ĐẠI HỌ C Q U Ố C GIA HÀ NỘI
T R Ư Ờ N G ĐẠI HỌC K H O A HỌC T ự N HIÊN
Đ Ể TÀI
XÂY DỰNG HỆ T 60 MÀNG BÁN Dấn
BỒNG PHƯƠNG PHÁP PHUN TĨNH ĐIỆN
IĩlIILDIN(ỉ
a
SYSTEM TO PREPARE SE M IC OND UC TIN G THIN FILMS
USING T H E ELECTROSTATI C SPRAY PYROLYSIS T E C H N I Q U E
MẴ SỐ: QT 01 - 02
Chủ trì đê tài:
TS. LÊ H Ổ N G HÀ
H.'-- —
•
T' J,M■"Tií. Tri;j Vi[*N
N■~DT/ o c m
HÀ NÔI - 2002
:.
B. PH Ầ N CHÍNH CỦA BÁO CẢO
M Ụ C LỤC
trang
I. MỞ Đ Ầ U ...........................................................................................-...... 6
1.1. Giới thiệu về phương pháp phun tĩnh đ i ệ n ....... .....................— 6
1 .2 . Ưu việt của phương pháp phun tĩnh đ iện ----------------------------- 6
II. PHƯƠNG PH ÁP P HUN TĨ N H Đ I ÊN .............................................................. 7
2.1. Sơ đồ khối và nguyên lý hoạt đ ộ n g ----------------------------- ------7
2.2. Các quá (lình liên quan đến tạo m à n g --------------------------------8
2.3. Ảnh hưởng của một số yếu tố lên chấl lượng m à n g ------------ 9
2.3.1. Nguồn cao áp ----------------------------------------------------------------- 9
2.3.2. Kim p hun--------------------------------------- -------------------------------ọ
2.3.3. Hệ ESD cải tiến----------------------------------------------------------- 10
2.4. Giới thiệu về hệ c h ế tạo-------------------------------------------------- I I
III. C H Ế TẠ O VÀ NG H IÊ N
c ứ u M Ộ T s ố TÍNH CH ẤT CỦA
M ÀN G Z n O ......................................... ............................. ........... .................. 12
3.1. C h ế tạo------------------------------------------------------------------------- 12
3.2. Một số tính chất của màng Z n O ------------------------------------- í 2
3 . 2 . 1. Nghiên cứu cấu trúc------------------------------------------------------ 12
3.2.2. Huỳnh quang của mẫu Z n O ------------------------------------------ 14
KKT L U Ậ N ..................................................................................................................... 14
TẢI L IỆ U T H A M K H Ả O ....................................................................................... 15
PHỤ L Ụ C .....................
................................................................................... 16
5
A. BÁO CÁO TÓM TẮT
ĐỂ TAI
XẢY D Ụ N G H Ệ T Ạ O M À N G B Á N DAN
B Ằ NG PH Ư Ơ NG PH ÁP PH UN T ĨN H ĐIÊN
MẢ SỐ: QT 01 - 02
Chủ trì đ ê tài:
TS. LẼ HỒN G MA
Cán bô p h ô i hop:
PGS.TS. N G U Y Ễ N N G O C LONG
TS. LÊ THỊ T H A N H BÌNH
CN. TRẦN VĨNH T H Ắ N G
1. Mục tiêu và nội (lung nghiên CÚÌI
1.1. Mục tiêu
- Xây (lựng hộ chc lạo vật liệu băng phương pháp plum lĩnh điện
- Chê tạo vật liệu màng mong bán dẫn, diện môi
N g h i ê n c ứ u m ộ t sô t ín h clìâl VỘI lý cìm v;)t liệu c h ê tạo.
1.2. Nội (lung
- Tliiếl kê và xây dựng hệ phun bãnsi plurơntỊ pháp phun linh điện
cao áp đê chê tạo các vậl liệu bán dẫn. điện mòi
L;il ráp bộ không ché nhiệt dỏ
Cliố lạo màng ZnO. ZnO : E l , ZnO : In
Nghiên cứu mội sô ván dế cua vật liệu chè tạo:
+ Ch ế độ lạo màntĩ
+ Câu í rúc tĩnh the cua màng ZnO
+ Tínli chất quang cùa màng ZnO
2. Các kết quá đạt được
Hoàn thành ihiêl kê và chê tạo hệ phun lình diện cao áp
- Chè lạo màng ZnO. Nghicn cứu mộl sò lính chái
I I lie cua màng đó
1
lướng đan 2 luận van cứ nhan
và cãu
1 b á o c á o k h o a h ọ c lại: Hội n g h ị V ậ l iý C h ấ t ran t o á n LỊIIóc hill
-
thứ III - Nhu Trang, 8 - 10/X/200I
1 hài báo uưi dăng tai tạp chí Physica Status Soliili.
3. Tình hình kỉnh phí của đề tỉii
ơ. Kinh p h í được cấp:
9.000.000 đ (chín Iriệu dồng Việt Nam)
h. Chi:
1. Văn phòng phẩm
2. T hu ê khoán chuyên môn
3. T huê khoán lắp láp xfly dựng hệ
4. v ạ t lư, hoá chất
5. Q uản lý hành chính
6 . Hội nghị, hội thảo, côn g lác phí
567.000 đ
4.000.000(1
2.081.000(1
R54.000cl
360.000(1
1.138.0UUd
T ổn g cộng:
9.000.000 (1
(chín triệu đồng Việt Nam )
C l l ủ TRÌ ĐỂ TÀI
(Ký V?1 ghi lõ liọ (cMi)
XÁC NHẬN CỦA
HAN CHÙ NHIỆM KHOA VẬT LÝ
(Ký Víì ghi lõ liọ tên)
Ọ
\'M- 5 ^
O '
ĩ s. u ĩ ỉ ồng lì à
■ì
XÁC NHẬN CỦA
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA n ọ c T ự NHIÊN
2
BR IE F O F T H E P R O J E C T
B U IL D IN G A S Y S T E M TO P R E P A R E
S E M I C O N D U C T I N G T H IN FIL M S U S I N G T H E
E L E C T R O S T A T I C SPR A Y P Y R O L Y S I S T E C H N I Q U E
T H E C O D E N U M B E R : Q T 01 - «2
The Coordinator:
DR. LE HONG HA
The participants o f the project:
ASSOC. PROF. DR. N G U Y E N N G O C LONG
DR. L E T H I T H A N H BINII
BSC. T R A N VINI-I T H A N G
1. Pur pose and contens and of the works
1.1. Purpose
- Building an electrostatic spray deposition system and
temperature controller system
- Preparating thin films of semiconductors and insulators
- Studying some physical properties of thin films deposited by ;
electrostatic spray pyrolysis method.
1.2. Contens
- Building an elcclroslalic spray deposition system lor the
preparation semiconducting and insulating thin films
- Building a guide heater with temperature controller.
- Piepiiraling thill films ZnO
- Sliuiyiim some properties of thin films deposited by an
electrostalic spray pyrolysis method.
Activities and results
- Building an electrostatic spray deposition system for the
preparation of semiconducting and insulating thin films
- Preparating and investigating some structural and optical
properties of ZnO thin films
- Training 2 graduated s t u d e n t s for Materials science
- The scientific work havs been reported in the Workshop: ” The
3rd National Workshop on Physics of Solid State, Nha Tranẹ.
August 8 - 1 0 , 2001”
- The other one has been submitted to Journal of Physica Status
Solidi.