap. Tùy theo cách mắc
varicap vào khung cộng hưởng theo sơ đồ a, b, c mà chọn công
thức (8) hoặc (9) hoặc (10) để tính .
 Tính f1 = f0 - f   CV1
 Tính f2 = f0 + f   CV2
 Vẽ đặc tuyến CV = f(V).
Mắc varicap đẩy kéo:
Lch
Cng

CV1
VR
Lch
V
Cng

CV2

R2
C
R1

RE
C2

L
E

C2
C1
CV2

E
RE

C1
Trang 23
B

Cng

Lch
V

CV1

+VCC


Sơ đồ mắc varicap đẩy kéo triệt tiêu được hoàn toàn sóng cao tần trên
varicap nên các công thức 8, 9, 10 ở trên được tính chính xác hơn. nếu .
Về lý thuyết , trên thực tế giá trị hay gặp ; ví dụ  .
Các bước thiết kế được tiến hành như 2 phần ở trên
d- Ổn định tần số trung tâm của tín hiệu điều tần
Các biện pháp ổn định tần số trung tâm f0 được xếp từ đơn giản đến
phức tạp:
- Điều tần trực tiếp bằng thạch anh: độ di tần hẹp, chỉ dùng trong
phát thoại quốc tế.

- Sử dụng thạch anh làm bộ dao động: độ di tần hẹp.
- Ổn định nguồn cung cấp, sử dụng các điện trở bù nhiệt.
- Hạ thấp tần số trung gian của bộ điều tần để nâng cao độ ổn định
tần số.
- Sử dụng hệ thống tự động điều chỉnh tần số AFC-F: chỉ điều
chỉnh thô.
- Sử dụng hệ thống tự động điều chỉnh tần số hỗn hợp AFC-F và
AFC-P: AFC-F điều chỉnh thô, còn AFC-P điều chỉnh tinh đưa .

Trang 24


Chương 5: VÒNG GIỮ PHA PLL
5.1

Những ưu, khuyết điểm của vòng giữ pha PLL

 Ưu điểm:
- Khả năng làm việc ở tần số cao.
- Sự độc lập về khả năng chọn lọc và điều hưởng tần số trung
tâm.
- Những linh kiện bên ngoài ít.
- Dễ dàng trong việc điều hưởng
 Khuyết điểm:
- Sự thiếu thốn thông tin về biên độ tín hiệu.
- Tự động điều chỉnh hệ số khuếch đại khó.
5.2

Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt động của PLL
Vi = Visinit

Bộ so
pha

Vp

LTT

KĐ

Vd

VCO
Vo = Vocos
Sơ đồ khối của PLL

 Vòng điều khiển pha có nhiệm vụ phát hiện và điều chỉnh những
sai sót về tần số giữa tín hiệu vào và tín hiệu ra, nghĩa là PLL làm
cho tần số ra của tín hiệu song song bám theo tần số vào của tín
hiệu vào.
 Khi tín hiệu vào đã lọt vào dải bắt của PLL, thì tần số f 0 của VCO
sẽ bàm theo tần số vào .
5.3

Một số ứng dụng của PLL.

- Tách sóng tín hiệu điều tần.
- Tách sóng tín hiệu điều biên.
- Tổng hợp tần số.
- Nhân tần số bằng “khóa hài” PLL.
- Điều chế tần số (FSK) và điều chế pha (PSK).

Trang 25