NỘI DUNG:
I.
GIỚI THIỆU
II.
CẤU TẠO CƠ BẢN
III.
PHÂN LOẠI - HOẠT ĐỘNG
IV.
CHẾ TẠO
V.
CHÚ Ý
VI. ỨNG
DỤNG
I. Giới thiệu
Lược sử
•1926 Julius Lilienfeld – hiệu ứng trường
→ Công nghệ không cho phép chế tạo
•1947 Shockley & Brattanin & Bardeen – transistor
•Trước 1960 máy tính rất cồng kềnh, chậm và đắt
→ Người ta không thể nghĩ đến việc chế tạo nhiều transistor
trên cùng một đế bán dẫn
→ Độ tin cậy của linh kiện
•1960 D.Kahng & M.Atalla – báo cáo Mosfet
•1962 IC mos gồm 16 transistor được chế tạo
•1963 F.Wanlass & C.Sah – đề nghị Cmos
•1971 bộ vi sử lí đầu tiên – M.Hoff và cộng sự
→ Intet 4004, gồm 2300 Mosfet trên cùng 1 chip
I. Giới thiệu
Tụ mos
I. Giới thiệu
Tụ mos
I. Giới thiệu
Transistor
trường fet (field effect transistor)
Là bán đẫn điều khiển bằng thế
một loại hạt tải tham gia dẫn điện
3 cực: nguồn (source), máng (drian),
cổng (gate)
→ điện thế được tác dụng lên cực cổng để điều
khiển dòng qua transistor
I. Giới thiệu
Mosfet (Metal-Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor)
Là transistor trường
Ứng dụng rộng rãi
II. Cấu tạo
II. Cấu tạo
III. Phân loại
MOSFET
D-MOSFET
(kênh có sẵn)
Kênh p
Kênh n
E-MOSFET
(kênh cảm ứng)
Kênh p
Kênh n
III. Phân loại
D-MOSFET kênh n
III. Phân loại
D-MOSFET kênh p
III. Phân loại
E-MOSFET kênh n
III. Phân loại
E-MOSFET kênh n
III. Phân loại
E-MOSFET kênh p
III. Phân loại
E-MOSFET kênh p
III. Phân loại
IV. Chế tạo MOSFET
Cấy iôn
IV. Chế tạo MOSFET
Phương pháp quan khắc
V. Chú ý
Điện áp ngưỡng
Chiều dày lớp oxide
Các loại điện tích trong oxide
Hiệu công thoát kim loại – bán dẫn
Nồng độ pha tạp kênh
V. Chú ý
Kim loại làm điện cực
Màng phải dẫn điện tốt
Tạo tiếp xúc thuần trở tốt
Bám dính tốt với Si và SiO2
Sử dụng được phương pháp quang khắc
Có thể hàn dây vào màng
Dễ tạo màng, phủ tốt các bậc thang oxide
Ổn định, không phản ứng với vỏ, dây hàn
Chịu được dòng cao, không có hiệu ứng
electromigration
V. Chú ý
Kim loại làm điện cực
• Không một kim loại nào thõa mãn được tất cả yêu cầu
• Vàng (Au) có độ dẫn cao, chiệu ăn mòn tốt nhưng
bám dính không tốt vào SiO2
• Nhôm (Al) đáp ứng được nhiều yêu cầu nhất
• Mo,Pt, W tuy khó nóng chảy nhưng tạo được tiếp xúc
thuần trở
V. Chú ý
IV. Chế tạo MOSFET
VI. Ứng dụng MOSFET
Khuếch đại tín hiệu