BÁO CÁO THỰC TẬP ĐIỆN
Đề tài: transitor.

I Cấu tạo và nguyên tắc hoạt động của transitor.
1 cấu tạo.
Một bjt là một thiết bị ba thiết bị đầu cuối bán dẫn gồm hai nút p-n có khả năng khuyếch đại
hoặc "phóng đại" một tín hiệu. Nó là một thiết bị điều khiển hiện hành. Ba thiết bị đầu cuối của
BJT là các cơ sở, các bộ thu và phát. Một tín hiệu của biên độ nhỏ, nếu áp dụng cho các cơ sở có
sẵn trong các hình thức khuếch đại tại bộ thu của transistor. Đây là sự khuếch đại được cung
cấp bởi các BJT. Lưu ý rằng nó địi hỏi một nguồn bên ngoài cung cấp điện DC để thực hiện q
trình khuếch đại. Transitor hay cịn gọi là bóng dẫn gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình
thành hai mối tiếp giáp P-N, nếu ghép theo thứ tự PNP ta được Transistor thuận, nếu ghép theo
thứ tự NPN ta được Transistor ngược. về phương diện cấu tạo Transistor tương đương với hai
Diode đấu ngược chiều nhau. Cấu trúc này được gọi là Bipolar Junction Transitor (BJT) vì dịng
điện chạy trong cấu trúc này bao gồm cả hai loại điện tích âm và dương (Bipolar nghĩa là hai cực
tính). Ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực , lớp giữa gọi là cực gốc ký hiệu là B ( Base ), lớp
bán dẫn B rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp.Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành
cực phát ( Emitter ) viết tắt là E, và cực thu hay cực góp ( Collector ) viết tắt là C, vùng bán dẫn E
và C có cùng loại bán dẫn (loại N hay P ) nhưng có kích thước và nồng độ tạp chất khác nhau
nên khơng hốn vị cho nhau được.
Các sơ đồ cơ bản của hai loại transistor nối lưỡng cực nêu trên được đưa ra dưới đây.
Bipolar Junction Transistor hoặc BJT
Page | 1


Từ hình trên, chúng ta có thể thấy rằng mỗi BJT có ba phần tên emitter, cơ sở và nhà sưu tập. JE
và JC đại diện ngã ba phát và ngã ba thu tương ứng. Bây giờ ban đầu nó là đủ cho chúng ta biết
rằng dựa trên đường giao nhau là phía trước thành kiến và thu các nút cơ bản là ngược lại thiên
vị. Các chủ đề tiếp theo sẽ mô tả hai loại transistor này.
N-P-N Bipolar Junction Transistor
Khi bắt đầu trước khi tôi n-p-n lưỡng cực transistor một p - chất bán dẫn loại nằm giữa hai chất

bán dẫn loại n sơ đồ bên dưới một bóng bán dẫn n-p-n được hiển thị.

Bây giờ IE, IC là phát hiện và thu thập hiện tại tương ứng và VEB và VCB là phát điện áp cơ sở
và điện áp cơ sở thu tương ứng. Theo ước nếu cho emitter, cơ sở và thu hiện IE, IB và IC hiện
tại đi vào các bóng bán dẫn các dấu hiệu của hiện tại được thực hiện như là tích cực và nếu hiện
tại đi ra từ các bóng bán dẫn sau đó các dấu hiệu được lấy làm tiêu cực.
Page | 2


P-N-P Bipolar Junction Transistor.Tương tự như vậy cho p - n - p lưỡng cực nối transistor một nloại chất bán dẫn được kẹp giữa hai chất bán dẫn loại p. Sơ đồ của

Đối với p-n-p bóng bán dẫn, hiện tại đi vào các bóng bán dẫn thơng qua các thiết bị đầu cuối
phát. Giống như bất kỳ bjt, ngã ba emitter-base là phía trước thành kiến và ngã ba thu-base
ngược thiên vị.

2Nguyên lý làm việc của BJT.
Hình cho thấy một bóng bán dẫn n-p-n thiên vị trong khu vực hoạt động , ngã ba BE được mong
thiên vị trong khi ngã ba CB được đảo ngược thành kiến. Chiều rộng của khu vực suy giảm của
ngã ba BE là nhỏ so với các ngã ba CB. Sự thiên vị về phía trước ở ngã ba BE làm giảm tiềm năng
rào cản và làm cho các electron chảy từ emitter đến cơ sở. Là cơ sở là mỏng và nhẹ pha tạp nó
bao gồm rất ít lỗ vì vậy một số các electron từ emitter (khoảng 2%) tái tổ hợp với các lỗ hiện
diện trong khu vực cơ sở và chảy ra khỏi các thiết bị đầu cuối cơ sở. Điều này tạo thành các cơ
sở hiện nay, nó chảy do tái tổ hợp của các electron và lỗ trống (Lưu ý rằng hướng của dòng chảy
hiện tại thường là ngược lại với dòng chảy của các điện tử). Số lớn còn lại của các điện tử sẽ
vượt qua ngã ba thu kiến ngược lại để tạo thành các sưu tập hiện tại. Vì vậy bằng KCL,Các cơ sở
hiện nay là rất nhỏ so với phát và thu hiện hành.
Ở đây, các hạt mang điện đa số là các điện tử. Các hoạt động của một bóng bán dẫn p-n-p là
tương tự như của n-p-n, sự khác biệt duy nhất là các hạt mang điện đa số là lỗ thay vì các điện
tử. Chỉ có một phần nhỏ dịng điện do các hãng lớn và hầu hết các dòng điện do các hạt mang
điện thiểu số trong một BJT. Do đó, chúng được gọi là các thiết bị vận chuyển thiểu số.

Page | 3


Mạch tương đương của BJT
Một ngã ba p-n được đại diện bởi một diode. Như một bóng bán dẫn có hai nút p-n, nó tương
đương với hai điốt kết nối trở lại . Điều này được gọi là sự tương tự hai diode của BJT.
Đặc điểm Bipolar Junction Transitor
Ba phần của một BJT là thu, phát và cơ sở. Trước khi biết về những đặc điểm nối transistor
lưỡng cực, chúng ta phải biết về các chế độ hoạt động cho các loại bóng bán dẫn. Các chế độ
này là
Cơ sở chung (CB) chế độ
(CE) chế độ Emitter chung
(CC) chế độ Collector chung
Tất cả ba loại chế độ hiển thị dưới đây

Bây giờ đến các đặc điểm của BJT có đặc điểm khác nhau cho các chế độ hoạt động khác nhau.
Đặc điểm là gì, nhưng các hình thức đồ họa của mối quan hệ giữa các biến khác nhau hiện tại và
điện áp của bóng bán dẫn. Các đặc tính cho p-n-p bóng bán dẫn được đưa ra cho các chế độ
khác nhau và các thông số khác nhau.
Đặc điểm cơ bản chung
Đặc điểm đầu vào
Đối với p-n-p bóng bán dẫn, đầu vào hiện nay là phát hiện (IE) và điện áp đầu vào là điện áp cơ
sở thu (VCB).

Page | 4


Khi phát - ngã ba cơ sở được mong thiên vị, do đó đồ thị của IE Vs VEB là tương tự như các đặc
điểm về phía trước của một p - n diode. IE tăng cho VEB cố định khi VCB tăng.Các đặc tính đầu
ra cho thấy mối quan hệ giữa điện áp đầu ra và đầu ra hiện nay IC là sản lượng hiện tại và thu

cơ sở điện áp và phát hiện IE là đầu vào hiện tại và hoạt động như là các thơng số. Hình ảnh
dưới đây cho thấy các đặc tính đầu ra cho một bóng bán dẫn p-n-p trong chế độ CB.

Như chúng ta biết cho p-n-p transitor IE và VEB là tích cực và IC, IB, VCB là tiêu cực. Đây là ba
vùng trong đường cong, khu vực vùng bão hòa hoạt động và khu vực cắt đứt. Các khu vực hoạt
động là khu vực nơi các bóng bán dẫn hoạt động bình thường. Đây ngã ba emitter được ngược
thiên vị. Bây giờ các vùng bão hòa là những khu vực mà cả các mối nối thu phát được mong
Page | 5


thiên vị. Và cuối cùng là khu vực cắt đứt là khu vực mà cả hai phát và các mối nối thu là ngược
lại thiên vị.
đặc điểm đầu vào
IB (Base hiện tại) là đầu vào hiện tại, VBE (Base - Emitter Voltage) là điện áp đầu vào cho chế độ
CE (Common Emitter). Vì vậy, các đặc tính đầu vào cho chế độ CE sẽ là mối quan hệ giữa IB và
VBE với VCE như là tham số. Các đặc điểm này được hiển thị dưới đây

Các đặc điểm CE đầu vào điển hình là tương tự như của một tiền đạo thiên vị của p - n diode.
Nhưng như VCB tăng chiều rộng cơ sở giảm.đặc tính đầu ra cho chế độ CE là các đường cong
hoặc đồ thị giữa thu hiện hành (IC) và thu - emitter (VCE) khi các cơ sở hiện IB là tham số. Các
đặc tính được thể hiện trong hình vẽ

Cũng giống như các đặc tính đầu ra của chung - cơ sở chế độ transistor CE cũng có ba vùng tên
là (i) khu vực hoạt động, (ii) vùng cắt, (iii) vùng bão hòa. Các vùng hoạt động có vùng thu đảo
Page | 6


ngược thành kiến và ngã ba phát về phía trước thành kiến. Đối với khu vực cắt ngã ba emitter
được hơi đảo ngược thành kiến và các nhà sưu tập hiện nay là khơng hồn tồn cắt-off. Và cuối
cùng cho vùng bão hòa cả các bộ thu và ngã ba chụp sáng phía trước thành kiến.

Ứng dụng của BJT: BJT được sử dụng trong mạch rời rạc thiết kế do có sẵn nhiều loại, và rõ ràng
là vì transconductane cao và kháng đầu ra là tốt hơn so với MOSFET. BJT rất thích hợp cho các
ứng dụng tần số cao cũng có. Đó là lý do tại sao chúng được sử dụng tần số vô tuyến điện cho
các hệ thống khơng dây. Một ứng dụng khác của BJT có thể được nêu như bộ khuếch đại tín
hiệu nhỏ, kim loại gần bào quang điện, vv
Bipolar Junction Transistor Amplifier
Để hiểu khái niệm về Bipolar Junction Transistor Amplifier, chúng ta nên xem xét thơng qua các
sơ đồ của một bóng bán dẫn p-n-p đầu tiên.

Bây giờ là điện áp đầu vào thay đổi một chút, nói ΔVi của điện áp emitter-base thay đổi chiều
cao hàng rào và các phát hiện bởi ΔIE. thay đổi trong phát hiện này phát triển một ΔVO điện áp
thả trên RL kháng tải, ở đâu,
ΔVO = - RLΔIC
ΔVO cho điện áp đầu ra của bộ khuếch đại. Có một dấu hiệu tiêu cực vì các nhà sưu tập hiện
nay đưa ra một điện áp thả trên RL với cực đối diện với cực tham khảo. Việc đạt được điện áp
AV cho các bộ khuếch đại được đưa ra tỷ lệ giữa sản lượng điện áp ΔVO với điện áp đầu vào
ΔVi, vì vậy,

Page | 7


ΔIC / ΔIE = AI được gọi là tỷ lệ tăng hiện tại của bóng bán dẫn. Từ sơ đồ hình ở trên chúng ta có
thể thấy rằng sự gia tăng điện áp phát làm giảm sự thiên vị về phía trước ở ngã ba phát do đó
làm giảm thu hiện hành. Nó chỉ ra rằng điện áp đầu ra và điện áp đầu vào đang trong giai đoạn.
Cuối cùng là quyền lực đạt được Ấp của các bóng bán dẫn là tỷ số giữa công suất đầu ra và công
suất đầu vào

Mạch khảo sát về nguyên tắc hoạt động của transistor NPN
Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E trong đó (+) nguồn vào cực C và (-) nguồn
vàocựcE.

Cấp nguồn một chiều UBE đi qua cơng tắc và trở hạn dịng vào hai cực B và E , trong đó cực (+)
vào chân B, cực (-) vào chân E.
Khi công tắc mở , ta thấy rằng, mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn khơng có
dịng điện chạy qua mối C E ( lúc này dòng IC = 0 )
Khi cơng tắc đóng, mối P-N được phân cực thuận do đó có một dịng điện chạy từ (+) nguồn
UBE qua cơng tắc => qua R hạn dịng => qua mối BE về cực (-) tạo thành dòng IB
Page | 8


Ngay khi dòng IB xuất hiện => lập tức cũng có dịng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng,
và dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB
Như vậy rõ ràng dịng IC hồn tồn phụ thuộc vào dịng IB và phụ thuộc theo một cơng thức .
IC = β.IB
Trong đó IC là dịng chạy qua mối CE
IB là dòng chạy qua mối BE
β là hệ số khuyếch đại của Transistor
Giải thích : Khi có điện áp UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối tiếp giáp
P-N để tạo thành dòng điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại cực B rất mỏng và nồng
độ pha tạp thấp, vì vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn N ( cực E ) vượt qua tiếp giáp sang lớp
bán dẫn P( cực B ) lớn hơn số lượng lỗ trống rất nhiều, một phần nhỏ trong số các điện tử đó
thế vào lỗ trống tạo thành dịng IB cịn phần lớn số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng
của điện áp UCE => tạo thành dòng ICE chạy qua Transistor.
Sự hoạt động của Transistor PNP hồn tồn tương tự Transistor NPN nhưng cực tính của các
nguồn điện UCE và UBE ngược lại . Dòng IC đi từ E sang C còn dòng IB đi từ E sang B.

II Các ký hiệu và hình dạng của transitor.
BJTs

JFETs


Page | 9


MOSFETs

Depletion Type

Enhancement Type

Power MOSFETS

UJTs

Page | 10


Phototransistors

transistor juction lưỡng cực (BJTs) là transistor điều khiển dòng bao gồm tối đa 3 thiết bị đầu
cuối: các cơ sở, bộ thu, và máy phát.
NPN BJTs là transistor nối lưỡng cực được bao gồm 2 nút N-vật liệu và 1 ngã ba P-vật liệu.
PNP BJTs là transistor nối lưỡng cực được bao gồm 2 nút P-vật liệu và 1 ngã ba N-vật liệu.
Điều này khác biệt thành phần cơ bản giữa NPN và PNP transistor cho họ hoạt động khác nhau
khi điều khiển chúng.
transistor JFET đứng cho transistor hiệu ứng trường giao nhau.
JFETs là transistor điều khiển điện áp gồm 3 thiết bị đầu cuối: cổng, cống và các nguồn.
JFETs N-kênh được tạo thành từ một phần lớn của các điện tử, trong khi JFETs P-kênh được tạo
thành từ một phần lớn của lỗ. sự khác biệt thành phần nội bộ này khác hoạt động.
MOSFET transistor đứng cho oxit kim loại transistor hiệu ứng trường.
Có chủ yếu 2 loại MOSFETs: tăng cường loại và loại suy kiệt. Cả hai đều đưa trong N-kênh và

hình thức P-kênh.
Power MOSFETs là thấp được thiết kế để xử lý một tải điện lớn hơn nhiều (hiện tại và điện áp)
hơn MOSFETs thường xuyên. MOSFETs điện trở trong N-kênh và loại kênh P.
transistor Unijunction (UJTs) là transistor ba dẫn mà hành động độc quyền công tắc như điều
khiển bằng điện; chúng không được sử dụng như các bộ khuếch đại.
Unijuction transistor đi trong N-kênh và kênh P loại.
Phototransistors là các bóng bán dẫn được bật và vận hành bởi ánh sáng. Khi có đủ ánh sáng để
các cơ sở của các bóng bán dẫn, hiện nay tiến hành trên các thiết bịđầu
cuối emitter-collector.Phototransistors đến trong các giống NPN và PNP.

III.Kiểm tra Transitor.
Transistor khi hoạt động có thể hư hỏng do nhiều nguyên nhân, như hỏng do nhiệt độ, độ ẩm,
do điện áp nguồn tăng cao hoặc do chất lượng của bản thân Transistor, để kiểm tra Transistor
bạn hãy nhớ cấu tạo của chúng.
Kiểm tra Transistor ngược NPN tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Anôt, điểm chung là
cực B, nếu đo từ B sang C và B sang E ( que đen vào B ) thì tương đương như đo hai diode thuận
chiều => kim lên , tất cả các trường hợp đo khác kim không lên.

Page | 11


Kiểm tra Transistor thuận PNP tương tự kiểm tra hai Diode đấu chung cực Katôt, điểm chung là
cực B của Transistor, nếu đo từ B sang C và B sang E ( que đỏ vào B ) thì tương đương như đo
hai diode thuận chiều => kim lên , tất cả các trường hợp đo khác kim không lên.[separator]
Trái với các điều trên là Transistor bị hỏng.
Transistor có thể bị hỏng ở các trường hợp .
* Đo thuận chiều từ B sang E hoặc từ B sang C => kim không lên là transistor đứt BE hoặc đứt
BC
* Đo từ B sang E hoặc từ B sang C kim lên cả hai chiều là chập hay dò BE hoặc BC.
* Đo giữa C và E kim lên là bị chập CE.

* : Cách kiểm tra Transitor thông dụng (Dùng loại PNP) : Khi các transitor ta đa biết các chân của
nó ( ở trên) Việc kiểm tra nó có sống hay đã chết chúng ta làm theo sau đây :
+ : Phép đo cho biết Transistor còn tốt . ( Để đồng hồ kim đo thang 1K hay đồng hồ điện tử thì
để thang đo diode)
Để que đỏ vào chân B và cho lần lượt que đen vào hai chân còn lại là C và E
Nếu đo BC và BE mà kim cùng lên thì ==> Transitor này cịn dùng được
+ : Phép đo bóng chập BE
Cũng chuần bị que đo như lần trước . Để xác định được nó có chập BE hay khơng thì ta chỉ cần
đo giữa B và E kim bằng 0 ôm là ok. Ta chỉ cần cho que đỏ vào B , đen vào E và ngược lại nếu
kim bằng 0 ôm ==> chập BE = > CŨng không dùng được
+ : Phép đo bóng đứt BE
Cũng tương tự như bạn chập BE thơi nhưng mà cái này là kim nó khơng lên đâu!
+ : Chập CE :
Cũng chuẩn bị phép đo như lần trước (1k) đo qua lại giữa C và E nếu kim chỉ số 0 thì chập CE =>
khơng dùng được phải mua con mới!
Qua trên tôi đã giới thiệu với các bạn cách đo Transitor sống hay là đã chết.
Chú ý : Đồng hồ sử dụng ở trên là đồng hồ kim chứ khơng phải đồng hồ số.

IV.Bảo trì transitor.
Page | 12


Bóng bán dẫn là rất gồ ghề và dự kiến sẽ được tương đối rắc rối miễn phí. Đóng gói và lớp phủ
bảo giác kỹ thuật hiện nay sử dụng hứa hẹn tuổi thọ rất dài. Về lý thuyết, một bóng bán dẫn
nên kéo dài vơ thời hạn. Tuy nhiên, nếu transistor phải chịu quá tải hiện nay, các mối nối sẽ bị
hư hỏng hoặc thậm chí bị phá hủy. Ngoài ra, các ứng dụng của điện áp vận hành quá cao có thể
gây thiệt hại hoặc phá hủy các nút giao thơng qua hồ quang trên hoặc dịng ngược quá mức.
Một trong những mối nguy hiểm lớn nhất đối với các bóng bán dẫn là nhiệt, mà sẽ gây ra dòng
điện quá mức và tiêu hủy cuối cùng của bóng bán dẫn.
Để xác định xem một transistor là tốt hay xấu, bạn có thể kiểm tra nó với một Ôm kế hoặc thử

một bóng bán dẫn. Trong nhiều trường hợp, bạn có thể thay thế một bóng bán dẫn biết đến là
tốt cho một trong đó là vấn đề và do đó xác định tình trạng của một bóng bán dẫn bị nghi ngờ.
Phương pháp này của thử nghiệm là rất chính xác và đơi khi là nhanh nhất, nhưng nó nên được
sử dụng chỉ sau khi bạn chắc chắn rằng khơng có dị tật mạch mà có thể làm hỏng bóng bán dẫn
thay thế. Nếu có nhiều hơn một bóng bán dẫn bị lỗi có trong thiết bị mà những rắc rối đã được
bản địa hoá, phương pháp thử nghiệm này trở nên cồng kềnh, như nhiều bóng bán dẫn có thể
phải được thay thế trước khi những rắc rối được sửa chữa. Để xác định các giai đoạn thất bại và
đó transistor là khơng bị lỗi, tất cả các bóng bán dẫn loại bỏ phải được kiểm tra. Xét nghiệm này
có thể được thực hiện bằng cách sử dụng một Ôm kế Hải quân chuẩn, transistor thử nghiệm,
hoặc bằng cách quan sát xem liệu các thiết bị hoạt động chính xác như nhau của các bóng bán
dẫn bị xóa sẽ được lồng vào vào thiết bị. Một lời cảnh báo thay-bừa bãi của bóng bán dẫn trong
mạch quan trọng cần phải tránh.
Khi bóng bán dẫn được hàn vào thiết bị, thay thế là không thể thực hiện; nói chung là mong
muốn thử nghiệm những bóng bán dẫn trong mạch của họ.

V.Thận trọng.
Bóng bán dẫn, mặc dù nói chung gồ ghề cơ hơn ống điện tử, dễ bị tổn thương bởi quá tải điện,
nhiệt độ, độ ẩm, và bức xạ. Thiệt hại của thiên nhiên này thường xảy ra trong bóng bán dẫn
phục vụ bằng cách áp dụng các điện áp phân cực khơng chính xác cho các mạch thu hoặc điện
áp quá mức để các mạch đầu vào. kỹ thuật hàn bất cẩn mà quá nóng của bóng bán dẫn cũng đã
được biết là gây ra thiệt hại đáng kể. Một trong những nguyên nhân thường gặp nhất của thiệt
hại cho một bóng bán dẫn là điệnchảy ra từ cơ thể con người khi thiết bị được xử lý. Bạn có thể
tránh được thiệt hại đó trước khi bắt đầu sửa chữa bằng cách xả tĩnh điện từ cơ thể của bạn
vào khung chứa các bóng bán dẫn. Bạn có thể làm điều này bằng cách chạm vào khung xe. Do
đó, điện sẽ được chuyển từ cơ thể của bạn vào khung trước khi bạn xử lý các bóng bán dẫn.Để
tránh làm hỏng bóng bán dẫn và tránh điện giật, bạn nên quan sát các biện pháp phòng ngừa
sau đây khi bạn đang làm việc với các thiết bị bán dẫn:

Page | 13



1. Thiết bị và hàn thử cần được kiểm tra để chắc chắn khơng có rị rỉ hiện nay từ các nguồn
năng lượng. Nếu hiện rò rỉ được phát hiện, biến áp cách ly nên được sử dụng.
2. Luôn luôn kết nối mặt đất giữa thiết bị kiểm tra và mạch trước khi cố gắng để tiêm hoặc theo
dõi một tín hiệu.
3. Đảm bảo điện áp đo kiểm khơng vượt quá điện áp cho phép tối đa cho các thành phần mạch
và bóng bán dẫn. Ngồi ra, khơng bao giờ kết nối đầu ra thiết bị kiểm tra trực tiếp đến một
mạch bán dẫn.
4. Dãy Ơm kế địi hỏi phải có một hiện tại của nhiều hơn một milliampere trong mạch thử
nghiệm không nên được sử dụng cho các transistor thử nghiệm.
5. eliminators Pin không nên được sử dụng để cung cấp điện cho các thiết bị bán dẫn, vì họ có
điều chỉnh điện áp kém và, có thể, điện áp cao gợn.
6. Các nhiệt áp dụng cho một bóng bán dẫn, khi kết nối hàn được yêu cầu, nên được giữ ở mức
tối thiểu bằng cách sử dụng một cơng suất thấp hàn sắt và nhiệt shunts, như kìm mũi dài, trên
dẫn transistor.
7. Khi nó trở nên cần thiết để thay thế các transistor, không bao giờ nâng lên bóng bán dẫn để
nới lỏng chúng từ các bảng mạch in.
8. Tất cả các mạch cần được kiểm tra khuyết tật trước khi thay thế một bóng bán dẫn.
9. Các quyền lực phải được loại bỏ khỏi thiết bị trước khi thay thế một bóng bán dẫn.
xác định Transistor dẫn đóng một vai trị quan trọng trong việc bảo trì transistor; bởi vì, trước
khi một bóng bán dẫn có thể được kiểm tra hoặc thay thế, dẫn hoặc thiết bị đầu cuối của nó
phải được xác định. Vì khơng có phương pháp tiêu chuẩn để xác định các tiềm bóng bán dẫn,
nó là hồn tồn có thể nhầm lẫn một đội khác. Vì vậy, khi bạn đang thay thế một bóng bán dẫn,
bạn nên chú ý tới cách các bóng bán dẫn được gắn kết, đặc biệt là đối với những transistor
được hàn trong, do đó bạn khơng thực hiện một sai lầm khi bạn đang cài đặt các bóng bán dẫn
mới. Khi bạn kiểm tra hoặc thay thế một bóng bán dẫn.
Tuy nhiên, một số mơ hình nhận dạng chỉ điển hình mà sẽ rất hữu ích trong việc xử lý sự cố
transistor. Các chương trình này được thể hiện trong hình 2-17. Trong trường hợp của các bóng
bán dẫn hình bầu dục hiện trong quan điểm A, dẫn đầu thu được xác định bởi một không gian
rộng giữa nó và dẫn cơ sở. Xa nhất dẫn từ các nhà sưu tập, trong dòng là dẫn phát.


VI. Các nguyên tắc hoạt động của transistor.
Page | 14


Trong chế độ tuyến tính, cịn được gọi là chế độ khuyếch đại, Transitor khuếch đại các yếu tố Ic
dòng hiện bởi lần β đường cơ sở (dòng điều khiển), n là yếu tố khuếch đại hiện nay.
Ic = βIB
Quá trình chuyển đổi các transistor PNP.
Chế độ chuyển đổi của transistor chủ yếu phụ thuộc vào tụ ký sinh giữa BE liền kề và BC.

VII Tài liệu tham khảo.
/>
/> />S%25252FTEL3M%25252FTransistorTesting.html&source=iu&pf=m&fir=sSvzeytLyThJM%253A%252Cb1PY64JBQnp2gM%252C_&usg=__tePMlSXI2ENM0uSewCnwHxjWDHY%3D&biw=128
4&bih=645&ved=0ahUKEwiv6YCPzdrPAhWFW5QKHf0ZD2AQyjcIOg&ei=ovgAWKQKYW30QT9s7yABg#q=testing%20transistor&tbm=isch&tbs=rimg%3ACXxY0gLSyuW9IjhwSK_1FsHFPpC
9Ga4tdvsnY0q00ReUJzKDPUHXKagkdOxvDbKEHYpej4SVlqsUI1PZS38QvPE6PVCoSCXBIr8WwcUkETEKCLmI9YMfKhIJL0Zri12ydgRENSVfXsDVuUqEgnSrTRF5QnMoBE4M25c141WGioSCc9QdcpqCR07ESyNdOLVXdtDKhIJG8NsoQdil6
MRmgAyC-0oqIcqEgnhJWWqxQjU9hFlvqkudM1xtCoSCVLfxC88To9UEd-t2NHsBHOQ
/>
/>
Page | 15