- Trang chủ >>
- Khoa Học Tự Nhiên >>
- Vật lý
Ảnh hưởng của nhiệt độ trên JFET
Bạn đang xem bản rút gọn của tài liệu. Xem và tải ngay bản đầy đủ của tài liệu tại đây (88.32 KB, 3 trang )
Ảnh hưởng của nhiệt độ trên JFET
Ảnh hưởng của nhiệt độ trên
JFET
Bởi:
Trương Văn Tám
Như ta đã thấy trong JFET, người ta dùng điện trường kết hợp với sự phân cực nghịch
của nối P-N để làm thay đổi điện trở (tức độ dẫn điện) của thông lộ của chất bán dẫn.
cũng như BJT, các thông số của JFET cũng rất nhạy đối với nhiệt độ, ta sẽ khảo sát qua
hai tác động chính của nhiệt độ:
Khi nhiệt độ tăng, vùng hiếm giảm, do đó độ rộng của thông lộ tăng lên, do đó điện trở
của thông lộ giảm. (ID tăng)
Khi nhiệt độ tăng, độ linh động của các hạt tải điện giảm (ID giảm)
Do thông lộ tăng rộng theo nhiệt độ nên VGS(off) cũng tăng theo nhiệt độ. Thực nghiệm
cho thấy ∣VGS(off)∣hay∣VP∣ tăng theo nhiệt độ với hệ số 2,2mV/10C.
Từ công thức:
Cho thấy tác dụng này làm cho dòng điện ID tăng lên. Ngoài ra, do độ linh động của
hạt tải điện giảm khi nhiệt độ tăng làm cho điện trở của thông lộ tăng lên nên dòng điện
IDSS giảm khi nhiệt độ tăng, hiệu ứng này làm cho ID giảm khi nhiệt độ tăng.
Tổng hợp cả hai hiệu ứng này, người ta thấy nếu chọn trị số VGS thích hợp thì dòng
thoát ID không đổi khi nhiệt độ thay đổi. Người ta chứng minh được trị số của VGS đó
là:
với VP là điện thế nghẽn ở nhiệt độ bình thường.
1/3
Ảnh hưởng của nhiệt độ trên JFET
Các hình vẽ sau đây mô tả ảnh hưởng của nhiệt độ trên các đặc tuyến ra, đặc tuyến
truyền và đặc tuyến của dòng ID theo nhiệt độ khi VGS làm thông số.
Ngoài ra, một tác dụng thứ ba của nhiệt độ lên JFET là làm phát sinh các hạt tải điện
trong vùng hiếm giữa thông lộ-cổng và tạo ra một dòng điện rỉ cực cổng IGSS (gate
leakage current). Dòng IGSS được nhà sản xuất cho biết. dòng rỉ IGSS chính là dòng điện
phân cực nghịch nối P-N giữa cực cổng và cực nguồn. Dòng điện này là dòng điện rỉ
cổng-nguồn khi nối tắt cực nguồn với cực thoát. Dòng IGSS tăng gấp đôi khi nhiệt độ
tăng lên 100C.
2/3
Ảnh hưởng của nhiệt độ trên JFET
3/3
