ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
VẬT LÝ ỨNG DỤNG
CHUYÊN NGHÀNH: QUANG HỌC
KÍNH HIỂN VI ĐƯỜNG HẦM QUÉT
STM
( The Scanning Tunneling Microscope )
Hv: Lê Phúc Quý
GVHD: Lê Vũ Tuấn Hùng
Nhóm 1.
1
NỘI DUNG :
1.QÚA TRÌNH LỊCH SỬ.
2.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG.
2.1. Hiệu ứng đường hầm lượng tử:
2.2. Nguyên lý hoạt động.
3.CẤU TẠO CỦA STM.
3.1 Đầu dò (tip)
3.2 Chống rung
3.3Hệ điều khiển truy hồi.
3.4 Bộ áp điện
2
1. QÚA TRÌNH LỊCH SỬ.
Kính hiển vi quét chui hầm STM (Scanning tunneling
microscope) là một loại kính hiển vi phi quang học, được sử dụng
để quan sát hình thái học bề mặt của vật rắn hoạt động dựa trên
việc ghi lại dòng chui hầm của điện tử khi sử dụng một mũi dò
quét trên bề mặt mẫu. STM là một công cụ mạnh để quan sát cấu
trúc bề mặt của vật rắn với độ phân giải tới cấp độ nguyên tử.
Năm 1972 : Yuong là người đầu tiên sử dụng thiết bị không
tiếp xúc topogarfiner (phát triển từ năm 1965 và 1971) để đo địa hình vi

mô của bề mặt kim loại.
Do không chống rung rung được cho hệ nên ảnh thu
được có độ phân giải thấp, không tạo được ảnh ở chế
độ tunnel.
Lịch sử của STM bắt đầu từ năm 1981 với các thí nghiệm về quá trình chui hầm
trong môi trường không khí thực hiện bởi Gerd Binnig và Heinrich Rohrer (IBM, Zürich)
và nâng cấp các hiệu ứng này trong chân không, kết hợp với quá trình quét để tạo ra STM
vào năm 1982. STM được hoàn chỉnh vào cuối năm 1982 và bắt đầu được thương mại hóa.
3
Hình 1: Russell D. Young
Hình 3: Bức ảnh đầu tiên PROBE được
chụp bởiTopografine
Hình 2: Topografiner
Lý thuyết về quá trình chui hầm trong STM được phát triển bởi N. García, C. Ocal, và F.
Flores (Đại học Autónoma, Madrid, Tây Ban Nha) từ năm 1983 và bởi nhóm J. Tersoff và
D. R. Hamann (AT&T Bell Laboratories, Murray Hill, New Jersey) vào năm 1984.
Năm 1986, G. Binnig và H. Rohrer hoàn thiện thế hệ STM thứ 4 và giành giải Nobel
Vật lý cho phát minh này.
Ngoài việc phân tích hình thái học bề mặt, STM còn được cải
tiến để tạo thành nhiều tính năng khác. Trong kỹ thuật
chụp ảnh từ, người ta cải tiến STM bằng cách phủ các vật
liệu từ trên mũi dò để ghi nhận dòng điện tử chui hầm bị
phân cực spin, cho phép ghi nhận cấu trúc từ bề mặt với độ phân
giải rất cao. Thiết bị này được gọi là Kính hiển vi quét chui hầm
phân cực spin (Spin-polarized scanning tunnelling
microscopd). Ngoài ra, người ta còn có thể tạo ra các tính năng chui hầm khác ví
dụ như chui hầm với photon hoặc ghi nhận hiệu điện
thế để có các phân tích bổ sung khác
Một trong những tính năng khác đang được phát triển gần đây của STM là việc thao
tác các nguyên tử với độ chính xác cao trên bề mặt vật rắn, cho phép tạo các chi tiết siêu

nhỏ với độ chính xác cao và đang trở thành một phép chế tạo quan trọng trong công nghệ
nano.
2.NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG.
4
Hình 4:Gerd Binnig và
Heinrich
Rohrer
Hình 5
Nguyên lý: .
-Kính hiển vi tunnel dựa trên nguyên lý của hiện tượng xuyên hầm lượng tử của các
điện tử giữa hai cực điện có điện trường đặt vào. Một trong 2 điện cực là mẫu đứng yên
còn cực kia là mũi dò (tip) được quét trên mẫu hoặc ngược lại.
2.1. Hiệu ứng đường hầm lượng
tử:
Đường hầm lượng tử (hay
hiệu ứng đường hầm lượng tử, chui
hầm lượng tử) là một hiệu ứng lượng
tử mô tả sự chuyển dịch của hệ vật
chất từ trạng thái này sang trạng thái khác
mà thông thường bị ngăn cấm bởi các
quy luật vật lý cổ điển.
Trường hợp kinh điển là việc hệ vật chất đi xuyên qua "hàng rào năng lượng",
giống như hệ này đã đào "đường hầm"
xuyên rào. Trong cơ học cổ điển, nếu
có hai thung lũng và một ngọn đồi ngăn
cách, một hòn bi nằm trong thung lũng
thứ nhất sẽ không thể vượt qua ngọn đồi để sang thung lũng kia nếu nó không được cung
cấp năng lượng lớn hơn thế năng trên đỉnh đồi.
Trong cơ học lượng tử, vật chất không được miêu tả như các hòn bi, mà giống các
sóng hơn, trong đó hàm sóng miêu tả "hòn bi" lan tỏa sang cả bên thung lũng kia, ngay cả

khi vị trí trung bình của nó ở bên thung lũng này. Vì hàm sóng cho biết xác suất tìm thấy
"hòn bi", có một xác suất nhất định trong việc tìm thấy "hòn bi" ở bên thung lũng kia.
5
Hình 6: Mũi dò được đặt sát bề mặt mẫu dẫn điện
đến mức xuất hiện dòng điện tử tunnel giữa mũi
dò và mẫu
Hiệu ứng này, như các hiệu ứng lượng tử khác, dễ quan sát nhất đối với các hạt nhỏ ở cỡ
nanomet, khi tính chất sóng của chúng thể hiện rõ nét.
Dòng điện thu được do điện tử "chui hầm lượng tử" từ bề mặt cần quan sát sang đầu
đọc cho biết mức năng lượng của hàng rào và do đó mức độ lồi lõm của bề mặt.
Trong cơ học lượng tử, chuyển động của electron:
)()()(
ˆ
zEzUzH
z
ψψψ
=+
Nghiệm phương trình:
( ) ( )
0
z
z z e
α
ψ ψ
−
= =
Trong đó:
( )
2
0

2
2m
V E
h
α
= −

( ) ( )
2 2
2
0
z
z e
α
−
Ψ = Ψ
Khi z = d
( ) ( )
2 2
2
0
d
z d e
α
−
Ψ = = Ψ
   
   
6
Hình 7,8: mô hình xuyên hình lượng tử

2
( ).
kd
I f E e
−
=
( )
2
2
0
F
F
E
z
E e V
I e
α
−
− ∆
= Ψ
∑
( )/
1
( )
1
F
E E KT
f E
e
−

=
+
Trong đó f(E) là hàm phân bố Fermi.
Vậy ta có được dòng chui hầm:
2 d
I e
α
−
≈
Trong đó:
2m
α
Φ
=
h
d: khoảng cách giữa đầu dò và mẫu
Ф: chiều cao hố thế
m: khối lượng e.
I giảm theo hệ số 10 khi khoảng cách tăng 1 A
o
I co giá trị từ 10pA – 1nA ( Ф cỡ vài eV,d cỡ 0,5 nm)
Khi electron vượt đường ngầm ra ngoài tạo một dòng điện nhỏ được đầu dò ghi lại sau
đó chuyển về máy tính ghi nhận tín hiệu và dựng lại bề mặt mẫu.
2.2. NGUYÊN LÝ HOẠT ĐỘNG.
Có hai cơ chế hoạt động chính: Dòng không đổi và Độ cao không đổi
7
Hình 9: mô hình dòng xuyên hầm lượng tử
a. Dòng không đổi
- Độ cao đầu dò thay đổi sao cho dòng xuyên ngầm là không đổi ghi nhận sự thay đổi của
đầu dò

Kiểu quét dòng không đổi: quét chậm vì bộ phận hồi tiếp phải điều chỉnh khoảng cách
giữa đầu dò và mẫu
b. Độ cao không đổi
- Độ cao của mẫu được giử nguyên , sự thay đổi ở bề mặt mẫu thay đổi ghi theo dạng tín
hịêu điện
8
Hinh 10: chế độ dòng không đổi Hinh 11 : chế độ độ cao không đổi
Kiểu quét chiều cao không đổi tốc độ nhanh hơn vì không điều chỉnh trục z nhưng chỉ giới
hạn ở mẫu có bề mặt phẳng
-Tip được gắn trên gốm áp điện và có thể dịch chuyển theo ba phương khi có điện trường
đặt lên gốm .
-Mũi dò được đặt sát bề mặt mẫu dẫn điện đến mức xuất hiện dòng điện tử tunnel giữa
mũi dò và mẫu. Dòng tunnel này phụ thuộc chủ yếu và khoảng cách tip-mẫu và cấu trúc
điện tử của mẫu ở dưới đầu dò .
-Như vậy đối với mẫu dẫn điện có cấu trúc điện tử và mật độ trạng thái không đồng đều,
khi cho đầu dò quét trên một diện tích nhỏ bề mặt theo 2 phương x,y ta sẽ thu được dòng
tunnel I ở từng vị trí. Tập hợp các giá trị x,y, I sẽ tạo nên ảnh địa hình bề mặt nơi nhô cao
ứng với dòng tunnel lớn, điểm ảnh có cường độ sáng mạnh
và ngược lại. Trong trường hợp mẫu rất phẳng, có thể xem
như k/c giữa tip-mẫu không đổi trong khi quét thì cường độ
dòng tunnel sẽ liên quan đến sự thay đổi cấu trúc điện tử,
mật độ trạng thái của mẫu .
-Ta có thể nói dòng tunnel là 1 hàm của vị trí phản ánh cấu trúc điện tử và cấu trúc
nguyên tử bề mặt. STM có độ phân giải ngang là 0,1nm, độ phân giải đứng là 0,01nm vì
vậy có thể thấy rõ từng nguyên tử riêng biệt .
-Không chỉ theo dõi được bề mặt với độ chính xác đến mức nguyên tử, STM còn là công
cụ để đào lấy ra hay đắp thêm vào bề ặt vật dẫn những nhóm nhỏ vài chục nguyên tử, thậm
chí 1 vài nguyên tử (khắc hình bằng STM) là một công cụ quan trọng của công nghệ nano.
3.CẤU TẠO CỦA STM
9

Hình 11: Tip và gốm áp điện
dịch chuyển trên bề mặt mẫu.
Cấu tạo chính của STM gồm :
•Đầu dò (tip)
•Bệ đặt mẫu
•Bộ khuếch đại
•Hệ điều khiển truy hồi.
•Máy tính xử lý
•Bộ áp điện
•Hệ chống rung
3.1 Đầu dò (tip)
Mũi dò là thành phần then chốt của STM. Hình ảnh sắc nét phụ thuộc vào độ sắc
nhọn của đầu dò. Mũi dò quyết định bộ phận phân giải và tính lặp lại của kết quả. Độ phân
giải ảnh thu được phụ thuộc vào bán kính cong và dạng hình học của tip
Tip được chế tạo bằng cắt cơ học, mài bóng và ngâm vào dung dịch khắc (kiềm).
Bán kính của tip nhỏ hơn 1000 Å.
Tip thường được làm từ W (bền chắc nhưng dần bị oxy hóa) hoặc Pt/Ir (trơ hóa học trong
không khí và trong dung môi).
10
Hình12: sơ đồ cấu tạo máy STM

3.2. Chống rung
Biên độ giao động của tip và mẫu phải nhỏ hơn biên độ phân giải u cầu của thiết bị
Rung động của tòa nhà, đi lại của con người, âm thanh ….cung ảnh hưởng đến độ chính
xác của STM. Để hạn chế điều đó bằng cách đăth thiết bị trong buồng cách âm.
Khi STM hoạt động trong khơng khí khơng u cầu độ phân giải cao thí STM được đặt
trên một khối lớn treo bằng dây đàn hồi. Đối với STM hoạt động trong chân khơng thi hệ
thống chống rung phải u cầu chân khơng siêu cao, khi ấy sử dụng chống rung đặc biệt.

Trong chân khơng cao

• Đối với STM hoạt động trong chân khơng thi hệ thống chống rung phải u cầu
cao, khi ấy sử dụng chống rung đặc biệt.
Hệ chống rung trên đệm từ chứa Heli lỏng
•
• W-đầu dò bằng tungsten
• A-giá đỡ đầu dò
11
Hình 13: tip và cách chế tạo típ
Hình 14: hê chống rung thơng thường
• PP- tấm áp điện
• F- chân đế
• D- tấm điện môi
• MP-tấm kim loại
• M- nam châm
3.3. Hệ điều khiển truy hồi.
Nhiệm vụ giữ khoảng cách tip- mẫu khơng (chế độ cao khơng đổi ) hoặc giữ cho dòng
tunnel giữa tip-mẫu khơng đổi(chế độ dòng khơng đổi) Dòng tunnel được chuyển thành
điện áp và so sánh với giá trị chuẩn tạo tín hiệu vi sai, tín hiệu này lại được chuyển đổi
thành điện áp để điều khiển vị trí gốm áp điện theo hướng z (để tạo hiệu chỉnh cho độ cao
khơng đổi hoặc dòng khơng đổi)
Nhiệm vụ điều chỉnh vị trí gốm áp điện tín hiệu vi sai này cũng được lưu giữ như hàm của
x, y, z
3.4. Bộ áp điện
Là trung tâm vận hành Tip của STM. Giúp mũi dò di chuyển tinh tế hơn
Tiêu chuẩn thiết kế cho STM là độ điều chỉnh vị trí tip – mẫu phải tốt hơn độ phân giải u
cầu
u cầu qt được thỏa mãn bằng việc sử dụng gốm áp điện. Gốm áp điện có khả
năng điều chỉnh vị trí xuống tới 0,01 A
0
hoặc tốt hơn ở thang đo vài . Tip được gắn vào

gốm áp điện hình ống đơn giản.
12
Hình 15: hê chống rung trong chân khơng cao
Hình 16: hệ điều khiển truy
hồi
Để thu được ảnh chất lượng cao người ta sử dụng một cảm biến vị trí quang học hai
trục đơn giản để đo vị trí x và y của bộ quét áp điện trụ. Cảm biến được sử dụng để xử lý
ảnh và hiệu chỉnh quét thời gian thực hiện thông qua bộ điều khiển phản hồi.
Một số yếu tố ảnh hưởng đến khả năng của STM là tần số cộng hưởng của gốm áp
điện. Tần số cộng hưởng xác định tốc độ quét của kính hiển vi và độ bền vững chống rung
của nó
Có 2 loại áp điện: tripod và tube

Hoạt động của hộ áp điện:
Chất áp điện giãn nở dọc theo trục của nó
khi điện thế đặt vào cùng chiều phân cực của chất
áp điện (V +). Khi đó chất áp điện co lại theo
phương vuông góc với trục.
Ngược lại chất áp điện sẽ co lại dọc theo trục của
nó khi điện thế đặt vào ngược chiều phân cưc của
chất áp điện (V -). Khi đó
chất áp điện giãn nở theo
phương vuông góc với
trục.
13
Hình 17: bộ áp điện tripod và tube
Hình 18: bộ áp điện tube
Hình 19: hoạt động của bộ áp điện