Luận văn thạc sĩ

CHƯƠNG 4

KẾT QUẢ VÀ BÀN LUẬN: KHẢO SÁT MỘT SỐ TÍNH

CHẤT QUANG CỦA VẬT LIỆU 10SnO2-90SiO2: xEr3+ CHẾ TẠO
BẰNG PHƯƠNG PHÁP SOL-GEL.
4.1.

Phổ nhiễu xạ tia X (XRD).

Hình 4.1: Phổ XRD của bột SnO2.
Căn cứ vào các số liệu trong phổ nhiễu xạ tia X (XRD) đã đo đạt được tại
Viện Khoa học Vật liệu Ứng dụng (số 1 Mạc Đĩnh Chi, Q.1, Tp.HCM), chúng tôi đã
tiến hành tính toán kích thước hạt dựa theo phương trình Scherrer:

(4.1)

Trang 58


Luận văn thạc sĩ

4.1.1.

Ảnh hưởng của nhiệt độ.

Hình 4.2: Phổ XRD của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0,4% mol được
nung ở các nhiệt độ 120oC, 400oC, 600oC, 800oC và 1000oC.

Trang 59


Luận văn thạc sĩ

Hình 4.3: Phổ XRD của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0,8% mol được
nung ở các nhiệt độ 120oC, 400oC, 600oC, 800oC và 1000oC.

Vật liệu được sấy ở 120oC chủ yếu cho peak có đỉnh xung quanh 23 o đặc trưng
cho vật liệu SiO2 vô định hình. Khi nung đến các nhiệt độ 400oC, 600oC, 800oC và
1000oC thì phổ XRD của các mẫu vật liệu cho các peak tại vị trí 2θ = 26.5o, 33.6o,
38.3o và 51.7o tương ứng với các mặt mạng (110), (101), (200) và (210) đặc trưng
cho tinh thể SnO2 (theo phiếu chuẩn JPCD số 41-1445). Khi nhiệt độ tăng, cường
độ các peak tăng tức độ tinh thể hóa của SnO2 bên trong vật liệu tăng lên. Theo lí

Trang 60


Luận văn thạc sĩ

thuyết, mặt (110) ưu tiên phát triển nhất bởi vì mật độ nguyên tử trên mặt (110) lớn
nhất do nó có năng lượng bề mặt thấp nhất, tiếp theo là mặt (101), (210) và (200).
Từ phổ XRD của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ (hình 4.2 và 4.3), chúng tôi chọn
mặt (101) để tính kích thước hạt theo phương trình Scherrer.

Bảng 4.1: Kích thước hạt SnO2:Er3+ trong vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ ở các nhiệt độ
120oC, 400oC, 600oC, 800oC và 1000oC.
vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+
x = 0.4%


Nhiệt độ
(oC)

Hướng
mặt mạng
[hkl]

x = 0.8%

Kích thước

Kích thước

Độ bán rộng

hạt theo

Độ bán rộng

hạt theo

(FWHM)

phương trình

(FWHM)

phương trình

 (độ)


Scherrer (4.1)

 (độ)

Scherrer (4.1)

(nm)

(nm)

120

……

……

……

……

……

400

101

1.96

4.24


1.86

4.46

600

101

1.86

4.46

1.72

4.83

800

101

1.77

4.69

1,42

5.85

1000


101

1.53

5.43

1.31

6.34

Qua phổ XRD theo nhiệt độ (hình 4.3), ta thấy ở cùng một nồng độ pha tạp ion
Er3+ (với 0.4% và 0.8%), thì kích thước của hạt SnO2: Er3+ tăng theo nhiệt độ, nhưng
tăng chậm.
Khi nhiệt độ tăng, phần lớn năng lượng nhiệt dùng để loại bỏ các gốc hữu cơ
và tạo độ rắn chắc để tinh thể hóa vật liệu, dẫn tới hiện tượng kết đám của các hạt
Trang 61


Luận văn thạc sĩ

SnO2:Er3+, đồng thời cũng làm tăng khả năng kết đám của các ion Er3+ với nhau trong
nền SiO2. Do đó, khi nhiệt độ tăng thì kích thước hạt tăng nhưng tăng tương đối chậm.

Hình 4.4: Sự phụ thuộc kích thước hạt SnO2:Er3+ vào nhiệt độ.

Trang 62


Luận văn thạc sĩ


4.1.2.

Ảnh hưởng của nồng độ pha tạp ion Er3+.

Hình 4.5: Phổ XRD của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0.2; 0.4; 0.6; 0,8
và 1.0% mol được nung ở nhiệt độ 1000oC.

Trang 63


Luận văn thạc sĩ

Bảng 4.2: Kích thước hạt SnO2:Er3+ trong vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với
x = 0.2; 0.4; 0.6; 0,8 và 1.0% mol được nung ở nhiệt độ 1000oC.
vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+

x (%mol)

Hướng mặt mạng
[hkl]

Độ bán rộng

Kích thước hạt theo

(FWHM)

phương trình


 (độ)

Scherrer (nm)

0.2

101

1.54

5.39

0.4

101

1.53

5.43

0.6

101

1.38

6.01

0.8


101

1.31

6.34

1.0

101

1.26

6.59

Qua phổ XRD (hình 4.5) và bảng giá trị tính toán được từ phổ của vật liệu
10SnO2-90SiO2: xEr3+ với các nồng độ pha tạp ion Er3+ khác nhau được nung ở cùng
nhiệt độ 1000oC (bảng 4.2), ta thấy kích thước hạt tăng theo nồng độ pha tạp của ion
Er3+, tuy nhiên kích thước hạt tăng không đều. Kích thước của hạt tăng rất ít (từ
5.39nm đến 5.43nm) khi nồng độ pha tạp tăng từ 0.2% đến 0.4%, tăng nồng độ pha tạp
đến 0.6% thì kích thước hạt tăng tương đối nhanh hơn (6.01nm) và sau đó tiếp tục tăng
đều khi nồng độ pha tạp tăng đến 0.8% và 1.0%. Điều này cho thấy, khi nồng độ pha
tạp ion Er3+ tăng, thì mật độ phân tán của ion Er3+ vào trong nền SnO2-SiO2 nhiều hơn,
khả năng kết đám của chúng càng hiệu dụng ở nhiệt độ cao, từ đó làm cho kích thước
hạt tăng lên.

Trang 64


Luận văn thạc sĩ


Hình 4.6: Sự phụ thuộc kích thước hạt SnO2:Er3+ vào nồng độ phần trăm pha tạp ion
Er3+.

4.2.

Phổ hấp thụ UV – Vis.
Chúng tôi nhận thấy rằng, vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ mà chúng tôi tổng

hợp là vật liệu trong suốt (có khả năng cho ánh sáng truyền qua), vì vậy chúng tôi tiến
hành đo phổ hấp thụ vùng tử ngoại – khả kiến (UV-Vis) để bổ sung thêm việc xác định
kích thước trung bình của hạt SnO2: Er3+ có kích thước cỡ nano mét được pha tạp trong
nền SiO2, đồng thời để khảo sát thêm tính chất quang của vật liệu thông qua việc khảo
sát sự thay đổi độ rộng vùng cấm của hạt nano tinh thể.
Theo cơ sở lí thuyết của hiệu ứng suy giảm kích thước lượng tử cho thấy bờ
hấp thu dịch chuyển về bước sóng ngắn khi kích thước hạt tinh thể giảm (cỡ nm). Sự
Trang 65


Luận văn thạc sĩ

dịch chuyển bờ năng lượng liên quan đến kích thước hạt được tính theo phương trình
Kayanuma trong trường hợp đối với tinh thể SnO2:
(4.2)


Eg0 = 3.6eV: độ rộng vùng cấm tương ứng ở dạng khối của tinh thể SnO2.



ɛ = 13.5: hằng số điện môi của vật liệu SnO2.




µ = (1/m*e + 1/m*h)-1= 0.3mo: khối lượng hiệu dụng rút gọn.



m*e và m*h : khối lượng hiệu dụng của điện tử và lỗ trống với m*e<< m*h ;

mo: khối lượng tĩnh của điện tử tự do.


R: bán kính hạt tinh thể.



D = 2R: kích thước hạt tinh thể.

Hình 4.7: Đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc của năng lượng độ rộng vùng cấm Eg(R) theo
bán kính hạt tinh thể.

Trang 66


Luận văn thạc sĩ

Căn cứ vào kết quả tính toán kích thước trung bình của hạt SnO2: Er3+ pha tạp
trong nền SiO2 dựa theo phổ XRD của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0.2; 0.4;
0,8 và 1.0% mol ở nhiệt độ 1000oC, chúng tôi nhận thấy kích thước trung bình của hạt
đo được khoảng từ 5-7nm. Tương ứng với kích thước này, thì hạt SnO2: Er3+ nằm trong

vùng suy giảm kích thước lượng tử trung bình, do đó chúng tôi vẫn có thể áp dụng hiệu
ứng suy giảm kích thước lượng tử để tính năng lượng độ rộng vùng cấm của hạt nano
SnO2: Er3+ pha tạp trong nền SiO2 ở 1000oC theo phương trình Kayanuma . Từ đó,
chúng tôi tiến hành đo phổ hấp thụ UV–Vis của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ (với x =
0.2; 0.4; 0,8 và 1.0% mol) ở nhiệt độ 1000oC bằng máy HALO RB-10 đặt tại phòng
Vật Lí Ứng Dụng, trường Đại học Khoa học Tự nhiên TP.HCM.

Hình 4.8: Phổ hấp thụ UV–Vis của vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với x = 0.2; 0.4;
0,8 và 1.0% mol được nung ở nhiệt độ 1000oC.

Trang 67


Luận văn thạc sĩ

Bảng 4.3: Kích thước trung bình của hạt SnO2:Er3+ trong vật liệu 10SnO2-90SiO2:
xEr3+ với x = 0.2; 0.4; 0.6; 0,8 và 1.0% mol được nung ở nhiệt độ 1000oC.
Kích thước hạt

Kích thước hạt

(2R) tính theo

Eg tính theo

Eg tính từ phổ

(2R) tính theo

x


phương trình

phương trình

hấp thụ ở

phương trình

(%mol)

Scherrer (4.1) từ

Kayanuma (4.2)

1000oC (hình

Kayanuma (4.2)

phổ XRD ở

(eV)

4.8) (eV)

từ phổ hấp thụ

1000oC (nm)

ở 1000oC (nm)


0.2

5.39

3.708

4.254

2.62

0.4

5.43

3.704

4.046

3.10

0.8

6.34

3.666

3.906

3.65


1.0

6.59

3.656

3.670

6.53

Theo kết quả tính toán được từ bảng 4.3 cho thấy kích thước hạt SnO2:Er3+ suy
ra từ phương trình có sự sai lệch tương đối lớn so với kết quả tính toán dựa theo phổ
XRD của vật liệu khi nồng độ pha tạp Er3+ tăng từ 0.2-0.8% mol, và khi nồng độ pha
tạp Er3+ bằng 1.0% mol thì kết quả thu được trong 2 trường hợp gần như bằng nhau.
Điều này có thể được giải thích là do vật liệu mà chúng tôi tổng hợp là hỗn hợp gồm
nano tinh thể SnO2, ion Er3+ và vật liệu nền SiO2, trong khi công thức Kayanuma được
dùng để tính toán cho vật liệu thuần SnO2.

4.3.

Ảnh hiển vi điện tử truyền qua (TEM).
Để khảo sát chính xác hơn về sự phân bố, hình thái và kích thước của hạt

SnO2:Er3+ trong vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+, sau khi đã tính toán kích thước hạt dựa
trên nền phổ XRD và phổ hấp thụ UV-Vis, chúng tôi đã tiến hành đo kích thước hạt
bằng kính hiển vi điện tử truyền qua TEM – 1400 tại Trường Đại Học Bách Khoa,
ĐHQG – TP.HCM. Vật liệu chúng tôi sử dụng là vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ với:
Trang 68



Luận văn thạc sĩ

 Mẫu 1: x = 0.8% được nung ở nhiệt độ 800oC.
 Mẫu 2: x = 0.8% được nung ở nhiệt độ 1000oC.
 Mẫu 3: x = 1.0% được nung ở nhiệt độ 1000oC.

Do vật liệu mà chúng tôi tổng hợp ở dạng khối, nên chúng tôi không thể thực
hiện quá trình đo. Vì vậy chúng tôi đã tiến hành nghiền vật liệu thành dạng bột mịn và
sau đó hòa tan bằng dung dịch CH3COOH loãng, sau đó nhỏ giọt lên trên lưới đồng rồi
mới tiến hành đo TEM.

Hình 4.9: Ảnh TEM của vật liệu 10SnO2-90SiO2: 0,8%Er3+ được nung ở nhiệt độ
800oC.

Trang 69


Luận văn thạc sĩ

Hình 4.10: Ảnh TEM của vật liệu 10SnO2-90SiO2: 0,8%Er3+ được nung ở nhiệt độ
1000oC.

Trang 70


Luận văn thạc sĩ

Hình 4.11: Ảnh TEM của vật liệu 10SnO2-90SiO2: 1.0%Er3+ được nung ở nhiệt độ
1000oC

Bảng 4.4: Kích thước trung bình của hạt SnO2:Er3+ trong vật liệu 10SnO2-90SiO2:
xEr3+ đo đạt được dựa vào ảnh TEM.
vật liệu 10SnO290SiO2: xEr3+
Nhiệt độ nung (oC)
Kích thước trung
bình của hạt (nm)

x = 0.8%

x = 0.8%

x = 1.0%

800oC

1000oC

1000oC

3.5 đến 6.0

4.0 đến 7.0

5.0 đến 8.0

Nhận xét: Kết quả thu được tương đối phù hợp với kết quả tính toán kích
thước trung bình của hạt SnO2:Er3+ trong vật liệu 10SnO2-90SiO2: xEr3+ (với x = 0.8%
và 1.0% mol) được nung ở 800oC và 1000oC dựa theo phổ nhiễu xạ XRD ở mục 4.1.

Trang 71



Luận văn thạc sĩ

4.4.

Phổ Raman theo nhiệt độ.
Chúng tôi đã tiến hành chụp phổ Raman của vật liệu 10SnO2-90SiO2:

0,8%Er3+ được nung ở các nhiệt độ 400oC, 600oC, 800oC và 1000oC. Phổ được chụp
bởi máy quang phổ Micro-Raman, sử dụng nguồn laser kích thích có bước sóng là
632.81 nm, đặt tại PTN. Công nghệ Nano, Đại học Quốc gia TP.HCM.

Hình 4.12: Phổ Raman của vật liệu 10SnO2-90SiO2: 0,8%Er3+ được nung ở các nhiệt
độ 400oC, 600oC, 800oC và 1000oC.

Trang 72


Luận văn thạc sĩ

14
Như đã biết, tinh thể SnO2 thuộc nhóm D4h
(P42/mnm) và có cấu trúc tứ diện

(pha Rutile). Vật liệu khối SnO2 có 4 mode dao động xuất hiện trong phổ Raman: 123
cm-1 (B1g) , 476 cm-1 (Eg), 638 cm-1 (A1g) và 782 cm-1 (B2g). Cường độ Raman của B1g
rất yếu. Các mode A2u , Eu và B1u là các mode chỉ xuất hiện trong phổ hồng ngoại.

Bảng 4.5: Bảng tương quan giữa các dao động và số sóng của vật liệu 10SnO2-90SiO2:

0,8%Er3+ được nung ở các nhiệt độ 400oC, 600oC, 800oC và 1000oC.
Nhiệt
độ
o

 (Si-O-Si )

D1

D2

vs Sn-O 

-1

(cm )

( C)

vs  Si-O-Si 
-1

(cm-1)

(cm-1)

A1g (cm )

-1


(cm )

vs  C-C  ,
vs  C-O 

(cm-1)

vs  Si-OH 

(cm-1)

400

453

483

-

-

809

-

972

600

-


486

-

626.5

796

-

975

800

-

483

596

630

783

-

975

1000


453

486.5

603

630

786

-

972

Trong các mẫu khi được nung ở các nhiệt độ khác nhau từ 400oC đến 1000oC
thì hầu như không xuất hiện các mode dao động νs(C-C) và νs(C-O), mà chủ yếu là các
mode dao động đặc trưng cho cấu trúc vô định hình của SiO2 ở nhiệt độ cao như: 453
cm-1 δ(Si-O-Si), 483 cm-1 D1, 596 cm-1 D2, 809 cm-1 νs(Si-O-Si), 972cm-1 νs(Si-OH) và
đặc biệt là mode dao động 630cm-1 A1g(νs(Sn-O)) đặc trưng cho vật liệu nano SnO2.
Khi nhiệt độ tăng, cường độ đỉnh phổ 972 cm-1 νs(Si-OH) giảm rất nhanh, đó
là do ở nhiệt độ cao, các gốc –OH trong mẫu bị bay hơi gần như hoàn toàn, kết quả này

Trang 73


Luận văn thạc sĩ

phù hợp với tài liệu tham khảo số [7]. Ngược lại, khi nhiệt độ tăng, thì cường độ của
peak 630 cm-1 A1g(νs(Sn-O)) cũng tăng theo. Theo kết quả tính toán kích thước hạt thay

đổi theo nhiệt độ dựa vào phổ XRD (phần 4.1.1) thì chúng tôi có thể kết luận: nhiệt độ
càng tăng thì kích thước hạt SnO2 càng tăng, do đó cường độ dao động A1g của nano
tinh thể SnO2 trong nền SiO2 cũng tăng theo.

Trang 74


Luận văn thạc sĩ

4.5. Phổ phát quang (PL).

4.5.1.

Phổ phát quang (PL) ở vùng bức xạ khả kiến theo nhiệt độ và theo

nồng độ pha tạp Er3+.
Phổ phát quang (PL) ở vùng bức xạ khả kiến của vật liệu 10SnO290SiO2: xEr3+ nung ở các nhiệt độ và độ pha tạp Er3+ khác nhau đã được chúng tôi
tiến hành đo đạt với bước sóng kích thích 325nm, thực hiện tại phòng thí nghiệm
Vật Lí Ứng Dụng thuộc khoa Vật Lí, trường Đại học Khoa học Tự nhiên
TPHCM, địa chỉ 227 Nguyễn Văn Cừ, Q.5, Tp.HCM.

Hình 4.13: Phổ PL thuộc vùng khả kiến của vật liệu 10SnO2-90SiO2: 0.4%Er3+
được nung ở các nhiệt độ 120oC, 400oC, 800oC và 1000oC.

Trang 75


Luận văn thạc sĩ

Hình 4.14: Phổ PL thuộc vùng khả kiến của vật liệu 10SnO2-90SiO2: x%Er3+ với

x = 0.2%, 0.4%, 0.8% và 1.0% mol được nung ở nhiệt độ 1000oC.

Nhận xét:
 Kết quả nhận được từ phổ PL thuộc vùng khả kiến (hình 4.13, 4.14)
của vật liệu 10SnO2-90SiO2: 0.4%Er3+ ở các nhiệt độ khác nhau và của vật liệu
10SnO2-90SiO2: xEr3+ với nồng độ pha tạp khác nhau được nung tại nhiệt độ
1000oC cho thấy: Khi mẫu 10SnO2-90SiO2: 0.4%Er3+ chưa được xử lí nhiệt (sấy ở
120oC) hoặc khi được nung ở nhiệt độ thấp (400oC) thì vật liệu chủ yếu phát xạ ở
vùng lân cận 550nm với đỉnh phổ có độ rộng tương đối lớn. Nguyên nhân là do
hiện tượng dập tắt huỳnh quang gây ra bởi các gốc OH- còn tồn tại nhiều trong
vật liệu do nhiệt độ xử lí mẫu còn thấp. Với nhiệt độ xử lí cao (800oC và 1000oC),
thì có xuất hiện một số đỉnh phổ tương đối rõ đối với cả 2 loại vật liệu trên:

Trang 76


Luận văn thạc sĩ

+ Đỉnh phổ hẹp tại 555.5nm với cường độ rất mạnh.
+ Đỉnh tại 664nm có độ rộng tương đối và cường độ thấp.
Hai bức xạ này được gây ra do sự chuyển mức năng lượng tương ứng
4

S3/2  4I15/2 và 4F9/2  4I15/2 của ion Er3+, cường độ của hai bức xạ này phụ

thuộc vào cả nhiệt độ và nồng độ pha tạp. Kết quả này chứng tỏ rằng, sự phát xạ
của vật liệu chủ yếu là do các ion Er3+ hòa tan trong tinh thể SnO2 (các ion Er3+
này nhận được năng lượng truyền đến từ các tinh thể nano SnO2) và các ion Er3+
kết đám trong nền SiO2; năng lượng này hoặc được truyền trực tiếp từ các sai
hỏng của cấu trúc mạng, hoặc được truyền gián tiếp qua sự kết hợp của các lỗ

trống với các ion Er3+.
+ Ngoài ra còn có 2 đỉnh phổ có cường độ rất thấp tại 572nm và 690nm.
Cường độ đỉnh tại bước sóng 572nm gần như không phụ thuộc vào nhiệt độ mẫu
và nồng độ pha tạp của ion Er3+. Bức xạ này được biết như sự kết hợp các mức
năng lượng khuyết tật trong phạm vi vùng năng lượng của SnO2 (không hòa tan
ion Er3+) do sự kết hợp của các nút khuyết O, các nút Sn hoặc dư liên kết trong
mạng SnO2 và các khuyết tật này được hình thành trong suốt quá trình tổng hợp
vật liệu. Đối với đỉnh phổ tại bước sóng 690nm, thì cường độ bức xạ chủ yếu chịu
ảnh hưởng của nồng độ pha tạp ion Er3+ hơn là nhiệt độ nung mẫu. Bức xạ này là
do sự chuyển mức 4F9/2  4I15/2 của các ion Er3+ kết đám trong nền SiO2. Điều
này chứng tỏ, khi nồng độ pha tạp ion Er3+ tăng, thì sự kết đám của chúng trong
nền SiO2 càng nhiều, nghĩa là chỉ có một lượng nhỏ ion Er3+ pha tạp là được hòa
tan vào tinh thể nano SnO2.

4.5.2. Phổ phát quang (PL) ở vùng bức xạ hồng ngoại theo nồng độ pha tạp
ion Er3+.

Trang 77


Luận văn thạc sĩ

Phổ phát quang (PL) ở vùng bức xạ hồng ngoại vật liệu 10SnO2-90SiO2:
x%Er3+ theo nồng độ pha tạp ion Er3+ khác nhau được thực hiện đo đạt tại phòng
phân tích quang phổ và phân tích Raman,Đại học Lille, nước Pháp, với bước sóng
kích thích là 351nm.

Hình 4.15: Phổ PL của vật liệu 10SnO2-90SiO2: x%Er3+ với x = 0.2%, 0.4%,
0.8% và 1.0% mol được nung ở nhiệt độ 1000oC.


Đối với phổ phát quang (PL) ở vùng bức xạ hồng ngoại của vật liệu
10SnO2-90SiO2: x%Er3+ (với x = 0.2%, 0.4%, 0.8% và 1.0% mol) ở nhiệt độ
1000oC, có xuất hiện một số đỉnh phổ đặc trưng:
+ Đỉnh tại 1551nm có cường độ lớn nhất, cường độ đỉnh tăng chậm theo
nồng độ pha tạp ion Er3+.

Trang 78


Luận văn thạc sĩ

+ Các đỉnh tại bức xạ 1522.5nm, 1533nm và 1571.5nm có cường độ thấp
hơn, cường độ các đỉnh này cũng tăng khá chậm theo nồng độ pha tạp ion Er3+.
Các bức xạ này được gây ra do sự chuyển mức năng lượng tương ứng
4

S3/2  4I9/2 và 4I13/2  4I15/2 của ion Er3+. Kết quả này cũng chứng tỏ được rằng,

có một phần nhỏ ion Er3+ trong lượng pha tạp đã hòa tan vào các tinh thể nano
SnO2, còn lại hầu hết chúng bị kết đám trong nền SiO2, sự kết đám này xảy ra
càng mạnh khi nhiệt độ nung mẫu càng tăng. Điều này là phù hợp đối với những
vật liệu tổng hợp bằng phương pháp Sol-Gel.

Trang 79